第1章 引言1

1.1 ESD軟件工具Prism中的模擬及數(shù)字部分的內(nèi)容1

1.2 重要的定義3

1.2.1 ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)3

1.2.2 ESD箝位4

1.2.3 最大限制的絕對值及脈沖SOA5

1.2.4 ESD脈沖技術(shù)指標(biāo)6

1.2.5 擊穿及不穩(wěn)定性6

引言的DECIMMTM仿真例子10

第2章 擊穿及注入情形下半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的電導(dǎo)調(diào)制11

2.1 重要的定義及限制11

2.1.1 基本的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)11

2.1.2 電導(dǎo)調(diào)制及負(fù)微分電阻12

2.1.3 空間電流的不穩(wěn)定性、絲狀電流形成及抑制13

2.1.4 快返回工作14

2.1.5 本章內(nèi)容的方法要點(diǎn)16

2.2 反向偏置p-n結(jié)的雪崩擊穿16

2.2.1 雪崩擊穿現(xiàn)象的解析描述17

2.2.2 p -p-n 結(jié)構(gòu)中雪崩擊穿的數(shù)值分析19

2.3 p-i-n結(jié)構(gòu)中的雙雪崩注入22

2.3.1 效應(yīng)的解析描述22

2.3.2 p-i-n二極管結(jié)構(gòu)的解析描述22

2.4 Si n -n-n 二極管結(jié)構(gòu)中的雪崩注入24

2.4.1 解析方法25

2.4.2 仿真分析26

2.5 n-p-n二極管結(jié)構(gòu)中電導(dǎo)調(diào)制的不穩(wěn)定性27

2.5.1 浮置基區(qū)中的電導(dǎo)調(diào)制：二極管工作模式27

2.6 三極管n-p-n結(jié)構(gòu)中的電導(dǎo)調(diào)制29

2.6.1 基極接地UEB=0（BVCES）時(shí)的擊穿29

2.6.2 發(fā)射極浮置I(xiàn)E=0時(shí)的情形30

2.6.3 共發(fā)射極電路I(xiàn)B<0時(shí)的雪崩注入30

2.6.4 共發(fā)射極電路正偏基極電流I(xiàn)B>0時(shí)的雪崩注入35

2.6.5 共基極電路中的雪崩注入37

2.7 PNP結(jié)構(gòu)中的雪崩注入38

2.8 Si p-n-p-n結(jié)構(gòu)中的雙注入40

2.8.1 等效電路40

2.8.2 p-n-p-n結(jié)構(gòu)中的電導(dǎo)調(diào)制仿真41

2.9 有負(fù)微分電阻的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中空間電流的不穩(wěn)定性現(xiàn)象43

