均勻訪存模型實(shí)例

1. 對(duì)稱多處理機(jī)(SMP)；

2. 非對(duì)稱多處理機(jī)：和對(duì)稱處理機(jī)不同的是，這種處理機(jī)中處理器有主從之分，主處理器可以操縱I/O 并執(zhí)行操作系統(tǒng)代碼，可以監(jiān)控從處理器執(zhí)行用戶進(jìn)程，但是從處理器則不行，只能受主處理器的監(jiān)視。

AMD推廣異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)（Heterogeneous System Architecture）時(shí)，提出了出hUMA（heterogenous UMA）。hUMA允許CPU和GPU共享系統(tǒng)內(nèi)存，讓GPU更有效執(zhí)行通用運(yùn)算GPGPU（General-purpose computing on graphics processing unit）。

非統(tǒng)一內(nèi)存訪問(wèn)架構(gòu)（英語(yǔ)：Non-uniform memory access，簡(jiǎn)稱NUMA）是一種為多處理器的電腦設(shè)計(jì)的內(nèi)存，內(nèi)存訪問(wèn)時(shí)間取決于內(nèi)存相對(duì)于處理器的位置。在NUMA下，處理器訪問(wèn)它自己的本地內(nèi)存的速度比非本地內(nèi)存（內(nèi)存位于另一個(gè)處理器，或者是處理器之間共享的內(nèi)存）快一些。

非統(tǒng)一內(nèi)存訪問(wèn)架構(gòu)的特點(diǎn)是：被共享的內(nèi)存物理上是分布式的，所有這些內(nèi)存的集合就是全局地址空間。所以處理器訪問(wèn)這些內(nèi)存的時(shí)間是不一樣的，顯然訪問(wèn)本地內(nèi)存的速度要比訪問(wèn)全局共享內(nèi)存或遠(yuǎn)程訪問(wèn)外地內(nèi)存要快些。另外，NUMA中內(nèi)存可能是分層的：本地內(nèi)存，群內(nèi)共享內(nèi)存，全局共享內(nèi)存。

NUMA架構(gòu)在邏輯上遵循對(duì)稱多處理（SMP）架構(gòu)。它是在二十世紀(jì)九十年代被開(kāi)發(fā)出來(lái)的，開(kāi)發(fā)商包括Burruphs（后來(lái)的優(yōu)利系統(tǒng)），Convex Computer（后來(lái)的惠普），意大利霍尼韋爾信息系統(tǒng)（HISI）（后來(lái)的Group Bull），Silicon Graphics公司（后來(lái)的硅谷圖形），Sequent電腦系統(tǒng)（后來(lái)的IBM），通用數(shù)據(jù)（EMC），Digital（后來(lái)的Compaq，現(xiàn)惠普）。這些公司研發(fā)的技術(shù)后來(lái)在類Unix操作系統(tǒng)中大放異彩，并在一定程度上運(yùn)用到了Windows NT中。

首個(gè)基于NUMA的Unix系統(tǒng)商業(yè)化實(shí)現(xiàn)是對(duì)稱多處理XPS-100系列服務(wù)器，它是由VAST公司的Dan Gielen為HISI設(shè)計(jì)。這個(gè)架構(gòu)的巨大成功使HISI成為了歐洲的頂級(jí)Unix廠商。

一致性高速緩存非均勻存儲(chǔ)訪問(wèn)模型（CC-NUMA）：它最大的特點(diǎn)是，每一個(gè)節(jié)點(diǎn)是一個(gè)對(duì)稱多處理機(jī)（SMP），實(shí)際上是一個(gè)分布式共享存儲(chǔ)處理機(jī)(DSM)多處理機(jī)系統(tǒng)。在商業(yè)中，大多數(shù)訪存都在本地內(nèi)存中進(jìn)行，而網(wǎng)絡(luò)上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)大多是用于高速緩存的無(wú)效性。

對(duì)稱多處理（英語(yǔ)：Symmetric multiprocessing，縮寫為 SMP），也譯為均衡多處理、對(duì)稱性多重處理，是一種多處理器的電腦硬件架構(gòu)，在對(duì)稱多處理架構(gòu)下，每個(gè)處理器的地位都是平等的，對(duì)資源的使用權(quán)限相同?，F(xiàn)代多數(shù)的多處理器系統(tǒng)，都采用對(duì)稱多處理架構(gòu)，也被稱為對(duì)稱多處理系統(tǒng)（Symmetric multiprocessing system）。在這個(gè)系統(tǒng)中，擁有超過(guò)一個(gè)以上的處理器，這些處理器都連接到同一個(gè)共享的主存上，并由單一操作系統(tǒng)來(lái)控制。在多核心處理器的例子中，對(duì)稱多處理架構(gòu)，將每一個(gè)核心都當(dāng)成是獨(dú)立的處理器。

在對(duì)稱多處理系統(tǒng)上，在操作系統(tǒng)的支持下，無(wú)論進(jìn)程是處于用戶空間，或是核心空間，都可以分配到任何一個(gè)處理器上運(yùn)行。因此，進(jìn)程可以在不同的處理器間移動(dòng)，達(dá)到負(fù)載平衡，使系統(tǒng)的效率提升。

