開關(guān)矩陣設(shè)計原則是按功能進(jìn)行的模塊化劃分和配置,同時與自動測試系統(tǒng)信號端口的定義相對應(yīng),這樣有利于接口的擴(kuò)展和形成模塊化測試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。在實際開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計中往往采用多種開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)組成混合開關(guān)系統(tǒng),將具有模塊化的各種開關(guān)資源靈活配置和級聯(lián),形成滿足測試需要的高效結(jié)構(gòu)。
例如4×4矩陣開關(guān)與4 個10 選1多路開關(guān)級聯(lián)而組成的4×40的混合開關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu),可以有效地擴(kuò)展矩陣開關(guān)的輸入/輸出通道數(shù),缺點是此結(jié)構(gòu)無法實現(xiàn)完全的4 ×40 通道間任意切換,例如當(dāng)通道A 已連接到通道0 時,B 、C、D 等通道都無法與此多路開關(guān)模塊中的通道1~9 相連接。該混合開關(guān)結(jié)構(gòu)是一種經(jīng)濟(jì)考慮的的開關(guān)通道擴(kuò)展方案,可以根據(jù)檢測/ 激勵信號的不同時序要求進(jìn)行分組,實現(xiàn)UUT 測點組與測試儀器間的通道切換。
雖然制造廠家都定義了開關(guān)的壽命,但實際開關(guān)壽命隨著負(fù)載類型的不同往往變化很大。當(dāng)開關(guān)負(fù)載為純電阻時,額度的開關(guān)壽命一般相當(dāng)準(zhǔn)確,但當(dāng)負(fù)載為容性和感性時,開關(guān)壽命將減少。開關(guān)系統(tǒng)的負(fù)載一般分為:電阻、電容、電感、電機(jī)等幾類。從使用安全可靠的角度出發(fā),當(dāng)負(fù)載為阻性時,按其標(biāo)稱壽命的75 %降額使用開關(guān)。對于電容負(fù)載,按額定電阻負(fù)載壽命的55 %降額使用開關(guān);對于電感負(fù)載,按額定電阻負(fù)載壽命的40%降額使用開關(guān);對于電機(jī)負(fù)載,一般按額定電阻負(fù)載壽命的20 %降額使用開關(guān);對于白熾燈類型的負(fù)載,熱態(tài)電阻是冷態(tài)電阻的10~15 倍,所以按額定電阻負(fù)載壽命的10 %使用開關(guān)。
開關(guān)系統(tǒng)是測試系統(tǒng)中信號傳輸?shù)闹袠?,所以延長開關(guān)系統(tǒng)的使用壽命是保證整個測試系統(tǒng)長期可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。有觸點的繼電器在導(dǎo)通和斷開瞬間會出現(xiàn)放電現(xiàn)象,可造成觸點熔蝕,降低開關(guān)壽命,當(dāng)負(fù)載為感性時現(xiàn)象尤為嚴(yán)重。
目前COTS的開關(guān)產(chǎn)品的典型性能參數(shù)如下所示。
類型 開關(guān)速度 熱漂移 3dB帶寬 額定電流 最大電壓
通用開關(guān) 3~15 ms 3~7μV 10 MHz 1~5 A 125~300 V
矩陣開關(guān) 3~7 ms 3~7μV 10 MHz 1~2 A 200~300 V
射頻開關(guān) 3~7 ms 6μV 0.3~3GHz 0.5~1A 24~42 V
微波開關(guān) 15~30ms NA 18~20GHz NA NA
單元剛度矩陣特征:1、對稱性2 奇異性3 主對角元素恒正4 所有奇數(shù)(偶數(shù))行的和為 0結(jié)構(gòu)剛度矩陣的特征:1、對稱性2奇異性3主對角元素恒正4稀疏性5非零帶狀分布
現(xiàn)在市場的價格戰(zhàn)太離譜了,導(dǎo)致很多的商家都必須用低價來吸引客戶,所以產(chǎn)品質(zhì)量往往都得不到保障。力弘(LHLEEHAM)提供全系列會議視聽系統(tǒng)矩陣切換控制器,包含產(chǎn)品有同軸矩陣系列AHD/TVI...
