加速器真空室內(nèi)壁鍍TiZrV/Pd復(fù)合薄膜的研究結(jié)題摘要

真空蒸鍍:在高真空下，通過金屬細絲的蒸發(fā)和凝結(jié)，使金屬薄層附著在塑膠表面。 真空蒸鍍過程中金屬(最常用的鋁)的熔融，蒸發(fā)僅需幾秒鐘，整個周期一般不超過15s，鍍層厚度為0.8-1.2uM.

設(shè)計真空蒸鍍塑料制品應(yīng)避免大的平坦表面，銳角和銳邊。凹凸圖案、紋理或拱形表面效果最佳。真空蒸鍍很難獲得光學平面樣制品表面。

真空鍍層附著力比水鍍好很多，但價格稍微貴一些。

A9手機的面殼鍍銅后鍍LOU，共10μ，鍍LOU層0.18μ。真空電鍍相對于水電鍍來講，表面硬度較低，但污染較小。真空鍍不導電

目前水電鍍在重工業(yè)上應(yīng)用較多(汽車等)，而真空電鍍則廣泛應(yīng)用于家用電器、化妝品包裝。

如果真空電鍍的硬度能達到水電鍍的等級，那么水電鍍將要消失了。

目前很多手機上的金屬外觀件，都采用PVD真空離子鍍，不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過比較貴，成本較高。

濺射鍍:磁控濺射鍍膜設(shè)備:

磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種多功能、高效率的鍍膜設(shè)備?？筛鶕?jù)用戶要求配

置旋轉(zhuǎn)磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈沖疊加式偏壓電源等，

組態(tài)靈活、用途廣泛，主要用于金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷等)的工件鍍鋁、

銅、鉻、鈦金、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜，所鍍膜層均勻、

致密、附著力強等特點，可廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)品、玩具、車燈

反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。

a旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜機;旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜技術(shù)，是國內(nèi)外最先進的磁控濺射鍍膜技術(shù)，靶材利用率達到70~80%

以上，基體鍍膜均勻，色澤一致。

b平面磁控濺射鍍膜機;

c中頻磁控濺射鍍膜機;

d射頻磁控濺射鍍膜機。

可以在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不銹鋼及金屬反應(yīng)物(氧化

物、氮化物、炭化物)、半導體金屬及反應(yīng)物。所鍍膜層均勻、致密、附著力好等特點。

一、 單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機

該鍍膜機主要用於各種燈飾、家電、鐘表、玩具以及美術(shù)工藝等行業(yè)，在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)等

制品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不銹鋼等系列裝飾性膜層。

技術(shù)指標:

真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計成單室或雙室或多室

極限壓力:8×10-4Pa

恢復(fù)真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min(根據(jù)用戶要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工藝氣體進入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)

轉(zhuǎn)動工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/混合濺射源

可以選配:基片烘烤裝置;反濺射清洗

二、單室/雙室/多室磁控反應(yīng)濺射鍍膜機

該鍍膜機主要用於太陽能吸熱管所需要的鍍膜涂層(如Al-N/Al或Cu-C/1Cr18Ni9Ti);高級轎車后視鏡鍍膜

(藍玻);裝飾仿金、七彩鍍膜;透明導電膜(ITO膜);保護膜。

技術(shù)指標:

真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計成單室或雙室或多室

極限壓力:8×10-4Pa

恢復(fù)真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據(jù)用戶要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工藝氣體進入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)

工作氣路:2路或3路

轉(zhuǎn)動工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/混合濺射源

三、多功能鍍膜機

設(shè)備基本配置:

真空室

工件轉(zhuǎn)動系統(tǒng)

真空抽氣系統(tǒng)

工作氣體供氣系統(tǒng)

濺射系統(tǒng):平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統(tǒng)

動系統(tǒng)

控制系統(tǒng)

冷卻系統(tǒng)

技術(shù)指標:

真空室尺寸:φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計成箱式

極限壓力:8×10-4Pa

恢復(fù)真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據(jù)用戶要求定)

工作真空度:10~1.0× 10-1Pa

工藝氣體進入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)

工作氣路:2路或4路

轉(zhuǎn)動工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架

濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源

用途:本設(shè)備應(yīng)用磁控濺射原理，在真空環(huán)境下，在玻璃、陶瓷等非金屬;半導體;金屬基體上制備各種金屬膜、合

金膜、反應(yīng)化合物膜、介質(zhì)膜等等。

四、實驗系列磁控濺射鍍膜機

技術(shù)指標:

真空室:φ450×400

極限壓力:5×10-5Pa

工作壓力:1~1.0× 10-2Pa

真空系統(tǒng)主泵:渦輪分子泵

陰極靶數(shù)量:2~5個

工作氣體控制:質(zhì)量流量控制器，自動壓強控制儀

工作氣路:2路或4路

靶電源:直流磁控濺射源(10000W)，

中頻電源(10000W)，

射頻電源(2000W)。

工件轉(zhuǎn)動:行星式公自轉(zhuǎn)

工件負偏壓:/

性能特點:磁控靶數(shù)量多，靶材種類變化大，各種參數(shù)變化范圍大，所鍍制膜層有金屬、合金、化合物，可鍍制單

層或多層膜。

五、中頻磁控濺射鍍膜機

中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是磁控技術(shù)另一新里程碑,是鍍制化合物(氧化物、氮化物、碳化物)系膜的理想設(shè)備，

徹底克服了靶打弧和中毒現(xiàn)象,并具濺射速率快、沈積速率高等優(yōu)點,適合鍍制銦錫合金(ITO)、氧化鋁(AL2O3)

、二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等，配置多個靶及膜厚儀,可鍍制多種多

層膜或合金膜層。

六、射頻磁控濺射鍍膜機

具有濺射速率高，能鍍?nèi)魏尾牧?導體、半導體和介質(zhì)材料)。在低氣壓下等離子體放電，膜層致密，針孔少。

主要技術(shù)參數(shù)

真空室尺寸:F500´450(mm)

極限真空度:優(yōu)於4´10- 4 Pa (3´10- 6Torr)

濺 射 靶: F 100mm磁控濺射源三只濺

射功率: 直流5千瓦，射頻2千瓦