晶閘管投切電容器thyristorswitchedcapacitor,TSC
Jingzhaguontouq}edI0nrongqi.用管投切電容器(thyristorswitchedcaPac-itor,TSC)靜止無功補(bǔ)償裝里.晶閘管閥用于電容器的投切操作.該裝t提供的容性電流只能分級(jí)調(diào)整.常與固定電抗器或晶閘管控制的電抗器、晶閘管控制的變壓器、飽和電抗器配合在一起使用,以使系統(tǒng)能連續(xù)控制物出電流并使系統(tǒng)的工作范圍能擴(kuò)大到感性區(qū)。其主要優(yōu)點(diǎn)是:①投切速度快;②投切操作時(shí)對(duì)系統(tǒng)的沖擊電流小,③有功損耗小;④不產(chǎn)生商次諧波電流。主要缺點(diǎn)是:①向系統(tǒng)提供的無功電流只能作級(jí)差變化不能平滑調(diào)節(jié);②正常斷開后晶閘管閥所承受的電壓比TCR閥要高出一倍;③有時(shí)發(fā)生諧波放大,影響正常工作。工作原理其結(jié)構(gòu)如圖所示.其中限流電抗器的作用是限制電容器投人時(shí)的暫態(tài)涌流和降低主電路的電流上升率,限流電抗器的感抗值約為容抗值的百分之幾.在電源電壓瞬時(shí)值最大時(shí),晶閘管閥接受來自控制器發(fā)來的觸發(fā)脈沖而導(dǎo)通,使電容器在電流過零時(shí)開始通電,此電流半波將在電容電流再次回零時(shí)由晶閘管閥自然關(guān)斷。由于TSC控制器每隔半周波便輪流向晶閘管閥兩個(gè)方向的晶悶管發(fā)出整個(gè)半周波全導(dǎo)通的觸發(fā)脈沖,所以電容器中流過的電流為連續(xù)正弦波,不含諧波分量。廠尸石「萬氣.丁-一十'矛'幣TSC結(jié)構(gòu)示意圖l一電容器組;2一晶閘管閱;3一限流電杭尋性能比較晶閘管投切電容器型靜止無功補(bǔ)償裝!與用斷路器分組投切(BSC)方式的技術(shù)性能比較如下表。用途TSC適用于主要要求補(bǔ)償感性無功功率且有沖擊性負(fù)荷的工業(yè)用戶,用于電力系統(tǒng)需要快速響應(yīng),如增加系統(tǒng)對(duì)功率振蕩阻尼、電壓控制的場(chǎng)合。當(dāng)需要較頻繁地投切補(bǔ)償電容器而機(jī)械投切設(shè)備又不能滿足這種要求時(shí),TSC常常成為首選。TSC也常與TCR或其它種類的補(bǔ)償設(shè)備配套使用.發(fā)展概況第一套大型TSC工業(yè)裝里是1972年由瑞典原ASEA公司制造的,容量為60Mvar,安裝在瑞典的一家鋼鐵廠,用于電弧爐功率因數(shù)補(bǔ)償,提高母線電壓的穩(wěn)定度,晶閘管閥的傾定電壓是20kV。1980年ASEA公司又首次把TSC與TCR組配應(yīng)用,用于南非ESCOM公司平衡由于單相電氣化鐵路負(fù)荷引起的三相電壓不對(duì)稱問題。中國在平頂山至武漢國內(nèi)第一個(gè)500kV輸電工程中,在鳳凰山變電所引進(jìn)ASEA公司2套TCRTSC型靜補(bǔ)裝置,這是世界上首例這種類型的靜補(bǔ)裝里用于500kV輸電系統(tǒng)。TSC與BSC的技術(shù)比較┌───────┬──────────┬────────────┐│項(xiàng)目│TSC│BSC
晶閘管投切電容器thyristorswitchedcapacitor,TSC
Jingzhaguontouq}edI0nrongqi.用管投切電容器(thyristorswitchedcaPac-itor,TSC)靜止無功補(bǔ)償裝里.晶閘管閥用于電容器的投切操作.該裝t提供的容性電流只能分級(jí)調(diào)整.常與固定電抗器或晶閘管控制的電抗器、晶閘管控制的變壓器、飽和電抗器配合在一起使用,以使系統(tǒng)能連續(xù)控制物出電流并使系統(tǒng)的工作范圍能擴(kuò)大到感性區(qū)。其主要優(yōu)點(diǎn)是:①投切速度快;②投切操作時(shí)對(duì)系統(tǒng)的沖擊電流小,③有功損耗小;④不產(chǎn)生商次諧波電流。主要缺點(diǎn)是:①向系統(tǒng)提供的無功電流只能作級(jí)差變化不能平滑調(diào)節(jié);②正常斷開后晶閘管閥所承受的電壓比TCR閥要高出一倍;③有時(shí)發(fā)生諧波放大,影響正常工作。工作原理如下:限流電抗器的作用是限制電容器投人時(shí)的暫態(tài)涌流和降低主電路的電流上升率,限流電抗器的感抗值約為容抗值的百分之幾.在電源電壓瞬時(shí)值最大時(shí),晶閘管閥接受來自控制器發(fā)來的觸發(fā)脈沖而導(dǎo)通,使電容器在電流過零時(shí)開始通電,此電流半波將在電容電流再次回零時(shí)由晶閘管閥自然關(guān)斷。由于TSC控制器每隔半周波便輪流向晶閘管閥兩個(gè)方向的晶悶管發(fā)出整個(gè)半周波全導(dǎo)通的觸發(fā)脈沖,所以電容器中流過的電流為連續(xù)正弦波,不含諧波分量。廠尸石「萬氣.丁-一十’矛‘幣TSC結(jié)構(gòu)示意:1一電容器組;2一晶閘管閱;3一限流電杭尋性能比較晶閘管投切電容器型靜止無功補(bǔ)償裝!與用斷路器分組投切(BSC)方式的技術(shù)性能比較如下表。用途TSC適用于主要要求補(bǔ)償感性無功功率且有沖擊性負(fù)荷的工業(yè)用戶,用于電力系統(tǒng)需要快速響應(yīng),如增加系統(tǒng)對(duì)功率振蕩阻尼、電壓控制的場(chǎng)合。