晶圓工藝是從大的方面來講,晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟,它又可細(xì)分為以下幾道主要工序(其中晶棒制造只包括下面的第一道工序,其余的全部屬晶片制造,所以有時(shí)又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば?。
不算工藝品.工藝品概念:工藝品,手工藝的產(chǎn)品,即通過手工將原料或半成品加工而成的產(chǎn)品,是對(duì)一組價(jià)值藝術(shù)品的總稱。它包括的種類很多,有漆器,陶器,瓷器,民間工藝,木雕工藝品,樺樹皮工藝品,麥秸工藝品,石...
制作原木工藝品的方法和流程: 選材:取東南亞原始森林100-300年原木 方材定型: 為干燥處理 人工干燥:將木材密封在蒸氣干燥室內(nèi),借蒸氣促進(jìn)水分蒸發(fā),使木材干燥。了改善木材的彎曲性能,增加塑性變形...
看你的焊接位置了 如果是全位置焊接,板材不厚的情況下,電流在100至200間。電壓在18到25.主要是看你的焊機(jī)性能和所用焊絲。只要記住一點(diǎn),不管出于何種角度,運(yùn)調(diào)方式都是水平...
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圓鋼彎曲施工工藝 在津?yàn)I輕軌工程中,地腳螺栓、柱間支撐均由圓鋼制作,在制作 過程中需要彎曲成型。 根據(jù)廠房?jī)?nèi)實(shí)際加工情況, 我們采用加熱成型 的方式對(duì)地腳螺栓柱間支撐進(jìn)行成型加工。 一、 加熱方式 在熱加工方面, 常用的有兩種加熱方法, 一種是利用乙炔火焰進(jìn) 行局部加熱,這種方法簡(jiǎn)便,但是加熱面積較小。一種是放在工業(yè)爐 內(nèi)加熱,它雖然沒有前一種方法簡(jiǎn)便,但是加熱面積很大??紤]到具 體的加工條件和構(gòu)件,我們采用乙炔火焰加熱的方式進(jìn)行加熱。 二、 加熱時(shí)所要求的加熱溫度范圍 當(dāng)零件采用熱加工成型時(shí),加熱溫度應(yīng)控制在 900~1000℃;碳 素結(jié)構(gòu)鋼和低合金結(jié)構(gòu)鋼在溫度分別下降到 700℃和 800℃之前應(yīng)結(jié) 束加工。加熱溫度過高,加熱時(shí)間過長(zhǎng),都會(huì)引起鋼材內(nèi)部組織的變 化,破壞原材料材質(zhì)的機(jī)械性能。 三、 鋼材加熱溫度的判斷 鋼材加熱溫度可從加熱時(shí)所呈現(xiàn)的顏色來判斷 顏色 溫度(℃) 顏色 溫
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評(píng)分: 4.5
圓柱模板施工方案 1. 適用范圍 本工藝適用于 XX 工程的鋼筋混凝土獨(dú)立圓柱 ,本方案為木模板拼裝圓柱模 板的安裝與拆卸 . 注:依據(jù)圓柱的周長(zhǎng)及高度制作成。這種模板具有展開和閉合兩種形態(tài),即自然 存放時(shí)為展開的平板;使用時(shí)圍裹成近似的圓筒。 根據(jù)已完成的工程實(shí)例, 圓柱規(guī)格范圍:直徑 D=600 ㎜ 高度:H=2150~7500 ㎜。文體館分層圓柱高度: 3.6 米、3.9 米、2.15 米;禮堂分層圓柱高度: 7.5 米、2.8 米、5.7 米、6.1 米。因此每層高度不一,均需要分層配模板。 2.施工準(zhǔn)備 2.1材料 3mm厚三合板、 50X100木方、12mm厚多層板、Φ10鋼筋、Φ14螺桿與配套 螺母 。 2.2機(jī)具設(shè)備 活口扳手、線墜、榔頭、鉗子。 2.3作業(yè)條件 2.3.1梁、板混凝土澆筑完畢,強(qiáng)度達(dá)到 1.2MPa,柱鋼筋綁扎完畢。 2.3.2柱模安裝操作平臺(tái)搭設(shè)完畢,
晶圓制程工藝,嚴(yán)格說來這是門很復(fù)雜的(應(yīng)用)技術(shù)體系。晶圓制程工藝達(dá)到1nm會(huì)怎樣?我認(rèn)為這個(gè)連不少的行內(nèi)資深人士都不容易給出全面且正確的答案。這就有點(diǎn)像是:現(xiàn)在很多的國(guó)家能制造大量的常規(guī)燃料火箭(對(duì)應(yīng)于當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)的主流制程),現(xiàn)在也有少數(shù)的國(guó)家在研發(fā)可重復(fù)使用火箭(對(duì)應(yīng)于未來半導(dǎo)體行業(yè)的5nm和3nm等制程),再之后可能有少數(shù)的國(guó)家研制出比可重復(fù)回收火箭更先進(jìn)的航天運(yùn)輸工具(對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的1nm等制程),那么比可重復(fù)回收火箭更先進(jìn)的航天運(yùn)輸工具會(huì)是什么樣的?現(xiàn)在其實(shí)沒有人能準(zhǔn)確地想象出來(重在應(yīng)用)。
