中文名 | 可控硅開關(guān) | 外文名 | Thyristor |
---|---|---|---|
別????稱 | 晶體閘流管 | 性????質(zhì) | 大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件 |
普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S,按一下按鈕開關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。
鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。
可控硅開關(guān)分類方法
可控硅有多種分類方法。
(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
(四)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五)按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。
可控硅開關(guān)和復(fù)合開關(guān)的區(qū)別
可控硅開關(guān)輸出量可連續(xù)變化,復(fù)合開關(guān)輸出不連續(xù),為階梯式變化。
無觸點(diǎn)可控硅開關(guān)有什么特點(diǎn)?
無觸點(diǎn)可控硅開關(guān)的特點(diǎn),等電位過零技術(shù),實(shí)現(xiàn)電壓過零時(shí)導(dǎo)通、電流為零時(shí)切除,確保投入無沖擊涌流、切除無過電壓。2、選用優(yōu)質(zhì)大功率、高耐壓(反向耐壓1600V)可控硅模塊,經(jīng)多年實(shí)際項(xiàng)目運(yùn)行,其工作穩(wěn)定...
雙向可控硅又稱為雙向晶閘管 普通晶閘管(VS)實(shí)質(zhì)上屬于直流控制器件。要控制交流負(fù)載,必須將兩只晶閘管反極性并聯(lián),讓每只SCR控制一個(gè)半波,為此需兩套獨(dú)立的觸發(fā)電路,使用不夠方便。 雙向晶閘管...
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
可控硅的主要廠家
主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX,SANREX,SANKEN,SEMIKRON,EUPEC,IR等。
按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類
可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆 導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
按引腳和極性分類
可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
按封裝形式分類
可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
按電流容量分類
可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
按關(guān)斷速度分類
可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)(a),相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽極A了。測(cè)試晶閘管的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路。接通電源開關(guān)S,按一下按鈕開關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。
鑒別原理
鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽極和控制極正反向都不通)。
鑒別注意事項(xiàng)
控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大??墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過,因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說明控制極特性不好。另外,在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋,防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測(cè)得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。
格式:pdf
大小:419KB
頁數(shù): 3頁
評(píng)分: 4.7
本文介紹了雙向可控硅開關(guān)柜的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及其應(yīng)用。通過對(duì)雙向可控硅開關(guān)柜和接觸器控制盤的對(duì)比分析,展現(xiàn)了采用雙向可控硅開關(guān)柜的經(jīng)濟(jì)效益。
可控硅開關(guān)圖
復(fù)合開關(guān)圖
可控硅開關(guān)和復(fù)合開關(guān)是現(xiàn)在無功補(bǔ)償裝置主要的投切元件,那么兩者到底區(qū)別在哪里呢?
可控硅開關(guān)也叫調(diào)節(jié)器,采用大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、隔離電路、觸發(fā)電路、保護(hù)電路及散熱裝置等元件組成。容易受涌流的沖擊而損壞,因此可控硅必須過零觸發(fā),當(dāng)可控硅兩端電壓為零的瞬間發(fā)出觸發(fā)信號(hào)。過零觸發(fā)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)無涌流投入電容器,另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒有限制,可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)補(bǔ)償(響應(yīng)時(shí)間在毫秒級(jí))??煽毓鑼?dǎo)通電壓降約為1V左右,損耗很大(以每相額定電流為60A為例,則三相三控可控硅額定導(dǎo)通損耗為60×1×3=180W),必須加裝大面積的散熱片和冷卻風(fēng)機(jī)。晶閘管對(duì)電壓變化率(dv/dt)非常敏感,遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導(dǎo)通而被涌流損壞,即使安裝避雷器也無濟(jì)于事,因?yàn)楸芾灼髦荒芟拗齐妷旱姆逯?,并不能降低電壓變化率??煽毓栝_關(guān)反應(yīng)速度快,重復(fù)投切時(shí)間短適用于負(fù)荷(軋機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)、行吊等)頻繁變化的場(chǎng)合。
復(fù)合開關(guān),把磁保持和可控硅開關(guān)二者巧妙地結(jié)合來,優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),發(fā)揮磁保持繼電器運(yùn)行功耗小和可控硅開關(guān)過零投切的優(yōu)點(diǎn),是一個(gè)較為理想的投切元件。這種投切開關(guān)不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低,不需要加裝散熱器和冷卻風(fēng)扇。要把二者結(jié)合起來的關(guān)鍵是相互之間的時(shí)序配合必須默契,可控硅開關(guān)負(fù)責(zé)控制電容器的投入和切除,磁保持繼電器負(fù)責(zé)保持電容器投入后的接通,當(dāng)磁保持投入后可控硅開關(guān)就立即退出運(yùn)行,這樣就避免了可控硅元件的發(fā)熱。復(fù)合開關(guān)適用于負(fù)荷變化不快的城網(wǎng)、農(nóng)網(wǎng)、房地產(chǎn)等場(chǎng)合?,F(xiàn)已批量用于山東電網(wǎng)戶外JP柜中。
根據(jù)以上對(duì)比可以發(fā)現(xiàn)兩者區(qū)別如下
額定電壓:低壓系統(tǒng)450V及以下
額定頻率:50Hz
控制容量:三相60Kvar及以下,單相20Kvar及以下。
安裝海拔:2000米及以下
運(yùn)行環(huán)境:溫度-25℃~+45℃,相對(duì)濕度不超過90%,周圍環(huán)境應(yīng)有良好的通風(fēng)條件。
控制電壓:DC +12V
控制電流:20mA
投入涌流:小于2In
投切次數(shù):大于50萬次
可控硅無觸點(diǎn)開關(guān):由大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、光電隔離電路、觸發(fā)電路、保護(hù)電路、散熱裝置等組成。用于低壓400V系統(tǒng)容性負(fù)載的通斷控制,無沖擊涌流,無過壓,工作時(shí)無噪音,允許頻繁投切,安裝、接線簡(jiǎn)單方便,特別適合配套快速投切SVC低壓動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置使用。