聚酯膜電容

1.引用標準Reference Standard GB/T 7332（IEC 60384-2）。

2.氣候類別Climatic Category 55/105/21 額定溫度 Rated Temperature 85℃ 。

1.Operating Temperature Range -55℃~105℃；

2.( 85℃ to 105℃：decreasing factor 1.25% per ℃ for VR(dc))；

3.額定電壓Rated Voltage 50/63V、100V、250V、400V、630V；

4.電容量范圍Capacitance Range 0.010μF ~ 10.0μF；

5.電容量偏差Capacitance Tolerance ±5%(J)、±10%(K)；

6.耐電壓Voltage Proof 1.6UR（5s）；

7.損耗角正切Dissipation Factor ≤1.0%（20℃,1kHz）；

8.絕緣電阻Insulation Resistance UR≤100V ≥15 000MΩ, CR≤0.33μF；

9.≥5 000s, CR>0.33μF (20℃,10V, 1min)UR>100V ≥30 000MΩ, CR≤0.33μF；

10.≥10 000s, CR >0.33μF (20℃, 100V,1min) 。

1.金屬化聚酯膜,無感卷繞結構。

2.容量范圍寬，體積小，重量輕。

3.自愈性好，壽命長。

4.阻燃性環(huán)氧粉末包封。

1.適用于直流和VHF級信號的隔直流、旁路和耦合。

2.廣泛用于濾波、低脈沖電路。

聚酯膜電容具有優(yōu)良的力學性能、電性能和光學性能，因此應用范圍非常廣泛，例如，相片底片、磁帶、錄像帶、縮微膠片、包裝膜和電容器等。除了照片底片外，其余都需要加入防粘劑 。

CL11-有感箔式聚酯膜電容器；

CL12-無感箔式聚酯膜電容器；

CL21-無感金屬化聚酯膜電容器；

（其中CL21X為小型化產品）

CL20-金屬化軸向引線聚酯膜電容器；

CBB13-無感箔式聚丙烯膜電容器；

CBB21-無感金屬化聚丙烯膜電容器；

CBB81-膜/箔串聯(lián)式高壓聚丙烯薄膜電容器；

CBB62-交流金屬化聚丙烯薄膜電容器；

（亦稱X電容）

CBB20-金屬化軸向引線聚丙烯膜電容器；

CH11-有感式，聚酯膜/聚丙烯膜復合介質電容器。

由于陶瓷電容器在容量較大時(10000PF以上2類瓷-E、F特性)，其穩(wěn)定性和損耗都變差，在高性能要求的電路上只能選用薄膜電容器，下面將聚酯膜和聚丙烯膜電容器的特性做一對比說明：

1．聚酯膜電容器的特性：

1）體積小，容量大，其中尤以金屬化聚酯膜電容的體積更小。

2）使用溫度范圍較寬：-55C～ 100C。（聚丙烯電容為：-40~ 85C）

3) 正溫度系數(shù)電容

4) 損耗tanδ隨頻率升高而增加較大, 因此不宜用于高頻電路。

2．聚丙烯薄膜電容器的特點：

1) 高頻損耗極低tanδ≤0.1%，（聚酯電容tanδ≤1.0 %）。且在很寬的頻率范圍內損耗變化很小，適合高頻電路使用。（100KHz以內）

2) 較小的負溫度系數(shù)；

3) 絕緣電阻極高（IR≥10 MΩ）；

4) 介電強度高，適合做成高壓薄膜電容器。

綜上所述，聚丙烯電容是一種性能優(yōu)良的非常接近理想電容器的電容，因此，價格也較貴。

3．金屬化薄膜電容器的特點：

金屬化薄膜電容即是在聚酯薄膜的表面蒸鍍一層金屬膜代替金屬箔做為電極，因為金屬化膜層的厚度遠小于金屬箔的厚度，因此卷繞后體積也比金屬箔式電容體積小很多。金屬化膜電容的最大優(yōu)點是“自愈”特性。所謂自愈特性就是假如薄膜介質由于在某點存在缺陷以及在過電壓作用下出現(xiàn)擊穿短路，而擊穿點的金屬化層可在電弧作用下瞬間熔化蒸發(fā)而形成一個很小的無金屬區(qū)，使電容的兩個極片重新相互絕緣而仍能繼續(xù)工作，因此極大提高了電容器工作的可靠性。從原理上分析，金屬化薄膜電容應不存在短路失效的模式，而金屬箔式電容器會出現(xiàn)很多短路失效的現(xiàn)象（如27-PBXXXX-J0X系列）。金屬化薄膜電容器雖有上述巨大的優(yōu)點，但與金屬箔式電容相比，也有如下兩項缺點：

一是容量穩(wěn)定性不如箔式電容器，這是由于金屬化電容在長期工作條件易出現(xiàn)容量丟失以及自愈后均可導致容量減小，因此如在對容量穩(wěn)定度要求很高的振蕩電路使用，應選用金屬箔式電容更好。

另一主要缺點為耐受大電流能力較差，這是由于金屬化膜層比金屬箔要薄很多，承載大電流能力較弱。為改善金屬化薄膜電容器這一缺點，在制造工藝上已有改進的大電流金屬化薄膜電容產品，其主要改善途徑有1）用雙面金屬化薄膜做電極；2）增加金屬化鍍層的厚度；3）端面金屬焊接工藝改良，降低接觸電阻。25”以上CTV用的S校正電容即選用了大電流金屬化薄膜電容，其P/N后綴用“JSX”表示并與“J0X”區(qū)分。

4．膜/箔復合式串聯(lián)結構電容：

此類電容結構為用金屬箔做電極，用金屬化聚酯膜做內部串聯(lián)連接膜構成，此種電容既有鋁箔式電容的大電流特性，又具有金屬化電容的自愈特性，其串聯(lián)結構相當于內部兩個電容串聯(lián)，即等效為： 因此可以成倍提高電容器的耐壓。高壓聚丙烯電容CBB81系列即為此種結構，廣泛用于TV和MONITOR的行逆程電路上。

5．X2交流薄膜電容器

該類電容用于整機X電路做抑制電源電磁干擾用途，工作于工頻交流電路，該電容不允許出現(xiàn)由于電源異常波動而導致的短路及起火等失效模式。該電容在工藝結構上為低熔點的鋁鋅金屬化膜層，并采用符合阻燃性能達到UL94/V-0級標準的環(huán)氧樹脂及塑料殼包封，因此可保證在瞬間擊穿時有極快的自愈特性和阻燃特性。所以在電源抑制干擾電路必須使用經過國家法定認證機構安規(guī)認證的交流薄膜電容，而不能使用直流型電容器 。