2.9.1 雪崩注入時(shí)絲狀電流的形成45

2.9.2 雙雪崩注入電導(dǎo)調(diào)制中的絲狀電流效應(yīng)48

2.9.3 雙注入情形中的電流絲效應(yīng)48

2.10 小結(jié)49

第2章的DECIMMTM仿真例子50

第3章 集成電路工藝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)器件及ESD器件51

3.1 集成電路工藝技術(shù)的ESD細(xì)節(jié)考慮51

3.1.1 具有擴(kuò)展電壓元件的典型DGO CMOS工藝51

3.1.2 BCD及BiCMOS集成工藝流程的ESD細(xì)節(jié)考慮62

3.2 ESD脈沖狀態(tài)的安全工作區(qū)65

3.2.1 保持可靠性的SOA及電流不穩(wěn)定性范圍66

3.2.2 ESD狀態(tài)的脈沖SOA67

3.2.3 BCD工藝中典型器件的ESD SOA69

3.2.4 ESD器件的不穩(wěn)定性范圍及SOA72

3.2.5 ESD器件的物理限制、空間熱逸散74

3.3 CMOS工藝中的低壓ESD器件77

3.3.1 快返回NMOS77

3.3.2 FOX(TFO)ESD器件80

3.3.3 LVTSCR和FOXSCR82

3.3.4 低壓雪崩二極管83

3.4 BJT工藝中的ESD器件86

3.4.1 集成NPN BJT器件86

3.4.2 雙極SCR87

3.5 BCD及擴(kuò)展電壓CMOS工藝中的高壓ESD器件89

3.5.1 LDMOS-SCR及DeMOS-SCR器件89

3.5.2 橫向PNP BJT器件91

3.5.3 高壓雪崩二極管95

3.6 雙向器件96

3.6.1 CMOS工藝中雙向器件結(jié)構(gòu)96

3.6.2 高壓雙向器件99

3.6.3 基于Si-Ge NPN BJT結(jié)構(gòu)的雙向ESD器件100

3.7 ESD二極管及無源元件 104

3.7.1 正向偏置ESD二極管104

3.7.2 無源元件106

3.8 小結(jié)111

第3章的DECIMMTM仿真例子111

第4章 ESD箝位117

4.1 有源NMOS箝位119

4.2 具有內(nèi)部阻擋結(jié)參考或dV/dt導(dǎo)通的低壓箝位121

4.2.1 快返回NMOS箝位121

4.2.2 瞬態(tài)觸發(fā)PMOS箝位126

4.2.3 10V FOX快返回器件126

4.2.4 LVTSCR及FOX-SCR箝位128

4.2.5 高保持電壓的LVTSCR箝位130

4.2.6 SCR箝位中的觸發(fā)特性控制132

4.3 ESD箝位中的電壓和電流參考137

4.3.1 BiCMOS工藝中的低壓箝位138

4.3.2 具有電壓參考的NPN箝位140

4.4 高壓ESD器件142

4.4.1 具有內(nèi)部阻擋結(jié)參考的20V NPN142

4.4.2 具有外部橫向雪崩二極管參考的NPN箝位143

4.4.3 基于SCR的高壓箝位143

4.4.4 橫向LPNP箝位144

4.4.5 混合器件-電路雙模式方法144

4.5 自保護(hù)概念148

4.5.1 器件級自保護(hù)148

4.5.2 陣列級自保護(hù)149

4.6 超高壓電路的ESD保護(hù)152

4.7 小結(jié)154

第4章的DECIMMTM仿真例子154

第5章 ESD網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)原理163

5.1 基于軌道的ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)164

5.1.1 基于軌道和局部的ESD保護(hù)164

5.1.2 采用快返回箝位基于軌道的ESD保護(hù)166

5.1.3 采用有源箝位基于軌道的ESD保護(hù)168

5.1.4 BiCMOS工藝中有源箝位設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)考慮171

5.1.5 雙極差分輸入保護(hù)176

5.1.6 雙極輸出保護(hù)179

5.1.7 CMOS 輸入和輸出保護(hù)181

5.1.8 陣列級的考慮183

5.1.9 二級保護(hù)的概念185

5.2 基于局部箝位的ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)191

5.2.1 局部ESD保護(hù)191

5.2.2 串行數(shù)據(jù)線引腳情形研究192

5.2.3 EEPROM中擦除引腳的保護(hù)193

5.2.4 內(nèi)部引腳的局部保護(hù)196

5.2.5 高速I/O引腳的局部保護(hù)198

5.3 多電壓域的ESD網(wǎng)絡(luò)200

5.3.1 多電壓域200

5.3.2 具有單一有源箝位網(wǎng)絡(luò)的多電壓域保護(hù)201

5.3.3 差分輸入局部雙向ESD保護(hù)202

5.4 具有ESD緊密模型的ESD網(wǎng)絡(luò)仿真203

5.4.1 用于快返回NMOS及PMOS器件的緊密模型204

5.4.2 快返回LVTSCR模型204

5.4.3 擴(kuò)展電壓快返回緊密模型205

5.4.4 高壓漏極開路的電路分析210

5.5 小結(jié)211

第5章的DECIMMTM仿真例子211

第6章 單通道模擬電路的ESD設(shè)計(jì)219

6.1 放大器220

6.1.1 放大器的產(chǎn)品系列及技術(shù)指標(biāo) 220

6.1.2 放大器的ESD解決方案224

6.1.3 雙極輸出高壓音頻放大器226

6.1.4 低壓放大器的雙極輸出保護(hù)227

6.1.5 輸入保護(hù)229

6.1.6 CMOS輸出230

6.2 數(shù)-模轉(zhuǎn)換器和模-數(shù)轉(zhuǎn)換器230

6.2.1 高速DAC的功能模塊231

6.3 高速接口I/O引腳234

6.3.1 接口類模擬產(chǎn)品234

6.3.2 集成電路電纜放電事件的測試程序235