前不久,有臺(tái)灣媒體報(bào)道過:臺(tái)積電的創(chuàng)始人張忠謀向媒體記者表示,摩爾定律可能在半導(dǎo)體行業(yè)中還會(huì)延續(xù)10年的時(shí)間,臺(tái)積電等晶圓制造廠商能夠研發(fā)并投產(chǎn)3nm制程工藝。此后,晶圓制造廠商們能不能研發(fā)出可量產(chǎn)的2nm制程工藝,眼下看來還存在不確定性。而晶圓大廠們要研發(fā)出可商業(yè)化量產(chǎn)的1nm制程工藝,就會(huì)面臨非常大的難度。
就假設(shè)今后確實(shí)有少數(shù)的晶圓大廠研發(fā)出了可商業(yè)化的1nm制程,那么會(huì)怎么樣呢?有人猜想,“這會(huì)使采用該技術(shù)生產(chǎn)的芯片價(jià)格居高不下,這又會(huì)導(dǎo)致較少客戶選擇該項(xiàng)技術(shù),進(jìn)而惡性循環(huán)......從商業(yè)因素考慮,大部分芯片設(shè)計(jì)公司恐怕依舊會(huì)選擇相對(duì)成熟,或者稱為相對(duì)‘老舊’的制造工藝。”事實(shí)上,1nm制程工藝到今天還只是處于實(shí)驗(yàn)室研究的階段。
2016年的時(shí)候,網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn)過一篇文章,其中有這樣寫到:
芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示,比如Intel的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm制造工藝?,F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管,這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成,電流從源極流入漏極,柵極則起到控制電流通斷的作用。而CPU上形成的互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的寬度,也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短,則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管——Intel曾經(jīng)宣稱將柵長(zhǎng)從130nm減小到90nm時(shí),晶體管所占得面積將減小一半;在芯片晶體管集成度相當(dāng)?shù)那闆r下,使用更先進(jìn)的制造工藝,芯片的面積和功耗就越小,成本也越低。
柵長(zhǎng)可以分為光刻?hào)砰L(zhǎng)和實(shí)際柵長(zhǎng),光刻?hào)砰L(zhǎng)則是由光刻技術(shù)所決定的。由于在光刻中光存在衍射現(xiàn)象以及芯片制造中還要經(jīng)歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟,因此會(huì)導(dǎo)致光刻?hào)砰L(zhǎng)和實(shí)際柵長(zhǎng)不一致的情況。另外,同樣的制程工藝下,實(shí)際柵長(zhǎng)也會(huì)不一樣,比如雖然三星也推出了14nm制程工藝的芯片,但其芯片的實(shí)際柵長(zhǎng)和Intel的14nm制程芯片的實(shí)際柵長(zhǎng)依然有一定差距。
前面說了縮短晶體管柵極的長(zhǎng)度可以使CPU集成更多的晶體管或者有效減少晶體管的面積和功耗,并削減CPU的硅片成本。正是因此,CPU生產(chǎn)廠商不遺余力地減小晶體管柵極寬度,以提高在單位面積上所集成的晶體管數(shù)量。不過這種做法也會(huì)使電子移動(dòng)的距離縮短,容易導(dǎo)致晶體管內(nèi)部電子自發(fā)通過晶體管通道的硅底板進(jìn)行的從負(fù)極流向正極的運(yùn)動(dòng),也就是漏電。而且隨著芯片中晶體管數(shù)量增加,原本僅數(shù)個(gè)原子層厚的二氧化硅絕緣層會(huì)變得更薄進(jìn)而導(dǎo)致泄漏更多電子,隨后泄漏的電流又增加了芯片額外的功耗。
為了解決漏電問題,Intel、IBM等公司可謂八仙過海,各顯神通。比如Intel在其制造工藝中融合了高介電薄膜和金屬門集成電路以解決漏電問題;IBM開發(fā)出SOI技術(shù)——在在源極和漏極埋下一層強(qiáng)電介質(zhì)膜來解決漏電問題;此外,還有鰭式場(chǎng)效電晶體技術(shù)——借由增加絕緣層的表面積來增加電容值,降低漏電流以達(dá)到防止發(fā)生電子躍遷的目的......
