目前COTS的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品的典型性能參數(shù)如下所示。
類(lèi)型 開(kāi)關(guān)速度 熱漂移 3dB帶寬 額定電流 最大電壓
通用開(kāi)關(guān) 3~15 ms 3~7μV 10 MHz 1~5 A 125~300 V
矩陣開(kāi)關(guān) 3~7 ms 3~7μV 10 MHz 1~2 A 200~300 V
射頻開(kāi)關(guān) 3~7 ms 6μV 0.3~3GHz 0.5~1A 24~42 V
微波開(kāi)關(guān) 15~30ms NA 18~20GHz NA NA
構(gòu)成開(kāi)關(guān)組件/ 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)類(lèi)型主要有以下幾種。
(1)干簧管繼電器。干簧管開(kāi)關(guān)速度快(與電磁繼電器相比) ,導(dǎo)通電阻小,開(kāi)關(guān)處于密封結(jié)構(gòu)中,但承載大電流和高電壓的能力較差。當(dāng)需要較快的開(kāi)關(guān)速度時(shí),可選擇干簧管繼電器開(kāi)關(guān)。
(2)水銀繼電器。它的使用壽命長(zhǎng),導(dǎo)通電阻非常小,無(wú)觸點(diǎn)抖動(dòng)。但水銀繼電器安裝位置敏感,必須正確安裝才能正常工作,同時(shí)水銀受到環(huán)境因素的影響較大,限制了此類(lèi)繼電器的應(yīng)用范圍。
(3)電磁繼電器。目前應(yīng)用最廣泛的是機(jī)電式電磁繼電器開(kāi)關(guān),該類(lèi)繼電器既有適用于大功率信號(hào)切換的功率開(kāi)關(guān),也有適用于微波和射頻信號(hào)切換的高頻開(kāi)關(guān),還有用于光信號(hào)切換的光纖開(kāi)關(guān)。該類(lèi)繼電器開(kāi)關(guān)具有開(kāi)路隔離電阻大、導(dǎo)通電阻小、工作電流大等優(yōu)點(diǎn),但一般體積較大、開(kāi)關(guān)速度慢、使用壽命短、所需的驅(qū)動(dòng)電流較大。
(4)場(chǎng)效應(yīng)管(FET) 開(kāi)關(guān)。它為無(wú)觸點(diǎn)的電子開(kāi)關(guān),具有體積小、驅(qū)動(dòng)電流低、可靠性高、抗干擾能力強(qiáng)、使用壽命長(zhǎng)和開(kāi)關(guān)速度快(可達(dá)微秒級(jí)) 等優(yōu)點(diǎn),適用于高密度、大功率、頻繁切換信號(hào)的應(yīng)用場(chǎng)合,但場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻較大,斷開(kāi)時(shí)有漏電流,一般不具有雙向?qū)芰?,同時(shí)成本價(jià)格較高。
開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)應(yīng)該遵循以下基本原則:
(1)選用具有開(kāi)放商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)模塊。具有開(kāi)放標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品貨源多元化,品種系列化,維護(hù)和升級(jí)方便,有利于開(kāi)關(guān)系統(tǒng)選型和未來(lái)技術(shù)支持。
(2)采用模塊化可擴(kuò)展的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。模塊化可擴(kuò)展的開(kāi)關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不僅可以方便地?cái)U(kuò)大開(kāi)關(guān)系統(tǒng)規(guī)模,而且使開(kāi)關(guān)系統(tǒng)向上兼容,有助于實(shí)現(xiàn)測(cè)試系統(tǒng)TPS 的移植和互操作。
(3)在能夠滿足移植、配置方便的前提下,減少備用擴(kuò)展開(kāi)關(guān)端子的數(shù)量。在高頻信號(hào)傳輸中,開(kāi)路的開(kāi)關(guān)通過(guò)雜散電容向鄰近的信號(hào)通道耦合噪聲,所以應(yīng)該減少不必要的開(kāi)路開(kāi)關(guān)數(shù)量。
(4)根據(jù)測(cè)試信號(hào)的參數(shù)決定開(kāi)關(guān)的種類(lèi)。不同開(kāi)關(guān)類(lèi)型具有不同的信號(hào)頻帶、耐壓和電流/ 功率的承載能力,需要根據(jù)測(cè)試信號(hào)的參數(shù)選擇合適的開(kāi)關(guān)類(lèi)型,這樣才能實(shí)現(xiàn)安全、可靠和可信的測(cè)試信號(hào)路由。
現(xiàn)在市場(chǎng)的價(jià)格戰(zhàn)太離譜了,導(dǎo)致很多的商家都必須用低價(jià)來(lái)吸引客戶,所以產(chǎn)品質(zhì)量往往都得不到保障。力弘(LHLEEHAM)提供全系列會(huì)議視聽(tīng)系統(tǒng)矩陣切換控制器,包含產(chǎn)品有同軸矩陣系列AHD/TVI...