6.3.3 滿足CDE要求的接口引腳ESD保護(hù) 237

6.4 小結(jié)238

第6章的DECIMMTM仿真例子239

第7章 電源管理電路的ESD保護(hù)247

7.1 電源管理產(chǎn)品247

7.1.1 電源管理產(chǎn)品及ESD挑戰(zhàn)247

7.1.2 集成的DC-DC轉(zhuǎn)換器及控制器250

7.1.3 集成電源陣列251

7.2 低壓電源電路ESD263

7.2.1 低壓電源開關(guān)模塊263

7.2.2 降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器265

7.2.3 低壓開關(guān)引腳的局部快返回保護(hù)266

7.3 集成高壓調(diào)節(jié)器的ESD保護(hù)270

7.3.1 集成異步降壓調(diào)節(jié)器270

7.3.2 同步調(diào)節(jié)器273

7.4 控制器280

7.4.1 異步降壓-升壓（SEPIC）控制器280

7.4.2 同步降壓控制器283

7.5 光管理單元和LED驅(qū)動(dòng)器285

7.5.1 模擬LED技術(shù)285

7.5.2 LED驅(qū)動(dòng)器286

7.5.3 光管理單元287

7.6 其他例子的研究292

7.6.1 電源陣列-ESD箝位的相互作用292

7.6.2 N型外延層-N型外延層的瞬態(tài)閂鎖294

7.6.3 高壓引腳保護(hù)的CDM297

7.7 小結(jié)301

第7章的DECIMMTM仿真例子302

第8章 系統(tǒng)級和分立元件的ESD309

8.1 系統(tǒng)級規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)309

8.1.1 ESD魯棒系統(tǒng)的意義309

8.1.2 系統(tǒng)級ESD脈沖及模型312

8.1.3 系統(tǒng)級事件的瞬態(tài)閂鎖316

8.1.4 系統(tǒng)級的保護(hù)元件319

8.2 晶圓片人體金屬模型測量319

8.2.1 晶圓片HMM測試儀及脈沖等效電路321

8.2.2 HMM-HBM元件的相關(guān)性322

8.3 系統(tǒng)級引腳的片上設(shè)計(jì)325

8.3.1 系統(tǒng)級保護(hù)的電路例子325

8.4 熱交換及熱插拔329

8.4.1 二級SCR ESD器件的概念330

8.5 系統(tǒng)級封裝的保護(hù)334

8.6 分立元件的ESD魯棒性335

8.6.1 高可靠性系統(tǒng)中的分立元件335

8.6.2 分立元件的ESD要求336

8.6.3 有缺陷器件的基本數(shù)值分析及二晶體管模型337

8.6.4 分立元件魯棒性的實(shí)驗(yàn)評估340

8.7 小結(jié)344

第8章的DECIMMTM仿真例子345

參考文獻(xiàn)348"

模擬電路的ESD設(shè)計(jì)造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價(jià)
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本書首先介紹半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、集成標(biāo)準(zhǔn)及ESD器件、ESD箝位設(shè)計(jì)原理以及ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)原理，在此基礎(chǔ)上介紹單通道模擬集成電路的ESD保護(hù)以及電源管理模擬集成電路的ESD保護(hù)，最后介紹系統(tǒng)的ESD保護(hù)以及系統(tǒng)對分立元件的ESD要求。 本書不僅可以作為教科書學(xué)習(xí)，加深對半導(dǎo)體器件及電路ESD知識的理解，而且可以通過給出的大量例子練習(xí)以及推薦的軟件，去幫助讀者解決在實(shí)際中碰到的ESD難題，因而，本書是一本理論同應(yīng)用高度結(jié)合的工具書。本書適合從事集成電路設(shè)計(jì)及系統(tǒng)應(yīng)用的廣大科技人員閱讀，也可以作為相關(guān)領(lǐng)域研究生和大學(xué)生的教學(xué)參考書。

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模擬電路的ESD設(shè)計(jì)目錄文獻(xiàn)

模擬電路教學(xué)案例 模擬電路教學(xué)案例

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總課時(shí)號 任課班級 11 電子 科目 模擬電子技術(shù) 備課時(shí)間 上課時(shí)間 課時(shí)數(shù) 10 課題名稱 項(xiàng)目一 任務(wù)一 制作與測試二極管整流電路 背景分析 電子電路的工作原理及所具有的不同功能， 都與電子線路中所使用的半導(dǎo) 體器件的類型、 性能、工作狀態(tài)有關(guān)。因此， 熟悉并掌握半導(dǎo)體器件的基本知 識，就成為學(xué)習(xí)與應(yīng)用電子線路的關(guān)鍵。 本章所介紹的二極管就是一種常用的 半導(dǎo)體器件，其用途十分廣泛。 教學(xué)目標(biāo) 確立 知識與技能 1.了解二極管的基本知識； 2.掌握單相整流電路的組成 3.理解單相整流電路的工作原理。 4.會(huì)識別二極管并能對其進(jìn)行檢測； 5.會(huì)制作與檢測單相橋式整流電路； 過程與方法 采用項(xiàng)目引領(lǐng)，任務(wù)驅(qū)動(dòng)的教學(xué)模式，實(shí)現(xiàn) “做中教、做中學(xué)，教學(xué)做合一” 的教學(xué)理念，培養(yǎng)學(xué)生的自主學(xué)習(xí)能力和動(dòng)手實(shí)踐能力。 情感態(tài)度 與價(jià)值觀 1.通過創(chuàng)設(shè)情景、實(shí)物演示，激發(fā)學(xué)生的好奇心和求知欲； 2.