樓上恐怕還是不大了解,數(shù)字矩陣首先信號是數(shù)字信號,數(shù)字信號包括:SDI(標(biāo)清)、HD-SDI(高清)這兩種以前都是廣播級信號,都是在廣播電視應(yīng)用的,但是現(xiàn)在隨著電視會議的發(fā)展,已經(jīng)出現(xiàn)高清電視會議系統(tǒng)...
構(gòu)成開關(guān)組件/ 系統(tǒng)的開關(guān)類型主要有以下幾種。
(1)干簧管繼電器。干簧管開關(guān)速度快(與電磁繼電器相比) ,導(dǎo)通電阻小,開關(guān)處于密封結(jié)構(gòu)中,但承載大電流和高電壓的能力較差。當(dāng)需要較快的開關(guān)速度時,可選擇干簧管繼電器開關(guān)。
(2)水銀繼電器。它的使用壽命長,導(dǎo)通電阻非常小,無觸點抖動。但水銀繼電器安裝位置敏感,必須正確安裝才能正常工作,同時水銀受到環(huán)境因素的影響較大,限制了此類繼電器的應(yīng)用范圍。
(3)電磁繼電器。目前應(yīng)用最廣泛的是機(jī)電式電磁繼電器開關(guān),該類繼電器既有適用于大功率信號切換的功率開關(guān),也有適用于微波和射頻信號切換的高頻開關(guān),還有用于光信號切換的光纖開關(guān)。該類繼電器開關(guān)具有開路隔離電阻大、導(dǎo)通電阻小、工作電流大等優(yōu)點,但一般體積較大、開關(guān)速度慢、使用壽命短、所需的驅(qū)動電流較大。
(4)場效應(yīng)管(FET) 開關(guān)。它為無觸點的電子開關(guān),具有體積小、驅(qū)動電流低、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)、使用壽命長和開關(guān)速度快(可達(dá)微秒級) 等優(yōu)點,適用于高密度、大功率、頻繁切換信號的應(yīng)用場合,但場效應(yīng)管開關(guān)導(dǎo)通電阻較大,斷開時有漏電流,一般不具有雙向?qū)芰?,同時成本價格較高。
開關(guān)設(shè)計應(yīng)該遵循以下基本原則:
(1)選用具有開放商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)系統(tǒng)模塊。具有開放標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品貨源多元化,品種系列化,維護(hù)和升級方便,有利于開關(guān)系統(tǒng)選型和未來技術(shù)支持。
(2)采用模塊化可擴(kuò)展的開關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。模塊化可擴(kuò)展的開關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不僅可以方便地擴(kuò)大開關(guān)系統(tǒng)規(guī)模,而且使開關(guān)系統(tǒng)向上兼容,有助于實現(xiàn)測試系統(tǒng)TPS 的移植和互操作。
(3)在能夠滿足移植、配置方便的前提下,減少備用擴(kuò)展開關(guān)端子的數(shù)量。在高頻信號傳輸中,開路的開關(guān)通過雜散電容向鄰近的信號通道耦合噪聲,所以應(yīng)該減少不必要的開路開關(guān)數(shù)量。
(4)根據(jù)測試信號的參數(shù)決定開關(guān)的種類。不同開關(guān)類型具有不同的信號頻帶、耐壓和電流/ 功率的承載能力,需要根據(jù)測試信號的參數(shù)選擇合適的開關(guān)類型,這樣才能實現(xiàn)安全、可靠和可信的測試信號路由。
格式:pdf
大?。?span id="vwu94pm" class="single-tag-height">497KB
頁數(shù): 3頁
評分: 4.6
隨著測量技術(shù)不斷發(fā)展,在自動測試系統(tǒng)中為提高測試效率需要使用開關(guān)矩陣,借助開關(guān)矩陣的不同組態(tài)實現(xiàn)被測件與不同測量儀器的連接,充分利用儀器資源。簡要介紹了開關(guān)矩陣的設(shè)計原則,提出微波開關(guān)矩陣設(shè)計需要注意的地方,并針對使用微波開關(guān)矩陣測量被測件S參數(shù)所存在的問題給出解決辦法。使用此方法可以實現(xiàn)很高的測量精度,已經(jīng)應(yīng)用于工程實踐中。
