非蒸散型吸氣劑(NEG)可以吸收超高真空下的大部分氣體,將其鍍?cè)谡婵帐覂?nèi)壁后形成NEG薄膜,可使真空室由放氣源變?yōu)榫哂谐槠鹱饔玫恼婵毡?。NEG薄膜可以有效減小加速器儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)的動(dòng)態(tài)氣載,降低其縱向氣壓梯度,因而在國(guó)外粒子加速器領(lǐng)域已獲得較多的應(yīng)用。TiZrV合金是迄今所發(fā)現(xiàn)的具有最低激活溫度的NEG材料,因而成為目前最為常用的NEG薄膜材料。.盡管TiZrV有很好的真空性能,但隨著激活次數(shù)的增加,其吸氣能力會(huì)逐漸下降直至最終消失,而在其表面鍍上一層Pd可以使NEG表面免于氧化,并使其壽命大大延長(zhǎng)。本課題將對(duì)真空室內(nèi)壁鍍TiZrV/Pd復(fù)合薄膜的過(guò)程進(jìn)行模擬,并對(duì)鍍膜工藝以及薄膜相關(guān)性能展開系統(tǒng)的研究。此項(xiàng)研究成果不僅在加速器真空室的表面處理領(lǐng)域,在真空獲得設(shè)備和微電子等領(lǐng)域都具有廣闊的應(yīng)用前景。
非蒸散型吸氣劑(NEG)可以吸收超高真空下的大部分氣體,將其鍍?cè)谡婵帐覂?nèi)壁后形成NEG薄膜,可使真空室由放氣源變?yōu)榫哂谐槠鹱饔玫恼婵毡?。NEG薄膜可以有效減小加速器儲(chǔ)存環(huán)內(nèi)的動(dòng)態(tài)氣載,降低其縱向氣壓梯度,因而在國(guó)外粒子加速器領(lǐng)域已獲得較多的應(yīng)用。TiZrV合金是迄今所發(fā)現(xiàn)的具有最低激活溫度的NEG材料,因而成為目前最為常用的NEG薄膜材料。在TiZrV表面鍍上一層Pd可以使NEG表面免于氧化,并使其壽命大大延長(zhǎng)。 本課題通過(guò)對(duì)原有磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)行若干改進(jìn),對(duì)TiZiV/Pd復(fù)合薄膜的制備工藝進(jìn)行系統(tǒng)的研究,通過(guò)調(diào)整鍍膜參數(shù)可以獲得滿足要求的薄膜。采用掃描電子顯微鏡、X射線光電子能譜和X射線衍射儀等對(duì)TiZrV薄膜進(jìn)行了相關(guān)的分析測(cè)試。搭建了一套新的二次電子測(cè)試裝置,采用成熟的商用電子槍,發(fā)射電流可控制在nA量級(jí),測(cè)量的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性都有所提高,采用此裝置對(duì)TiZrV/Pd薄膜的SEY進(jìn)行了測(cè)量。搭建了一套抽速測(cè)量系統(tǒng),對(duì)TiZrV/Pd的測(cè)量正在進(jìn)行當(dāng)中。另外,采用PIC/MCC軟件OOPIC對(duì)管道內(nèi)的磁控濺射放電過(guò)程進(jìn)行了模擬,研究了各參量對(duì)模擬過(guò)程的影響及放電參數(shù)對(duì)放電過(guò)程的影響。 通過(guò)本課題,掌握了加速器管道內(nèi)壁鍍TiZrV/Pd復(fù)合薄膜的制備工藝,積累了一定的工程經(jīng)驗(yàn)。此項(xiàng)研究成果不僅在加速器真空室的表面處理領(lǐng)域,在真空獲得設(shè)備和微電子等領(lǐng)域都具有廣闊的應(yīng)用前景。 2100433B
價(jià)格:16.5元/米 耐候性:在攝氏-40℃— 120℃溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定,無(wú)高溫軟化,高寒脆化現(xiàn)象;亦可設(shè)計(jì)成雙層結(jié)構(gòu),保溫效果更佳,尤為適用于北方嚴(yán)寒地區(qū)養(yǎng)殖場(chǎng)冬季生產(chǎn)。 棗強(qiáng)縣天承玻璃鋼廠 ...
主要薄膜基材有:外層可印刷膜BOPA BOPET BOPP 內(nèi)層可熱封膜CPP PE! 還有共擠膜!這些材料根據(jù)要求,通過(guò)膠水復(fù)合成復(fù)合膜!常見結(jié)...
在鍍覆溶液中加入非水溶性的固體微粒,使其與主體金屬共同沉積形成鍍層的工藝稱之為復(fù)合鍍。若采用電鍍的工藝則稱之為復(fù)合電鍍;若采用化學(xué)鍍的工藝則稱之為復(fù)合化學(xué)鍍。所得鍍層稱為復(fù)合鍍層。 原則上,凡可鍍覆的...