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模擬電路習(xí)題2

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前言

致謝

第1章ESD設(shè)計(jì)綜合

第2章ESD架構(gòu)和平面布局

第3章ESD電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)

第4章ESD電源鉗位

第5章ESD信號引腳網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)與綜合

第6章保護(hù)環(huán)的設(shè)計(jì)與綜合

第7章ESD全芯片設(shè)計(jì)——集成與結(jié)構(gòu)

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《ESD設(shè)計(jì)與綜合》是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻譯版。本書的目的在于教會(huì)讀者半導(dǎo)體芯片上ESD設(shè)計(jì)的“藝術(shù)”。全書的線索將按照如下順序：版圖布局、結(jié)構(gòu)、電源軌及電源軌的ESD網(wǎng)絡(luò)、ESD信號引腳解決方案、保護(hù)環(huán)還有一大批實(shí)現(xiàn)的實(shí)例。這條線索同其他已公開的大部分相關(guān)資料不同，但卻更貼近實(shí)際團(tuán)隊(duì)在實(shí)現(xiàn)ESD設(shè)計(jì)過程中所采用的方法。除此之外，本書還將為讀者介紹當(dāng)下處于熱議的許多結(jié)構(gòu)和概念。同時(shí)還將展示如DRAM、SRAM、圖像處理芯片、微處理器、混合電壓到混合信號應(yīng)用，以及版圖布局等實(shí)例。最后，本書還將介紹其他資料中尚未討論過的話題，包括電源總線結(jié)構(gòu)、保護(hù)環(huán)、版圖布局。本書主要面向需要學(xué)習(xí)和參考ESD相關(guān)設(shè)計(jì)的工程師，或需要學(xué)習(xí)ESD相關(guān)知識的微電子學(xué)和集成電路設(shè)計(jì)專業(yè)高年級學(xué)生和研究生。

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靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischarged Protection)防靜電管ESD靜電二極管簡稱ESD，是一種過壓、防靜電保護(hù)元件，是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計(jì)的器件。

優(yōu)恩ESD靜電二極管封裝規(guī)格有：SOD-323封裝、SOD-523封裝、SOD-882封裝、DFN-1006封裝、DFN-1006BP封裝、DFN-1006DN封裝、SOD-882封裝、SOD-923封裝、SO-08封裝、SOP-14封裝、SOP-16封裝、SOT-23封裝、SOT-25封裝、SOT-26封裝、SOT-143封裝、SOT-323封裝、SOT-353封裝、SOT-363封裝、SOT-553封裝、SOT-563封裝、DSON-10封裝、MSOP-08封裝、DFN2010P8封裝、DFN2510P10封裝、DFN2626P10封裝、EMI系列、高分子ESD靜電二極管系列、SOD-123封裝、DFN0603(0201)封裝、SO-06封裝、SOT-363封裝、DFN2510封裝等規(guī)格系列。

產(chǎn)品電壓：2.5V-70V

產(chǎn)品特性：反應(yīng)速度快（小于1ns），電容值低，體積小，集成度高，封裝多樣化，漏電流低，電壓值低（最低可做到2.5V）有助于保護(hù)敏感的電子電路不受靜電放電（ESD）事件的破壞，是理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)器件。

產(chǎn)品作用：ESD靜電二極管并聯(lián)于電路中，當(dāng)電路正常工作時(shí)，它處于截止?fàn)顟B(tài)（高阻態(tài)），不影響線路正常工作，當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓并達(dá)到其擊穿電壓時(shí)，它迅速由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，給瞬間電流提供低阻抗導(dǎo)通路徑,同時(shí)把異常高壓箝制在一個(gè)安全水平之內(nèi)，從而保護(hù)被保護(hù)IC或線路；當(dāng)異常過壓消失，其恢復(fù)至高阻態(tài)，電路正常工作。

產(chǎn)品應(yīng)用：靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和USB3.0接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備（PDA、DSC、藍(lán)牙）、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。

ESD保護(hù)器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響。可提供非常低的電容，具有優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測試，以及IEC6100-4-2測試能力，尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后，進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。

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