下面介紹幾種常見(jiàn)存物柜：

投幣式機(jī)械自動(dòng)存物柜 ，這種存包柜是1999年由深圳億家福公司最先引入中國(guó)大陸的。使用范圍有：超市，圖書館，海濱浴場(chǎng)等

l 傻瓜型非接觸卡長(zhǎng)效存物柜：用于小區(qū)信報(bào)管理、員工更衣柜、租賃柜等。也用于有人員職守的公共場(chǎng)合，如：網(wǎng)吧、旅館、浴池。

l 一次有效掃卡存取存物柜：利用員工卡掃描存取、利用學(xué)生卡掃描存取、利用會(huì)員卡掃描存取。

l 異型卡、鑰匙型卡存物柜：用于洗浴更衣、桑拿更衣、員工更衣等。

投幣收費(fèi)收發(fā)卡型電子存物柜：用于車站、碼頭、公共場(chǎng)合募捐等。

調(diào)節(jié)輥距的目的是為了適應(yīng)不同厚度制品的要求，也是為了改變存料量。壓延機(jī)的輥距，除最后一道與產(chǎn)品厚度大致相等之外，其它各道都比這個(gè)數(shù)值要大，而且按壓延機(jī)輥筒的排列次序自下而上逐漸增加，借以使輥筒間隙中有少量存料，輥隙存料在壓延成型中起儲(chǔ)備．補(bǔ)充和進(jìn)一步塑化的作用。存料的多少與存料旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)宜接影響產(chǎn)品質(zhì)量。存料過(guò)多，薄膜表面出現(xiàn)毛糙和云紋，并容易產(chǎn)生氣泡。在硬片生產(chǎn)中還會(huì)出現(xiàn)冷疤。此外，存料過(guò)多對(duì)設(shè)備也不利，因?yàn)樵黾恿溯佂驳呢?fù)荷。若存料過(guò)少，則因壓力不足造成薄膜表面毛糙。如在硬片中會(huì)出現(xiàn)變形孔洞。存料過(guò)少通常容易引起邊料的斷裂，以致不易牽致壓延機(jī)再用。存旋轉(zhuǎn)也不佳，會(huì)使產(chǎn)品橫向厚度不均勻，薄膜有氣泡，硬片有冷疤。存料旋轉(zhuǎn)不好的原因在于料溫太低，輥筒溫度也低或輥距調(diào)節(jié)不當(dāng)，所以綜上所述可知輥隙存料是壓延操作中需要經(jīng)常觀察和調(diào)節(jié)的。2100433B

只要有電荷存在的地方，其周圍就一定存在電場(chǎng)，通過(guò)電磁感應(yīng)就可能對(duì)人體或設(shè)備帶電。因此，帶電作業(yè)必須了解電場(chǎng)基本知識(shí)，加強(qiáng)防護(hù)措施。

根據(jù)電場(chǎng)強(qiáng)度的均勻程度，電場(chǎng)可以分為均勻電場(chǎng)與不均勻電場(chǎng)。

在均勻電場(chǎng)中，各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小，方向都相同，如圖2 (a)所示平板電容器中間 部分的電場(chǎng)即為均勻電場(chǎng)。上述情況以外的電場(chǎng)都是不均勻電場(chǎng)；按不均勻程度的差別，又可分為稍不均勻電場(chǎng)和極不均勻電場(chǎng)。稍不均勻電場(chǎng)如球距不大于球的直徑的球間隙電場(chǎng)，如圖2(b)所示，極不均勻電場(chǎng)如棒一板間隙電場(chǎng)及棒一棒間隙電場(chǎng)，如圖2(c)、（d)所示。棒一棒間隙電場(chǎng)屬于對(duì)稱的稍不均勻電場(chǎng)，棒一板間隙電場(chǎng)則屬于不對(duì)稱的不均勻電場(chǎng)。前者比后者稍均勻些。

分析絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿時(shí)，不僅要考慮絕緣距離，而且還要考慮電場(chǎng)不均勻程度的影響。對(duì)于同樣距離的間隙，電場(chǎng)愈不均勻，通常擊穿電壓愈低。電氣設(shè)備中的電場(chǎng)大多為不均勻電場(chǎng)，為了提高絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿電壓，必須設(shè)法減小電場(chǎng)的不均勻程度。

電極表面的電場(chǎng)強(qiáng)度與其表面的電荷密度成正比。在電極的尖端或邊緣，如圖2(a)及（e)所示，由于曲率半徑小，表面電荷密度大，電力線密集，電場(chǎng)強(qiáng)度高，容易發(fā)生局部放電。這種現(xiàn)象稱為尖端效應(yīng)或邊緣效應(yīng)。電極的邊緣或尖端是造成極不均勻電場(chǎng)的重要原因，所以工程上常需要改善電極形狀，避免電極表面曲率半徑過(guò)小或出現(xiàn)尖角 。

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