非統(tǒng)一內(nèi)存訪問架構(gòu)(英語(yǔ):Non-uniform memory access,簡(jiǎn)稱NUMA)是一種為多處理器的電腦設(shè)計(jì)的內(nèi)存,內(nèi)存訪問時(shí)間取決于內(nèi)存相對(duì)于處理器的位置。在NUMA下,處理器訪問它自己的本地內(nèi)存的速度比非本地內(nèi)存(內(nèi)存位于另一個(gè)處理器,或者是處理器之間共享的內(nèi)存)快一些。
非統(tǒng)一內(nèi)存訪問架構(gòu)的特點(diǎn)是:被共享的內(nèi)存物理上是分布式的,所有這些內(nèi)存的集合就是全局地址空間。所以處理器訪問這些內(nèi)存的時(shí)間是不一樣的,顯然訪問本地內(nèi)存的速度要比訪問全局共享內(nèi)存或遠(yuǎn)程訪問外地內(nèi)存要快些。另外,NUMA中內(nèi)存可能是分層的:本地內(nèi)存,群內(nèi)共享內(nèi)存,全局共享內(nèi)存。
NUMA架構(gòu)在邏輯上遵循對(duì)稱多處理(SMP)架構(gòu)。它是在二十世紀(jì)九十年代被開發(fā)出來的,開發(fā)商包括Burruphs(后來的優(yōu)利系統(tǒng)),Convex Computer(后來的惠普),意大利霍尼韋爾信息系統(tǒng)(HISI)(后來的Group Bull),Silicon Graphics公司(后來的硅谷圖形),Sequent電腦系統(tǒng)(后來的IBM),通用數(shù)據(jù)(EMC),Digital(后來的Compaq,現(xiàn)惠普)。這些公司研發(fā)的技術(shù)后來在類Unix操作系統(tǒng)中大放異彩,并在一定程度上運(yùn)用到了Windows NT中。
首個(gè)基于NUMA的Unix系統(tǒng)商業(yè)化實(shí)現(xiàn)是對(duì)稱多處理XPS-100系列服務(wù)器,它是由VAST公司的Dan Gielen為HISI設(shè)計(jì)。這個(gè)架構(gòu)的巨大成功使HISI成為了歐洲的頂級(jí)Unix廠商。
一致性高速緩存非均勻存儲(chǔ)訪問模型(CC-NUMA):它最大的特點(diǎn)是,每一個(gè)節(jié)點(diǎn)是一個(gè)對(duì)稱多處理機(jī)(SMP),實(shí)際上是一個(gè)分布式共享存儲(chǔ)處理機(jī)(DSM)多處理機(jī)系統(tǒng)。在商業(yè)中,大多數(shù)訪存都在本地內(nèi)存中進(jìn)行,而網(wǎng)絡(luò)上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)大多是用于高速緩存的無效性。
AMD推廣異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(Heterogeneous System Architecture)時(shí),提出了出hUMA(heterogenous UMA)。hUMA允許CPU和GPU共享系統(tǒng)內(nèi)存,讓GPU更有效執(zhí)行通用運(yùn)算GPGPU(General-purpose computing on graphics processing unit)。
對(duì)稱多處理機(jī)(SMP);
非對(duì)稱多處理機(jī):和對(duì)稱處理機(jī)不同的是,這種處理機(jī)中處理器有主從之分,主處理器可以操縱I/O 并執(zhí)行操作系統(tǒng)代碼,可以監(jiān)控從處理器執(zhí)行用戶進(jìn)程,但是從處理器則不行,只能受主處理器的監(jiān)視。
2018已經(jīng)下架了沒有程序可以共享了可以找官方客服或者是分支索取
簡(jiǎn)述什么是瀑布模型,V模型,原型模型,增量模型,螺旋模型
瀑布模型:將軟件生命周期劃分為制訂計(jì)劃、需求分析、軟件設(shè)計(jì)、程序編寫、軟件測(cè)試和運(yùn)行維護(hù)等六個(gè)基本活動(dòng),并且規(guī)定了他們自上而下、相互銜接的固定次序,如同瀑布流水,逐級(jí)下落。其優(yōu)點(diǎn)是:可以規(guī)范化過程,有...
