不致使閥從斷態(tài)轉(zhuǎn)至通態(tài)的最大門極電壓。

中文名稱：門極不觸發(fā)電壓；英文名稱：gatenon-triggervoltage；2100433B

門極不觸發(fā)電壓造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價(jià)
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（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
電源觸發(fā)盒 品種:電源觸發(fā)盒;類別:配件單元2; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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輔助觸頭欠電壓脫扣器 Nkm1、Nkm1L、Nkm1Z-400(三極/四極) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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輔助觸頭欠電壓脫扣器 Nkm1、Nkm1L、Nkm1Z-630(三極/四極) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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輔助觸頭欠電壓脫扣器 Nkm1、Nkm1L、Nkm1Z-800(三極/四極) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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臺(tái)·月 深圳市2010年7月信息價(jià)
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臺(tái)·月 深圳市2010年5月信息價(jià)
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臺(tái)·月 深圳市2010年4月信息價(jià)
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臺(tái)·月 深圳市2010年6月信息價(jià)
自發(fā)電一體焊機(jī) 305A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2010年8月信息價(jià)
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臺(tái)班 汕頭市2012年2季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
電壓變送器 電壓變送器|1支 1 查看價(jià)格 廣東春雷環(huán)境工程有限公司 廣西  玉林市 2017-12-05
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門極不觸發(fā)電壓常見問題

  • 光伏發(fā)電電壓

    具體數(shù)值可以參考產(chǎn)品相應(yīng)的工作電壓參數(shù)。不同規(guī)格的光伏板，電壓也不同，單個(gè)硅太陽能電池片的輸出電壓約0.4伏，必須把若干太陽能電池片經(jīng)過串聯(lián)后才能達(dá)到可供使用的電壓，并聯(lián)后才能輸出較大的電流。多個(gè)太陽...

  • 發(fā)電機(jī)無電壓輸出

    1 引出線斷了2 無勵(lì)磁電壓和電流3 定子線圈內(nèi)部斷線4 轉(zhuǎn)子和定子線圈匝間短路或?qū)Φ囟搪? 轉(zhuǎn)子掃膛6 轉(zhuǎn)速達(dá)不到額定值.發(fā)電機(jī)（英文名稱：Generators）是將其他形式的能源轉(zhuǎn)換成電能的機(jī)械...

  • 施密特觸發(fā)器的閥值電壓是多少？

    施密特觸發(fā)器的閥值電壓是不穩(wěn)定。1、施密特觸發(fā)器也有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，但與一般觸發(fā)器不同的是，施密特觸發(fā)器采用電位觸發(fā)方式，其狀態(tài)由輸入信號電位維持；對于負(fù)向遞減和正向遞增兩種不同變化方向的輸入信號，施密...

門極不觸發(fā)電壓文獻(xiàn)

低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護(hù)電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)介紹 低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護(hù)電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)介紹

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評分： 4.3

低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護(hù)電路設(shè)計(jì)的詳細(xì)介紹 低觸發(fā)電壓的可控硅 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì) 摘要：當(dāng)前的集成電路設(shè)計(jì)中大量采用了可控硅的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)來進(jìn)行 ESD 的保護(hù)，但是一 般的 SCR 保護(hù)結(jié)構(gòu)很難滿足現(xiàn)在低電壓，以及一些特殊要求的集成電路 ESD 保護(hù)的要 求。研究一種低觸發(fā)電壓的可控硅結(jié)構(gòu)保護(hù)電路，通過和工藝寄生參數(shù)的結(jié)合，滿足了低 觸發(fā)電壓的設(shè)計(jì)要求。 關(guān)鍵詞：集成電路設(shè)計(jì)；靜電保護(hù)；可控硅結(jié)構(gòu)；觸發(fā)電流 1 引言 靜電放電（ ESD）對 CMOS 集成電路的可靠性構(gòu)成了很大威脅 [1]。隨著集成電路設(shè)計(jì)水 平的提高和應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)大，對于 CMOS 集成電路來說，由于特征尺寸較小，電源電壓 較低，ESD 保護(hù)僅僅采用傳統(tǒng)的二極管結(jié)構(gòu)已經(jīng)不能滿足要求。 目前廣泛使用的 ESD 保 護(hù)電路中，可控硅（ SCR）結(jié)構(gòu)具有單位面積下最高的 ESD 保護(hù)性能 [2]，同時(shí)具有很好 的大電流特

