AMD推廣異構(gòu)系統(tǒng)架構(gòu)(Heterogeneous System Architecture)時,提出了出hUMA(heterogenous UMA)。hUMA允許CPU和GPU共享系統(tǒng)內(nèi)存,讓GPU更有效執(zhí)行通用運(yùn)算GPGPU(General-purpose computing on graphics processing unit)。
對稱多處理機(jī)(SMP);
非對稱多處理機(jī):和對稱處理機(jī)不同的是,這種處理機(jī)中處理器有主從之分,主處理器可以操縱I/O 并執(zhí)行操作系統(tǒng)代碼,可以監(jiān)控從處理器執(zhí)行用戶進(jìn)程,但是從處理器則不行,只能受主處理器的監(jiān)視。
非統(tǒng)一內(nèi)存訪問架構(gòu)(英語:Non-uniform memory access,簡稱NUMA)是一種為多處理器的電腦設(shè)計的內(nèi)存,內(nèi)存訪問時間取決于內(nèi)存相對于處理器的位置。在NUMA下,處理器訪問它自己的本地內(nèi)存的速度比非本地內(nèi)存(內(nèi)存位于另一個處理器,或者是處理器之間共享的內(nèi)存)快一些。
非統(tǒng)一內(nèi)存訪問架構(gòu)的特點是:被共享的內(nèi)存物理上是分布式的,所有這些內(nèi)存的集合就是全局地址空間。所以處理器訪問這些內(nèi)存的時間是不一樣的,顯然訪問本地內(nèi)存的速度要比訪問全局共享內(nèi)存或遠(yuǎn)程訪問外地內(nèi)存要快些。另外,NUMA中內(nèi)存可能是分層的:本地內(nèi)存,群內(nèi)共享內(nèi)存,全局共享內(nèi)存。
NUMA架構(gòu)在邏輯上遵循對稱多處理(SMP)架構(gòu)。它是在二十世紀(jì)九十年代被開發(fā)出來的,開發(fā)商包括Burruphs(后來的優(yōu)利系統(tǒng)),Convex Computer(后來的惠普),意大利霍尼韋爾信息系統(tǒng)(HISI)(后來的Group Bull),Silicon Graphics公司(后來的硅谷圖形),Sequent電腦系統(tǒng)(后來的IBM),通用數(shù)據(jù)(EMC),Digital(后來的Compaq,現(xiàn)惠普)。這些公司研發(fā)的技術(shù)后來在類Unix操作系統(tǒng)中大放異彩,并在一定程度上運(yùn)用到了Windows NT中。
首個基于NUMA的Unix系統(tǒng)商業(yè)化實現(xiàn)是對稱多處理XPS-100系列服務(wù)器,它是由VAST公司的Dan Gielen為HISI設(shè)計。這個架構(gòu)的巨大成功使HISI成為了歐洲的頂級Unix廠商。
一致性高速緩存非均勻存儲訪問模型(CC-NUMA):它最大的特點是,每一個節(jié)點是一個對稱多處理機(jī)(SMP),實際上是一個分布式共享存儲處理機(jī)(DSM)多處理機(jī)系統(tǒng)。在商業(yè)中,大多數(shù)訪存都在本地內(nèi)存中進(jìn)行,而網(wǎng)絡(luò)上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)大多是用于高速緩存的無效性。
面片樹要么直接用PNG圖片做,要么導(dǎo)入圖片做材質(zhì),然后適當(dāng)勾畫、刪除。雕塑就復(fù)雜了,一般都是找MAX模型轉(zhuǎn)換而來。當(dāng)然也看你的工作對模型精細(xì)程度要求怎樣。
樓主在什么地方下的???給你個鏈接吧,google sketchup官網(wǎng)的下載地址http://sketchup.google.com/3dwarehouse/?hl=en&ct=lc右上角可以選擇語言...
偷偷告訴你,如果不是你su軟件版本有問題的話,你可以試一試先打開su,到你的窗口-使用偏好-概要里面把自動檢測模型錯誤,自動檢測這兩項關(guān)閉,一般情況下會解決問題。不管怎么樣這個回答也幫不上你什么忙了,...