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評(píng)分: 4.6
用氬氣作為放電氣體,采用直流磁控濺射法,成功地在不銹鋼管道內(nèi)壁獲得了TiZrV薄膜。分別利用能量彌散X射線譜和X射線光電子能譜測(cè)量薄膜的成分組成,應(yīng)用掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀對(duì)薄膜進(jìn)行了測(cè)試,并對(duì)TiZrV的二次電子產(chǎn)額進(jìn)行了測(cè)量。測(cè)試結(jié)果表明:TiZrV的成分基本保持在Ti原子分?jǐn)?shù)為30%,Zr原子分?jǐn)?shù)為30%,V原子分?jǐn)?shù)為40%左右,位于"低激活溫度區(qū)"內(nèi);薄膜具有無(wú)定形的結(jié)構(gòu),由微小的納米晶粒組成;加熱激活后TiZrV的二次電子產(chǎn)額有所下降,其峰值由2.03降到1.55,低于不銹鋼和無(wú)氧銅。
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頁(yè)數(shù): 4頁(yè)
評(píng)分: 4.6
在錫青銅(QSn6.5 0.1)基體上用離子鍍技術(shù)沉積AgCu復(fù)合薄膜,用球 盤摩擦試驗(yàn)機(jī)評(píng)價(jià)了干摩擦和復(fù)合薄膜條件下錫青銅與9Cr18鋼在真空下對(duì)摩的摩擦學(xué)性能。結(jié)果表明,沉積AgCu復(fù)合薄膜后,QSn6.5 0.1合金的真空摩擦學(xué)性能得到了明顯改善,平均摩擦系數(shù)從0.86降低到0.23,同時(shí)降低了摩擦噪聲。這主要是由于QSn6.5 0.1合金中的錫元素與對(duì)偶鋼件的粘著促進(jìn)了軟金屬薄膜向?qū)ε技霓D(zhuǎn)移,形成良好的轉(zhuǎn)移膜,從而改善了真空摩擦學(xué)性能。
1>真空鍍膜所獲得的金屬膜層很薄(一般為0.01~0.1um),能夠嚴(yán)格復(fù)制出啤件表面的形狀
2>工作電壓不是很高(200V)﹐操作方便﹐但設(shè)備較昂貴﹒
3>蒸鍍鍋瓶容積小﹐電鍍件出數(shù)少﹐生產(chǎn)效率較低﹒
4>只限于比鎢絲熔點(diǎn)低的金屬(如鋁﹑銀﹑銅﹑金等)鍍飾﹒
5>對(duì)鍍件表面質(zhì)量要求較高﹐通常電鍍前需打底油來(lái)彌補(bǔ)工件表面缺陷﹒
6>真空鍍膜可以鍍多種塑料如﹕ABS﹑PE﹑PP﹑PVC﹑PA﹑PC﹑PMMA等
真空蒸鍍:在高真空下,通過(guò)金屬細(xì)絲的蒸發(fā)和凝結(jié),使金屬薄層附著在塑膠表面。 真空蒸鍍過(guò)程中金屬(最常用的鋁)的熔融,蒸發(fā)僅需幾秒鐘,整個(gè)周期一般不超過(guò)15s,鍍層厚度為0.8-1.2uM.
設(shè)計(jì)真空蒸鍍塑料制品應(yīng)避免大的平坦表面,銳角和銳邊。凹凸圖案、紋理或拱形表面效果最佳。真空蒸鍍很難獲得光學(xué)平面樣制品表面。
真空鍍層附著力比水鍍好很多,但價(jià)格稍微貴一些。
A9手機(jī)的面殼鍍銅后鍍LOU,共10μ,鍍LOU層0.18μ。真空電鍍相對(duì)于水電鍍來(lái)講,表面硬度較低,但污染較小。真空鍍不導(dǎo)電
目前水電鍍?cè)谥毓I(yè)上應(yīng)用較多(汽車等),而真空電鍍則廣泛應(yīng)用于家用電器、化妝品包裝。
如果真空電鍍的硬度能達(dá)到水電鍍的等級(jí),那么水電鍍將要消失了。
目前很多手機(jī)上的金屬外觀件,都采用PVD真空離子鍍,不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過(guò)比較貴,成本較高。
濺射鍍:磁控濺射鍍膜設(shè)備:
磁控濺射鍍膜設(shè)備是一種多功能、高效率的鍍膜設(shè)備??筛鶕?jù)用戶要求配
置旋轉(zhuǎn)磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈沖疊加式偏壓電源等,
組態(tài)靈活、用途廣泛,主要用于金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷等)的工件鍍鋁、
銅、鉻、鈦金、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜,所鍍膜層均勻、
致密、附著力強(qiáng)等特點(diǎn),可廣泛用于家用電器、鐘表、工藝美術(shù)品、玩具、車燈
反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。
a旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜機(jī);旋轉(zhuǎn)磁控濺射鍍膜技術(shù),是國(guó)內(nèi)外最先進(jìn)的磁控濺射鍍膜技術(shù),靶材利用率達(dá)到70~80%
以上,基體鍍膜均勻,色澤一致。
b平面磁控濺射鍍膜機(jī);
c中頻磁控濺射鍍膜機(jī);
d射頻磁控濺射鍍膜機(jī)。
可以在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不銹鋼及金屬反應(yīng)物(氧化
物、氮化物、炭化物)、半導(dǎo)體金屬及反應(yīng)物。所鍍膜層均勻、致密、附著力好等特點(diǎn)。
一、 單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機(jī)