樓上恐怕還是不大了解,數(shù)字矩陣首先信號(hào)是數(shù)字信號(hào),數(shù)字信號(hào)包括:SDI(標(biāo)清)、HD-SDI(高清)這兩種以前都是廣播級(jí)信號(hào),都是在廣播電視應(yīng)用的,但是現(xiàn)在隨著電視會(huì)議的發(fā)展,已經(jīng)出現(xiàn)高清電視會(huì)議系統(tǒng)...
vga視頻矩陣,啟耀科技有4,8,16,24,32,48,64路,您需要哪一路,每一路的價(jià)格不一樣,輸入輸出路數(shù)越多價(jià)格越高,這種會(huì)議室用的很多的,切換很方便。
雖然制造廠家都定義了開(kāi)關(guān)的壽命,但實(shí)際開(kāi)關(guān)壽命隨著負(fù)載類(lèi)型的不同往往變化很大。當(dāng)開(kāi)關(guān)負(fù)載為純電阻時(shí),額度的開(kāi)關(guān)壽命一般相當(dāng)準(zhǔn)確,但當(dāng)負(fù)載為容性和感性時(shí),開(kāi)關(guān)壽命將減少。開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的負(fù)載一般分為:電阻、電容、電感、電機(jī)等幾類(lèi)。從使用安全可靠的角度出發(fā),當(dāng)負(fù)載為阻性時(shí),按其標(biāo)稱(chēng)壽命的75 %降額使用開(kāi)關(guān)。對(duì)于電容負(fù)載,按額定電阻負(fù)載壽命的55 %降額使用開(kāi)關(guān);對(duì)于電感負(fù)載,按額定電阻負(fù)載壽命的40%降額使用開(kāi)關(guān);對(duì)于電機(jī)負(fù)載,一般按額定電阻負(fù)載壽命的20 %降額使用開(kāi)關(guān);對(duì)于白熾燈類(lèi)型的負(fù)載,熱態(tài)電阻是冷態(tài)電阻的10~15 倍,所以按額定電阻負(fù)載壽命的10 %使用開(kāi)關(guān)。
開(kāi)關(guān)系統(tǒng)是測(cè)試系統(tǒng)中信號(hào)傳輸?shù)闹袠?,所以延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的使用壽命是保證整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。有觸點(diǎn)的繼電器在導(dǎo)通和斷開(kāi)瞬間會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象,可造成觸點(diǎn)熔蝕,降低開(kāi)關(guān)壽命,當(dāng)負(fù)載為感性時(shí)現(xiàn)象尤為嚴(yán)重。
開(kāi)關(guān)矩陣設(shè)計(jì)原則是按功能進(jìn)行的模塊化劃分和配置,同時(shí)與自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)信號(hào)端口的定義相對(duì)應(yīng),這樣有利于接口的擴(kuò)展和形成模塊化測(cè)試系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。在實(shí)際開(kāi)關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中往往采用多種開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)組成混合開(kāi)關(guān)系統(tǒng),將具有模塊化的各種開(kāi)關(guān)資源靈活配置和級(jí)聯(lián),形成滿足測(cè)試需要的高效結(jié)構(gòu)。
例如4×4矩陣開(kāi)關(guān)與4 個(gè)10 選1多路開(kāi)關(guān)級(jí)聯(lián)而組成的4×40的混合開(kāi)關(guān)系統(tǒng)結(jié)構(gòu),可以有效地?cái)U(kuò)展矩陣開(kāi)關(guān)的輸入/輸出通道數(shù),缺點(diǎn)是此結(jié)構(gòu)無(wú)法實(shí)現(xiàn)完全的4 ×40 通道間任意切換,例如當(dāng)通道A 已連接到通道0 時(shí),B 、C、D 等通道都無(wú)法與此多路開(kāi)關(guān)模塊中的通道1~9 相連接。該混合開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)是一種經(jīng)濟(jì)考慮的的開(kāi)關(guān)通道擴(kuò)展方案,可以根據(jù)檢測(cè)/ 激勵(lì)信號(hào)的不同時(shí)序要求進(jìn)行分組,實(shí)現(xiàn)UUT 測(cè)點(diǎn)組與測(cè)試儀器間的通道切換。
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評(píng)分: 4.6
隨著測(cè)量技術(shù)不斷發(fā)展,在自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中為提高測(cè)試效率需要使用開(kāi)關(guān)矩陣,借助開(kāi)關(guān)矩陣的不同組態(tài)實(shí)現(xiàn)被測(cè)件與不同測(cè)量?jī)x器的連接,充分利用儀器資源。簡(jiǎn)要介紹了開(kāi)關(guān)矩陣的設(shè)計(jì)原則,提出微波開(kāi)關(guān)矩陣設(shè)計(jì)需要注意的地方,并針對(duì)使用微波開(kāi)關(guān)矩陣測(cè)量被測(cè)件S參數(shù)所存在的問(wèn)題給出解決辦法。使用此方法可以實(shí)現(xiàn)很高的測(cè)量精度,已經(jīng)應(yīng)用于工程實(shí)踐中。