對稱多處理(英語:Symmetric multiprocessing,縮寫為 SMP),也譯為均衡多處理、對稱性多重處理,是一種多處理器的電腦硬件架構(gòu),在對稱多處理架構(gòu)下,每個處理器的地位都是平等的,對資源的使用權(quán)限相同。現(xiàn)代多數(shù)的多處理器系統(tǒng),都采用對稱多處理架構(gòu),也被稱為對稱多處理系統(tǒng)(Symmetric multiprocessing system)。在這個系統(tǒng)中,擁有超過一個以上的處理器,這些處理器都連接到同一個共享的主存上,并由單一操作系統(tǒng)來控制。在多核心處理器的例子中,對稱多處理架構(gòu),將每一個核心都當(dāng)成是獨(dú)立的處理器。
在對稱多處理系統(tǒng)上,在操作系統(tǒng)的支持下,無論進(jìn)程是處于用戶空間,或是核心空間,都可以分配到任何一個處理器上運(yùn)行。因此,進(jìn)程可以在不同的處理器間移動,達(dá)到負(fù)載平衡,使系統(tǒng)的效率提升。
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針對建筑垃圾產(chǎn)量統(tǒng)計偏差大、數(shù)據(jù)不全面的現(xiàn)象,運(yùn)用灰色理論建立了建筑垃圾產(chǎn)量的灰色Verhulst預(yù)測模型,對沈陽市未來5年建筑垃圾產(chǎn)量進(jìn)行了預(yù)測。與GM(1,1)預(yù)測模型相比較,發(fā)現(xiàn)灰色Verhulst模型可以滿足\"優(yōu)\"的精確度要求,并且能夠更加合理地反映建筑垃圾產(chǎn)量變化趨勢,因此該模型可以用于預(yù)測建筑垃圾的產(chǎn)量。
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針對經(jīng)典Verhulst模型背景值建模機(jī)理的不嚴(yán)密和初始值設(shè)定的不科學(xué)性,該文給出了灰導(dǎo)數(shù)改進(jìn)模型及模型參數(shù)的最優(yōu)估計式。采用原始數(shù)據(jù)一次累加與其擬合值的殘差平方和最小作為約束準(zhǔn)則,推導(dǎo)出虛擬初始值的計算公式,建立了無須設(shè)定初始值約束的優(yōu)化模型。以南水北調(diào)工程沉降監(jiān)測實例,比較了在3種背景值構(gòu)造方法和兩種初始值約束條件下的預(yù)測精度。結(jié)果表明,該文提出的初始值優(yōu)化模型與灰導(dǎo)數(shù)法構(gòu)造背景值,所得殘差的平方和最小,從而驗證了優(yōu)化模型的可行性,為沉降監(jiān)測中長期預(yù)報建模提供了合理的解決方案。
下面介紹幾種常見存物柜:
投幣式機(jī)械自動存物柜 ,這種存包柜是1999年由深圳億家福公司最先引入中國大陸的。使用范圍有:超市,圖書館,海濱浴場等
l 傻瓜型非接觸卡長效存物柜:用于小區(qū)信報管理、員工更衣柜、租賃柜等。也用于有人員職守的公共場合,如:網(wǎng)吧、旅館、浴池。
l 一次有效掃卡存取存物柜:利用員工卡掃描存取、利用學(xué)生卡掃描存取、利用會員卡掃描存取。
l 異型卡、鑰匙型卡存物柜:用于洗浴更衣、桑拿更衣、員工更衣等。
投幣收費(fèi)收發(fā)卡型電子存物柜:用于車站、碼頭、公共場合募捐等。
調(diào)節(jié)輥距的目的是為了適應(yīng)不同厚度制品的要求,也是為了改變存料量。壓延機(jī)的輥距,除最后一道與產(chǎn)品厚度大致相等之外,其它各道都比這個數(shù)值要大,而且按壓延機(jī)輥筒的排列次序自下而上逐漸增加,借以使輥筒間隙中有少量存料,輥隙存料在壓延成型中起儲備.補(bǔ)充和進(jìn)一步塑化的作用。存料的多少與存料旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)宜接影響產(chǎn)品質(zhì)量。存料過多,薄膜表面出現(xiàn)毛糙和云紋,并容易產(chǎn)生氣泡。在硬片生產(chǎn)中還會出現(xiàn)冷疤。此外,存料過多對設(shè)備也不利,因為增加了輥筒的負(fù)荷。若存料過少,則因壓力不足造成薄膜表面毛糙。如在硬片中會出現(xiàn)變形孔洞。存料過少通常容易引起邊料的斷裂,以致不易牽致壓延機(jī)再用。存旋轉(zhuǎn)也不佳,會使產(chǎn)品橫向厚度不均勻,薄膜有氣泡,硬片有冷疤。存料旋轉(zhuǎn)不好的原因在于料溫太低,輥筒溫度也低或輥距調(diào)節(jié)不當(dāng),所以綜上所述可知輥隙存料是壓延操作中需要經(jīng)常觀察和調(diào)節(jié)的。2100433B
只要有電荷存在的地方,其周圍就一定存在電場,通過電磁感應(yīng)就可能對人體或設(shè)備帶電。因此,帶電作業(yè)必須了解電場基本知識,加強(qiáng)防護(hù)措施。
根據(jù)電場強(qiáng)度的均勻程度,電場可以分為均勻電場與不均勻電場。
在均勻電場中,各點的電場強(qiáng)度的大小,方向都相同,如圖2 (a)所示平板電容器中間 部分的電場即為均勻電場。上述情況以外的電場都是不均勻電場;按不均勻程度的差別,又可分為稍不均勻電場和極不均勻電場。稍不均勻電場如球距不大于球的直徑的球間隙電場,如圖2(b)所示,極不均勻電場如棒一板間隙電場及棒一棒間隙電場,如圖2(c)、(d)所示。棒一棒間隙電場屬于對稱的稍不均勻電場,棒一板間隙電場則屬于不對稱的不均勻電場。前者比后者稍均勻些。
分析絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿時,不僅要考慮絕緣距離,而且還要考慮電場不均勻程度的影響。對于同樣距離的間隙,電場愈不均勻,通常擊穿電壓愈低。電氣設(shè)備中的電場大多為不均勻電場,為了提高絕緣結(jié)構(gòu)的擊穿電壓,必須設(shè)法減小電場的不均勻程度。
電極表面的電場強(qiáng)度與其表面的電荷密度成正比。在電極的尖端或邊緣,如圖2(a)及(e)所示,由于曲率半徑小,表面電荷密度大,電力線密集,電場強(qiáng)度高,容易發(fā)生局部放電。這種現(xiàn)象稱為尖端效應(yīng)或邊緣效應(yīng)。電極的邊緣或尖端是造成極不均勻電場的重要原因,所以工程上常需要改善電極形狀,避免電極表面曲率半徑過小或出現(xiàn)尖角 。
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