上述做法在柵長(zhǎng)大于7nm的時(shí)候一定程度上能有效解決漏電問題。不過,在采用現(xiàn)有芯片材料的基礎(chǔ)上,晶體管柵長(zhǎng)一旦低于7nm,晶體管中的電子就很容易產(chǎn)生隧穿效應(yīng),為芯片的制造帶來巨大的挑戰(zhàn)。
第1章引言1
1.1MEMS制造概述1
1.2共享晶圓工藝5
1.2.1多項(xiàng)目晶圓工藝5
1.3設(shè)計(jì)規(guī)則18
1.4版圖20
參考文獻(xiàn)27
第2章微觀力學(xué)30
2.1彈簧30
2.1.1并聯(lián)彈簧32
2.1.2串聯(lián)彈簧32
2.2屈曲33
2.3泊松比33
2.4切向應(yīng)力和切向應(yīng)變張量35
2.5其他梁36
2.6扭轉(zhuǎn)38
2.7薄膜39
2.8測(cè)試結(jié)構(gòu)40
2.9阻尼42
2.10加速度計(jì)43
2.10.1懸臂梁44
2.10.2碰撞傳感器44
2.11壓力傳感器46
參考文獻(xiàn)51
第3章靜電驅(qū)動(dòng)52
3.1機(jī)械回復(fù)力55
3.2梳狀驅(qū)動(dòng)諧振器583.3懸臂梁諧振器60
3.4雙端固支梁諧振器60
參考文獻(xiàn)64
第4章光學(xué)MEMS66
4.1反射懸臂梁光調(diào)制器66
4.2單軸扭轉(zhuǎn)鏡68
4.3雙軸扭轉(zhuǎn)鏡:朗訊路由光電轉(zhuǎn)換器72
4.4PolyMUMPs工藝中的法布里—珀羅干涉儀77
4.5獲取平整光學(xué)MEMS器件82
參考文獻(xiàn)85
第5章熱學(xué)MEMS87
5.1驅(qū)動(dòng)器90
5.2冷臂—熱臂式熱驅(qū)動(dòng)器91
5.3熱壓電雙晶片96
5.4輻射熱計(jì)98
5.5熱噴墨打印機(jī)100
5.6熱損傷限制熱驅(qū)動(dòng)MEMS100
參考文獻(xiàn)102
第6章流體MEMS103
6.1運(yùn)動(dòng)方程103
6.2微流體103
6.2.1雷諾數(shù)106
6.2.2表面張力107
6.2.3接觸角度108
6.2.4毛細(xì)上升109
6.3噴墨打印110
參考文獻(xiàn)115
第7章封裝和測(cè)試116
7.1發(fā)布116
7.2測(cè)試設(shè)備117
7.3機(jī)械測(cè)試118
7.4電氣測(cè)試119
7.5光學(xué)特性120
參考文獻(xiàn)122
第8章從原型到產(chǎn)品:MEMS——自適應(yīng)光學(xué)可變形反射鏡123
參考文獻(xiàn)133
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)計(jì)和原型設(shè)計(jì)指南135"
2100433B