一、作用:可控的導(dǎo)電開(kāi)關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件,可控硅是其簡(jiǎn)稱,按其工作特性,可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)??煽毓枰卜Q作晶閘管,它是由...
一、晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)...
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晶閘管整流裝置 技 術(shù) 協(xié)議 書(shū) 二 00七年十二月 第 1頁(yè) 共 28頁(yè) 附件 1技術(shù)規(guī)范 一、總則 1. 本技術(shù)協(xié)議書(shū)適用于鋁硅鈦合金示范項(xiàng)目五套整流器及其附屬設(shè)備的設(shè)計(jì)、 制造、試驗(yàn)、包裝、運(yùn)輸、交貨、現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)收等方面的技術(shù)要求及相關(guān)的伴隨服 務(wù),供方應(yīng)按照本技術(shù)協(xié)議書(shū)中所述條款,在工程設(shè)計(jì)、制造、驗(yàn)收和培訓(xùn)等 方面為需方提供滿意的服務(wù)。 2.供方應(yīng)完全遵從技術(shù)協(xié)議書(shū)的要求為需方提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù)。 3.本技術(shù)協(xié)議中所采用的標(biāo)準(zhǔn)如與現(xiàn)行國(guó)標(biāo)或 IEC標(biāo)準(zhǔn)中的技術(shù)要求不一致時(shí), 應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。 4.整流器與變壓器之間的配合問(wèn)題,由需方協(xié)調(diào)設(shè)計(jì)單位、整流柜制造廠、變 壓器制造廠進(jìn)行圖紙配合。 二、使用條件 1、環(huán)境條件: (1)年平均溫度 6.6 ℃ (2)最冷月平均溫度及濕度 -13.0 ℃ (3)最熱月平均溫度及濕度 21.
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為深入研究IGCT的關(guān)斷特性,該文基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果,建立了IGCT關(guān)斷過(guò)程中,流過(guò)IGCT電流的波形的數(shù)學(xué)模型,在此基礎(chǔ)上進(jìn)而提出用微分方程研究電路中IGCT關(guān)斷特性的方法。為驗(yàn)證該方法的有效性,以建立的IGCT關(guān)斷過(guò)程電流波形數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)。該文建立基于斬波電路的IGCT關(guān)斷暫態(tài)特性的數(shù)學(xué)模型。該模型充分考慮IGCT阻容吸收回路、線路雜散電感及限流電抗器對(duì)IGCT關(guān)斷暫態(tài)過(guò)電壓的影響。數(shù)值仿真及試驗(yàn)結(jié)果表明,該模型能夠較好地反映IGCT關(guān)斷過(guò)程中的暫態(tài)特性。
快速晶閘管
fast switching thyristor
GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是門(mén)極可關(guān)斷晶閘管的簡(jiǎn)稱,他是晶閘管的一個(gè)衍生器件。但可以通過(guò)門(mén)極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷,他是全控型器件。
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開(kāi)關(guān)過(guò)程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來(lái),也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬(wàn)計(jì)的MCT元組成,每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管,一個(gè)控制該晶閘管開(kāi)通的MOSFET,和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開(kāi)關(guān)速度超高GTR,開(kāi)關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀(jì)80年代以來(lái)一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過(guò)十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題沒(méi)有大的突破,電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。