門限電壓

在nMOSFET晶體管的基體由p類型硅組成，正面地充電流動孔作為載體。 當正面電壓是應用的在門， 電場造成孔從接口被排斥，創(chuàng)造a 勢壘區(qū)包含固定消極地被充電的接受器離子。 在門電壓的進一步增加最終造成電子出現于接口，在什么稱逆溫層，或者渠道。 電子密度在接口同一樣孔密度在中立粒狀材料稱門限電壓歷史的門電壓。 實際上門限電壓是有足夠的電子在做MOSFET來源之間的一個低抵抗舉辦的道路和排泄的逆溫層的電壓。

如果門電壓在門限電壓之下，晶體管被關閉，并且理想地沒有潮流從流失到晶體管的來源。 實際上，有潮流甚而為門偏心在門限之下(次于最低限度的漏出)潮流，雖然它是小的并且隨門偏心變化指數地。

如果門電壓在門限電壓之上，晶體管在渠道起動，由于那里是許多電子在氧化物硅接口，創(chuàng)造低抵抗渠道，潮流可能從流失流動到來源。 重大電壓在門限之上，這個情況被要求強的反向。 渠道逐漸變細，當 vD > 0 因為電壓下落由于當前流動在抗拒渠道減少支持渠道的氧化物領域，當流失接近。2100433B

U ：上門限，U-：下門限

門限寬度

與之相關的算法較多，有自適應組裝算法，其優(yōu)點是克服了固定門限組裝算法無法適應輸入業(yè)務動態(tài)變化的缺陷，獲得較好的網絡性能。為了減小IP分組的組裝時延，有人提出了一種流量預測的組裝算法，通過線性預測的方法預測數據突發(fā)長度，在數據突發(fā)組裝完成之前就發(fā)送控制分組為其預留資源，將組裝時間和偏置時間部分重疊，可以在很大程度上降低IP分組的時延，還有人提出了一種復合組裝算法，通過將多種QoS等級的IP分組按照一定的順序組裝到一個數據突發(fā)中，可以提供更多等級的QoS保證。