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評(píng)分: 4.7
空調(diào)參數(shù)主要參數(shù) 匹數(shù) 1.5P 大 1.5P 2P 3P 5P 掛機(jī) 掛機(jī) 掛機(jī) 柜機(jī) 柜機(jī) 類(lèi)型 變頻冷暖 變頻冷暖 變頻冷暖 變頻冷暖 定頻冷暖 制冷量( W) ≥3200 ≥3500 ≥5000 ≥7200 ≥12000 制冷量變頻區(qū) 間(W) 450~3600 ( 符 合或大于區(qū)間) 450~3800 (符 合或大于區(qū)間) 600~5900 (符 合或大于區(qū)間) 1500~8100(符合或 大于區(qū)間) —— 制熱量( W) ≥4000 ≥4500 ≥6300 ≥8900 ≥ 12500(16000) 制熱量變頻區(qū) 間(W) 790~4690 ( 符 合或大于區(qū)間) 800~5100 (符 合或大于區(qū)間) 750~7600 (符 合或大于區(qū)間) 1500~9500(符合或 大于區(qū)間) —— 制冷功率( W) ≤960 ≤1110 ≤1600 ≤2470 ≤3950 制冷耗電
Model 708B Single-Slot, Semiconductor Switching Matrix w/ up to 96 Crosspoints - New Features and Improved Performance
707A 6槽,開(kāi)關(guān)矩陣,具有多達(dá)576通道
708A型單槽開(kāi)關(guān)矩陣,具有96個(gè)通道
6槽、半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)矩陣、每臺(tái)主機(jī)每機(jī)架的最大通道數(shù)或交叉點(diǎn)數(shù)多達(dá)576個(gè)
針對(duì)現(xiàn)有的納米尺度CMOS 工藝偏差檢測(cè)方法空間分辨率低、速度慢、成本高、難以在線檢測(cè)等問(wèn)題,本課題提出一種新的、可同時(shí)測(cè)量多種工藝參數(shù)偏差的檢測(cè)電路及檢測(cè)方法。 對(duì)于片上電容偏差的測(cè)量,傳統(tǒng)的直接引出到片外的測(cè)量方法很難奏效,因?yàn)橐_數(shù)量的增加會(huì)使得芯片面積增大。開(kāi)關(guān)矩陣的方法則受限于樣本大小和測(cè)量結(jié)構(gòu)。本項(xiàng)目中提出了一種新的電容測(cè)量陣列(Capacitance Measurement Array, CMA)。通過(guò)電容測(cè)量陣列,可以對(duì)片上電容偏差進(jìn)行精確的評(píng)估。為了驗(yàn)證電容測(cè)量陣列的有效性,設(shè)計(jì)了一款電容測(cè)量陣列測(cè)試芯片,由陣列尋址電路、電容測(cè)量單元和待測(cè)電容組成,從而提供大量的測(cè)量樣本用來(lái)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。本研究論文發(fā)表在IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing。 高精度對(duì)時(shí)序參數(shù)的物理測(cè)量是一個(gè)重大的挑戰(zhàn),因?yàn)楣庠?.1皮秒的時(shí)間內(nèi)傳輸距離僅有30微米。因此,微米級(jí)長(zhǎng)度的連接線也會(huì)對(duì)信號(hào)測(cè)量產(chǎn)生不可忽視的影響,這就很難通過(guò)外部設(shè)備直接進(jìn)行時(shí)序信號(hào)測(cè)量。皮秒時(shí)間精度已經(jīng)遠(yuǎn)小于單級(jí)反向器的傳輸延時(shí),直接測(cè)量的采樣頻率要達(dá)到2THz以上,在實(shí)際電路中很難實(shí)現(xiàn)。在本項(xiàng)目中,我們提出一種片上皮秒(ps)精度的時(shí)序測(cè)量系統(tǒng),通過(guò)該系統(tǒng)首次實(shí)現(xiàn)對(duì)觸發(fā)器的建立時(shí)間和保持時(shí)間等時(shí)序參數(shù)的直接片上測(cè)量。本研究論文發(fā)表在IET Electronics Letters。 門(mén)電容是一個(gè)MOSFET模型的關(guān)鍵參數(shù),特別是當(dāng)工藝發(fā)展到FinFET,寄生參數(shù)的影響比以往都更大,這就更要求對(duì)門(mén)電容的精確測(cè)量。我們提出了一種自微分的基于充放電的電容測(cè)量方法(SDCBCM)。這種自微分的電容測(cè)量方法在測(cè)量門(mén)電容時(shí)測(cè)量精度能達(dá)到0.01fF的數(shù)量級(jí)。本方法是目前測(cè)量MOSFET門(mén)電容最好的方法,首次實(shí)現(xiàn)了MOSFET實(shí)際工作頻率下的門(mén)電容的測(cè)量。本研究論文發(fā)表在IEEE Electron Device Letters。 2100433B