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低抖動(dòng)快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器 低抖動(dòng)快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器

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評分： 4.5

介紹了一種低抖動(dòng)、快前沿高電壓重復(fù)率觸發(fā)器,輸出參數(shù)為:重復(fù)率可達(dá)100pulse/s,輸出時(shí)延約225ns,抖動(dòng)約1ns,前沿約26ns,脈寬約70ns,高阻負(fù)載上電脈沖的峰值可達(dá)-40kV,重復(fù)率為50pulse/s時(shí),峰值可達(dá)-51kV,單次工作時(shí)的峰值可達(dá)-60kV。該觸發(fā)器主要由控制單元、高壓供電單元與脈沖形成單元構(gòu)成,脈沖形成單元采用了低電感電容對負(fù)載快放電的結(jié)構(gòu),建立開關(guān)為氫閘流管。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),氫閘流管存在微導(dǎo)通狀態(tài),開關(guān)的通道電阻及維持的時(shí)間與開關(guān)極間的電勢差有關(guān);電勢差越高,通道電阻越小,微導(dǎo)通狀態(tài)維持的時(shí)間越長。此外,氫閘流管的導(dǎo)通性能受燈絲加熱電源的影響明顯,當(dāng)加熱電壓較低時(shí),氫閘流管導(dǎo)通緩慢,延時(shí)與抖動(dòng)較大,當(dāng)加熱電壓過高時(shí),氫閘流管易于發(fā)生自擊穿。

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產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必需的最小門極電壓。

中文名稱：門極觸發(fā)電壓；英文名稱：gatetriggervoltage；定義：產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必需的最小門極電壓。2100433B

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與均勻及稍不均勻電場不同，在極不均勻電場中，各種電壓下空氣間隙擊穿電壓的差別比較明顯，分散性也較大。當(dāng)電場分布不對稱時(shí)，極性效應(yīng)顯著，正極性時(shí)空氣間隙的擊穿電壓低于負(fù)極性擊穿電壓。通常選擇棒-板電極和棒-棒電極作為典型電極，分別代表了不對稱分布和對稱分布極不均勻電場的極端情況。在沒有合適的試驗(yàn)數(shù)據(jù)可供使用時(shí)，可參照棒-板或棒-棒間隙的試驗(yàn)數(shù)據(jù)來近似估計(jì)極不均勻電場空氣間隙的擊穿電壓。間隙距離相同時(shí)，棒電極為正極性的棒-板間隙的擊穿電壓比棒為負(fù)極性時(shí)低得多，而棒-棒間隙的擊穿電壓介于兩者之間。

(1)直流電壓下的擊穿電壓：試驗(yàn)表明，在間隙距離小于3m時(shí)，擊穿電壓與間隙距離呈線性關(guān)系。對棒-板電極，棒為正極性時(shí)，平均擊穿場強(qiáng)為4.5kV/cm;棒為負(fù)極性時(shí)約為10kV/cm。對棒-棒電極，平均擊穿場強(qiáng)約為4.8～5.0kV/cm。

(2)工頻電壓下的擊穿電壓：棒-板電極間施加工頻電壓時(shí)，擊穿總是在棒的極性為正、電壓達(dá)到峰值時(shí)發(fā)生。圖1所示為空氣間隙的工頻擊穿電壓U50與間隙距離d的關(guān)系。隨著d的增加，U50的增加逐漸趨于緩慢，即具有飽和現(xiàn)象。擊穿電壓的標(biāo)準(zhǔn)差σ約為U50的3%。 2100433B

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與單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器相比，施密特觸發(fā)器的最大特點(diǎn)是不僅具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)A 和B，而且使其從穩(wěn)定狀態(tài)A轉(zhuǎn)換到穩(wěn)定狀態(tài)B和使其從穩(wěn)定狀態(tài)B轉(zhuǎn)換到穩(wěn)定狀態(tài)A時(shí)需要的觸發(fā)電平不一樣。

施密物觸發(fā)器可由分立元件構(gòu)成，也可用門電路、運(yùn)算放大器或電壓比較器構(gòu)成。不同性能的專用集成施密特觸發(fā)器也很多。

在基本RS觸發(fā)器的基礎(chǔ)上，增加一個(gè)非門G1和一個(gè)二極管VD組成的施密特觸發(fā)器。

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