該鍍膜機(jī)主要用於各種燈飾、家電、鐘表、玩具以及美術(shù)工藝等行業(yè),在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)等
制品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不銹鋼等系列裝飾性膜層。
技術(shù)指標(biāo):
真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室
極限壓力:8×10-4Pa
恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min(根據(jù)用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)
轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/混合濺射源
可以選配:基片烘烤裝置;反濺射清洗
二、單室/雙室/多室磁控反應(yīng)濺射鍍膜機(jī)
該鍍膜機(jī)主要用於太陽(yáng)能吸熱管所需要的鍍膜涂層(如Al-N/Al或Cu-C/1Cr18Ni9Ti);高級(jí)轎車后視鏡鍍膜
(藍(lán)玻);裝飾仿金、七彩鍍膜;透明導(dǎo)電膜(ITO膜);保護(hù)膜。
技術(shù)指標(biāo):
真空室尺寸:可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成單室或雙室或多室
極限壓力:8×10-4Pa
恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據(jù)用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)
工作氣路:2路或3路
轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/混合濺射源
三、多功能鍍膜機(jī)
設(shè)備基本配置:
真空室
工件轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)
真空抽氣系統(tǒng)
工作氣體供氣系統(tǒng)
濺射系統(tǒng):平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統(tǒng)
動(dòng)系統(tǒng)
控制系統(tǒng)
冷卻系統(tǒng)
技術(shù)指標(biāo):
真空室尺寸:φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根據(jù)用戶的要求設(shè)計(jì)成箱式
極限壓力:8×10-4Pa
恢復(fù)真空度時(shí)間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據(jù)用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進(jìn)入裝置:質(zhì)量流量控制器(可選配自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀)
工作氣路:2路或4路
轉(zhuǎn)動(dòng)工件架形式:公 / 自轉(zhuǎn)工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個(gè))/柱狀濺射源(1個(gè))/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源
用途:本設(shè)備應(yīng)用磁控濺射原理,在真空環(huán)境下,在玻璃、陶瓷等非金屬;半導(dǎo)體;金屬基體上制備各種金屬膜、合
金膜、反應(yīng)化合物膜、介質(zhì)膜等等。
四、實(shí)驗(yàn)系列磁控濺射鍍膜機(jī)
技術(shù)指標(biāo):
真空室:φ450×400
極限壓力:5×10-5Pa
工作壓力:1~1.0× 10-2Pa
真空系統(tǒng)主泵:渦輪分子泵
陰極靶數(shù)量:2~5個(gè)
工作氣體控制:質(zhì)量流量控制器,自動(dòng)壓強(qiáng)控制儀
工作氣路:2路或4路
靶電源:直流磁控濺射源(10000W),
中頻電源(10000W),
射頻電源(2000W)。
工件轉(zhuǎn)動(dòng):行星式公自轉(zhuǎn)
工件負(fù)偏壓:/
性能特點(diǎn):磁控靶數(shù)量多,靶材種類變化大,各種參數(shù)變化范圍大,所鍍制膜層有金屬、合金、化合物,可鍍制單
層或多層膜。
五、中頻磁控濺射鍍膜機(jī)
中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是磁控技術(shù)另一新里程碑,是鍍制化合物(氧化物、氮化物、碳化物)系膜的理想設(shè)備,
徹底克服了靶打弧和中毒現(xiàn)象,并具濺射速率快、沈積速率高等優(yōu)點(diǎn),適合鍍制銦錫合金(ITO)、氧化鋁(AL2O3)
、二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等,配置多個(gè)靶及膜厚儀,可鍍制多種多
層膜或合金膜層。
六、射頻磁控濺射鍍膜機(jī)
具有濺射速率高,能鍍?nèi)魏尾牧?導(dǎo)體、半導(dǎo)體和介質(zhì)材料)。在低氣壓下等離子體放電,膜層致密,針孔少。
主要技術(shù)參數(shù)
真空室尺寸:F500´450(mm)
極限真空度:優(yōu)於4´10- 4 Pa (3´10- 6Torr)
濺 射 靶: F 100mm磁控濺射源三只濺
射功率: 直流5千瓦,射頻2千瓦