格式:pdf
大?。?span id="xdqork9" class="single-tag-height">497KB
頁數(shù): 6頁
評分: 4.4
矩陣函數(shù)求導(dǎo) 首先要區(qū)分兩個概念:矩陣函數(shù)和函數(shù)矩陣 (1) 函數(shù)矩陣 ,簡單地說就是多個一般函數(shù)的陣列, 包括單變量和多變量函數(shù)。 函數(shù)矩陣的求導(dǎo)和積分是作用在各個矩陣元素上,沒有更多的規(guī)則。 單變量函數(shù)矩陣的微分與積分 考慮實變量 t 的實函數(shù)矩陣 ( )( ) ( )ij m nX t x t ×= ,所有分量函數(shù) ( )ijx t 定義域相同。 定義函數(shù)矩陣的微分與積分 0 0 ( ) ( ) , ( ) ( ) . t t ij ijt t d d X t x t X d x d dx dx τ τ τ τ ? ? ? ??? ???= =? ??? ?? ?? ? ?? ?∫ ∫ 函數(shù)矩陣的微分有以下性質(zhì): (1) ( )( ) ( ) ( ) ( )d d dX t Y t X t Y t dt dt dt + = + ; (2) ( ) ( ) ( )( ) ( ) ( )
Model 708B Single-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 96 Crosspoints - New Features and Improved Performance
707A 6槽,開關(guān)矩陣,具有多達(dá)576通道
708A型單槽開關(guān)矩陣,具有96個通道
6槽、半導(dǎo)體開關(guān)矩陣、每臺主機(jī)每機(jī)架的最大通道數(shù)或交叉點數(shù)多達(dá)576個
針對現(xiàn)有的納米尺度CMOS 工藝偏差檢測方法空間分辨率低、速度慢、成本高、難以在線檢測等問題,本課題提出一種新的、可同時測量多種工藝參數(shù)偏差的檢測電路及檢測方法。 對于片上電容偏差的測量,傳統(tǒng)的直接引出到片外的測量方法很難奏效,因為引腳數(shù)量的增加會使得芯片面積增大。開關(guān)矩陣的方法則受限于樣本大小和測量結(jié)構(gòu)。本項目中提出了一種新的電容測量陣列(Capacitance Measurement Array, CMA)。通過電容測量陣列,可以對片上電容偏差進(jìn)行精確的評估。為了驗證電容測量陣列的有效性,設(shè)計了一款電容測量陣列測試芯片,由陣列尋址電路、電容測量單元和待測電容組成,從而提供大量的測量樣本用來進(jìn)行統(tǒng)計分析。本研究論文發(fā)表在IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing。 高精度對時序參數(shù)的物理測量是一個重大的挑戰(zhàn),因為光在0.1皮秒的時間內(nèi)傳輸距離僅有30微米。因此,微米級長度的連接線也會對信號測量產(chǎn)生不可忽視的影響,這就很難通過外部設(shè)備直接進(jìn)行時序信號測量。皮秒時間精度已經(jīng)遠(yuǎn)小于單級反向器的傳輸延時,直接測量的采樣頻率要達(dá)到2THz以上,在實際電路中很難實現(xiàn)。在本項目中,我們提出一種片上皮秒(ps)精度的時序測量系統(tǒng),通過該系統(tǒng)首次實現(xiàn)對觸發(fā)器的建立時間和保持時間等時序參數(shù)的直接片上測量。本研究論文發(fā)表在IET Electronics Letters。 門電容是一個MOSFET模型的關(guān)鍵參數(shù),特別是當(dāng)工藝發(fā)展到FinFET,寄生參數(shù)的影響比以往都更大,這就更要求對門電容的精確測量。我們提出了一種自微分的基于充放電的電容測量方法(SDCBCM)。這種自微分的電容測量方法在測量門電容時測量精度能達(dá)到0.01fF的數(shù)量級。本方法是目前測量MOSFET門電容最好的方法,首次實現(xiàn)了MOSFET實際工作頻率下的門電容的測量。本研究論文發(fā)表在IEEE Electron Device Letters。 2100433B