如果你 也建了模型,可以用 軟件對(duì)比 。
對(duì)稱多處理(英語(yǔ):Symmetric multiprocessing,縮寫為 SMP),也譯為均衡多處理、對(duì)稱性多重處理,是一種多處理器的電腦硬件架構(gòu),在對(duì)稱多處理架構(gòu)下,每個(gè)處理器的地位都是平等的,對(duì)資源的使用權(quán)限相同。現(xiàn)代多數(shù)的多處理器系統(tǒng),都采用對(duì)稱多處理架構(gòu),也被稱為對(duì)稱多處理系統(tǒng)(Symmetric multiprocessing system)。在這個(gè)系統(tǒng)中,擁有超過一個(gè)以上的處理器,這些處理器都連接到同一個(gè)共享的主存上,并由單一操作系統(tǒng)來控制。在多核心處理器的例子中,對(duì)稱多處理架構(gòu),將每一個(gè)核心都當(dāng)成是獨(dú)立的處理器。
在對(duì)稱多處理系統(tǒng)上,在操作系統(tǒng)的支持下,無論進(jìn)程是處于用戶空間,或是核心空間,都可以分配到任何一個(gè)處理器上運(yùn)行。因此,進(jìn)程可以在不同的處理器間移動(dòng),達(dá)到負(fù)載平衡,使系統(tǒng)的效率提升。
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非均勻流有壓泄水建筑物(如倒虹吸管),作模型試驗(yàn)時(shí),接均勻流確定比尺,致使模型尺寸偏大,不但影響試驗(yàn)的正確性,而且制模和試驗(yàn)費(fèi)用較高。本文考慮了局部阻力的影響,用當(dāng)量粗糙度的方法確定比尺,使試驗(yàn)合理,且因所制模型尺寸較小,制作模型和試驗(yàn)費(fèi)用降低。
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非均勻流有壓泄水建筑物(如倒虹吸管),作模型試驗(yàn)時(shí),接均勻流確定比尺,致使模型尺寸偏大,不但影響試驗(yàn)的正確性,而且制模和試驗(yàn)費(fèi)用較高。本文考慮了局部阻力的影響,用當(dāng)量粗糙度的方法確定比尺,使試驗(yàn)合理,且因所制模型尺寸較小,制作模型和試驗(yàn)費(fèi)用降低。
下面介紹幾種常見存物柜:
投幣式機(jī)械自動(dòng)存物柜 ,這種存包柜是1999年由深圳億家福公司最先引入中國(guó)大陸的。使用范圍有:超市,圖書館,海濱浴場(chǎng)等
l 傻瓜型非接觸卡長(zhǎng)效存物柜:用于小區(qū)信報(bào)管理、員工更衣柜、租賃柜等。也用于有人員職守的公共場(chǎng)合,如:網(wǎng)吧、旅館、浴池。
l 一次有效掃卡存取存物柜:利用員工卡掃描存取、利用學(xué)生卡掃描存取、利用會(huì)員卡掃描存取。
l 異型卡、鑰匙型卡存物柜:用于洗浴更衣、桑拿更衣、員工更衣等。
投幣收費(fèi)收發(fā)卡型電子存物柜:用于車站、碼頭、公共場(chǎng)合募捐等。
調(diào)節(jié)輥距的目的是為了適應(yīng)不同厚度制品的要求,也是為了改變存料量。壓延機(jī)的輥距,除最后一道與產(chǎn)品厚度大致相等之外,其它各道都比這個(gè)數(shù)值要大,而且按壓延機(jī)輥筒的排列次序自下而上逐漸增加,借以使輥筒間隙中有少量存料,輥隙存料在壓延成型中起儲(chǔ)備.補(bǔ)充和進(jìn)一步塑化的作用。存料的多少與存料旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)宜接影響產(chǎn)品質(zhì)量。存料過多,薄膜表面出現(xiàn)毛糙和云紋,并容易產(chǎn)生氣泡。在硬片生產(chǎn)中還會(huì)出現(xiàn)冷疤。此外,存料過多對(duì)設(shè)備也不利,因?yàn)樵黾恿溯佂驳呢?fù)荷。若存料過少,則因壓力不足造成薄膜表面毛糙。如在硬片中會(huì)出現(xiàn)變形孔洞。存料過少通常容易引起邊料的斷裂,以致不易牽致壓延機(jī)再用。存旋轉(zhuǎn)也不佳,會(huì)使產(chǎn)品橫向厚度不均勻,薄膜有氣泡,硬片有冷疤。存料旋轉(zhuǎn)不好的原因在于料溫太低,輥筒溫度也低或輥距調(diào)節(jié)不當(dāng),所以綜上所述可知輥隙存料是壓延操作中需要經(jīng)常觀察和調(diào)節(jié)的。2100433B
只要有電荷存在的地方,其周圍就一定存在電場(chǎng),通過電磁感應(yīng)就可能對(duì)人體或設(shè)備帶電。因此,帶電作業(yè)必須了解電場(chǎng)基本知識(shí),加強(qiáng)防護(hù)措施。
根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度的均勻程度,電場(chǎng)可以分為均勻電場(chǎng)與不均勻電場(chǎng)。
在均勻電場(chǎng)中,各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小,方向都相同,如圖2 (a)所示平板電容器中間 部分的電場(chǎng)即為均勻電場(chǎng)。上述情況以外的電場(chǎng)都是不均勻電場(chǎng);按不均勻程度的差別,又可分為稍不均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)。稍不均勻電場(chǎng)如球距不大于球的直徑的球間隙電場(chǎng),如圖2(b)所示,極不均勻電場(chǎng)如棒一板間隙電場(chǎng)及棒一棒間隙電場(chǎng),如圖2(c)、(d)所示。棒一棒間隙電場(chǎng)屬于對(duì)稱的稍不均勻電場(chǎng),棒一板間隙電場(chǎng)則屬于不對(duì)稱的不均勻電場(chǎng)。前者比后者稍均勻些。
分析絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí),不僅要考慮絕緣距離,而且還要考慮電場(chǎng)不均勻程度的影響。對(duì)于同樣距離的間隙,電場(chǎng)愈不均勻,通常擊穿電壓愈低。電氣設(shè)備中的電場(chǎng)大多為不均勻電場(chǎng),為了提高絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿電壓,必須設(shè)法減小電場(chǎng)的不均勻程度。
電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度與其表面的電荷密度成正比。在電極的尖端或邊緣,如圖2(a)及(e)所示,由于曲率半徑小,表面電荷密度大,電力線密集,電場(chǎng)強(qiáng)度高,容易發(fā)生局部放電。這種現(xiàn)象稱為尖端效應(yīng)或邊緣效應(yīng)。電極的邊緣或尖端是造成極不均勻電場(chǎng)的重要原因,所以工程上常需要改善電極形狀,避免電極表面曲率半徑過小或出現(xiàn)尖角 。
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