晶粒石灰?guī)r簡介

首先把石灰?guī)r劃分為3個大的結構類型，即顆粒-灰泥石灰?guī)r、晶粒石灰?guī)r、生物格架石灰?guī)r(礁石灰?guī)r)。這是石灰?guī)r最基本的和最通用的分類。

根據(jù)顆粒和灰泥的相對百分含量，又把顆粒-灰泥石灰?guī)r劃分為兩個類型，即顆粒石灰?guī)r和灰泥石灰?guī)r;而顆粒石灰?guī)r和灰泥石灰?guī)r又各分為3個巖石類型，共6個巖石類型，這是顆粒-灰泥石灰?guī)r的進一步劃分。

晶粒石灰?guī)r基本上全由晶粒組成，幾乎不含其他結構組分。它又可根據(jù)晶粒的粗細，再進一步劃分為粗晶石灰?guī)r、中晶石灰?guī)r、細晶石灰?guī)r、粉晶石灰?guī)r、泥晶石灰?guī)r等，

福克(Folk,1959,1962)把泥晶石灰?guī)r稱作微晶石灰?guī)r，國內也有不少人這么稱呼它?？梢岳^續(xù)使用微晶石灰?guī)r這一術語。但應明確，這里的微晶在粒級上屬于泥晶的范疇。

此處的泥晶石灰?guī)r與顆粒-灰泥石灰?guī)r中的灰泥石灰?guī)r是同一種巖石，叫灰泥石灰?guī)r或叫泥晶石灰?guī)r均可，當然也可以叫微晶石灰?guī)r。

除泥晶石灰?guī)r外，其他較粗的晶粒石灰?guī)r大都是次生變化的產(chǎn)物，即重結晶作用或交代作用的產(chǎn)物。 2100433B

ZnO壓敏電阻的晶粒涂料邊界從結晶的Bi-O變化到無定形相，最終變化為ZnO-ZnO晶粒沒有任何第二相。這種變化看來決定于晶粒邊界的總厚度。

結晶相和無定形相存在于Bi-O相寬度15~50nm處的點所以，采用高分辨率的HREM沿ZnO晶粒邊界從三角結點到無第二相的點處追蹤觀測了Bi—相的形態(tài)。Bi偏析區(qū)范圍還采用具有能量彌散X衍射光譜的場致發(fā)射型TEM進行了精確分析。

沿ZnO晶粒邊界的Bi連續(xù)性也利用EDS繪圖技術證實試樣為商用ZnO壓敏電阻，含0.5%Bi2O3和少量其他過渡金屬氧化物添加物，按傳統(tǒng)的ZnO壓敏陶瓷工藝混合制備，在1150℃下燒結5h，按—75℃/h速度冷卻，在550℃下熱處理，將燒結的試樣中心切割，經(jīng)離子減薄用于TEM分析采用兩種透射電子顯微鏡，用于觀測晶粒邊界附近的微觀結構，以及FE—TEM-2010F。

乳膠漆為了達到分析目的，前者可以分辨空間為0.17nm，后者可分辨空間為0.19nm，后者還具有EDS點分析的功能及空間分辨小于1nm繪圖分析功能。結晶相僅存在無定形相的一側，該相的另一側直接與ZnO晶粒接觸。這些結果證明，在寬度小于4nm的晶粒邊界，Bi-O結晶相是不存在的。

在該觀察到ZnO晶粒間無第二相，既不結晶的，也無定形的在晶界邊界寬度小于4nm的所有晶粒邊界觀察到的均是無定形的。表明：1.晶粒相是無定形的。

Bi偏析于晶粒邊界內而在離ZnO晶粒表面0.5~1.0nm一側是不存在的；3. Zn存在于晶界無定型層中。X光譜探測出Bi、O和Zn的特征線譜，Zn的特征X光被Bi的特征X光熒光激發(fā)是肯定的兩個ZnO晶粒彼此直接接觸的結晶面，這表明在晶粒邊界不存在晶界相，用EDS分析了化學成分，這三個點位于與ZnO晶粒邊界的垂直的間距離1mm處。過氯乙烯漆在ZnO-ZnO晶粒邊界的第二點在直徑1mm的區(qū)域內測得Bi占9%，剩余的是Zn。2100433B

陶瓷主要由晶粒構成，且因陶瓷中的晶粒取向是隨機的，不同的晶粒取向各異，故在晶粒與晶粒之間形成大量的晶界。相鄰晶粒由于取向度的差異造成原子間距的不同， 在晶界處結合時，形成晶格畸變或界面位錯而在晶界處造成應力。同時，由于晶體的各向異性，在陶瓷燒成后的冷卻過程中，晶界上會出現(xiàn)很大的晶界熱應力，其晶界熱應力的大小與晶粒大小成正比。晶界應力的存在將使晶界處出現(xiàn)微裂紋，從而大大降低陶瓷的斷裂強度。因此，陶瓷中一般要求盡可能小的晶粒尺寸。