當(dāng)需要較頻繁地投切補(bǔ)償電容器而機(jī)械投切設(shè)備又不能滿足這種要求時(shí),TSC常常成為首選。TSC也常與TCR或其它種類的補(bǔ)償設(shè)備配套使用.發(fā)展概況第一套大型TSC工業(yè)裝里是1972年由瑞典原ASEA公司制造的,容量為60Mvar,安裝在瑞典的一家鋼鐵廠,用于電弧爐功率因數(shù)補(bǔ)償,提高母線電壓的穩(wěn)定度,晶閘管閥的傾定電壓是20kV。1980年ASEA公司又首次把TSC與TCR組配應(yīng)用,用于南非ESCOM公司平衡由于單相電氣化鐵路負(fù)荷引起的三相電壓不對(duì)稱問題。中國在平頂山至武漢國內(nèi)第一個(gè)500kV輸電工程中,在鳳凰山變電所引進(jìn)ASEA公司2套TCRTSC型靜補(bǔ)裝置,這是世界上首例這種類型的靜補(bǔ)裝里用于500kV輸電系統(tǒng)。TSC與BSC的技術(shù)比較┌───────┬──────────┬────────────┐│項(xiàng)目│TSC│BSC2100433B
串聯(lián)電抗器和并聯(lián)電抗器的區(qū)別及使用場(chǎng)合?
串聯(lián)電抗器是為了抑制高次諧波,或者是為了抑制涌流,他是一個(gè)抑制的作用,并聯(lián)電抗器呢,是和電容串聯(lián)并聯(lián)在電路里面,不同的參數(shù)設(shè)置分為濾波作用和無功補(bǔ)償作用。。。
500kV并聯(lián)電抗器應(yīng)裝設(shè)哪些保護(hù)及其作用?
高壓并聯(lián)電抗應(yīng)裝設(shè): (1) 高阻抗差動(dòng)保護(hù):保護(hù)電抗器繞組和套管的相間和接地故障。 (2) 匝間保護(hù):保護(hù)電抗器的匝間短路故障。 (3) 瓦斯保護(hù)和溫度保護(hù):保護(hù)...
電容器和電抗器串聯(lián),哪個(gè)在后對(duì)相應(yīng)性能要求高一些,因?yàn)橐坏┯卸搪非闆r,最后面的器件受影響最大,至于放電線圈主要是給電容器放電,可以并在電容器兩端或者并在串聯(lián)的電容器和電抗器兩端。
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1 低壓并聯(lián)電抗器作為變電站的重要組成部分,可以補(bǔ)充容性充電功率,吸收無功功率,降低 線損,提高功率因數(shù) ; 削弱空載或輕載時(shí)長(zhǎng)線的電容效應(yīng) ( 弗蘭梯效應(yīng) ) ,穩(wěn)定電網(wǎng)的運(yùn)行電 壓,改善供電質(zhì)量 ; 減少潛供電流,加速潛供電弧的熄滅 ; 有利于消除發(fā)電機(jī)的自勵(lì)磁 ; 減少 用戶電費(fèi)開支,降低生產(chǎn)成本 [1 - 4],現(xiàn)已成為變電站無功補(bǔ)償中不可或缺的一部分。同時(shí), 隨著變電站智能化水平的提高, 低壓并聯(lián)電抗器可增加部分在線監(jiān)測(cè)功能, 實(shí)現(xiàn)狀態(tài)化檢修, 從而節(jié)省設(shè)備全壽命成本投資。 1 并聯(lián)電抗器性能比較 現(xiàn)階段,低壓并聯(lián)電抗器多采用干式空心并聯(lián)電抗器和油浸式并聯(lián)電抗器兩種。環(huán)氧包 封式空心并聯(lián)電抗器由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低等優(yōu)勢(shì)在國內(nèi)獲得廣泛應(yīng)用,但經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的運(yùn) 行,已出現(xiàn)了許多運(yùn)行故障,有的被迫停運(yùn)處理,有的甚至燒毀設(shè)備,如圖 1 所示。其燒毀 的主要原因是 : ( 1) 空心電抗
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并聯(lián)電抗器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用
2016年2月24日,《超高壓分級(jí)式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》發(fā)布。
2016年9月1日,《超高壓分級(jí)式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》實(shí)施。
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬計(jì)的MCT元組成,每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管,一個(gè)控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀(jì)80年代以來一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
MOS控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復(fù)合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制,故屬場(chǎng)控器件。