摻雜和缺陷均可造成導(dǎo)帶中電子濃度的增高. 對于鍺、硅類半導(dǎo)體材料，摻雜Ⅴ族元素(磷、砷、銻等)，當(dāng)雜質(zhì)原子以替位方式取代晶格中的鍺、硅原子時，可提供除滿足共價鍵配位以外的一個多余電子，這就形成了半導(dǎo)體中導(dǎo)帶電子濃度的增加，該類雜質(zhì)原子稱為施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半導(dǎo)體，如ZnO、Ta2O5等，其化學(xué)配比往往呈現(xiàn)缺氧，這些氧空位能表現(xiàn)出施主的作用，因而該類氧化物通常呈電子導(dǎo)電性，即是N型半導(dǎo)體，真空加熱，能進(jìn)一步加強(qiáng)缺氧的程度，這表現(xiàn)為更強(qiáng)的電子導(dǎo)電性。

N型半導(dǎo)體造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
半導(dǎo)體指紋頭 品種:指紋鎖;說明:標(biāo)配換半導(dǎo)體; 查看價格 查看價格

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半導(dǎo)體量子阱型筒燈 DLZT-005(5W/220V） 查看價格 查看價格

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半導(dǎo)體量子阱型路燈 DLZL-038(38W/220V) 查看價格 查看價格

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半導(dǎo)體量子阱型路燈 DLZL-023(23W/220V) 查看價格 查看價格

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半導(dǎo)體量子阱型路燈 DLZL-130(130W/220V) 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
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半導(dǎo)體中有兩種載流子，即價帶中的空穴和導(dǎo)帶中的電子，以電子導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱之為N型半導(dǎo)體，與之相對的，以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體。 “N”表示負(fù)電的意思，取自英文Negative的第一個字母。在這類半導(dǎo)體中，參與導(dǎo)電的 (即導(dǎo)電載體) 主要是帶負(fù)電的電子，這些電子來自半導(dǎo)體中的施主。凡摻有施主雜質(zhì)或施主數(shù)量多于受主的半導(dǎo)體都是N型半導(dǎo)體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或硅等半導(dǎo)體。

由于N型半導(dǎo)體中正電荷量與負(fù)電荷量相等，故N型半導(dǎo)體呈電中性。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。

N型半導(dǎo)體形成原理常見問題

  • 半導(dǎo)體致冷片原理

    簡單的說：利用制冷片，制冷片也叫熱電半導(dǎo)體制冷組件，帕爾貼等。因為制冷片分為兩面，一面吸熱，一面散熱，只是起到導(dǎo)熱作用，本身不會產(chǎn)生冷，所以又叫致冷片，或者說應(yīng)該是叫致冷片。 半導(dǎo)體熱電偶由N型...

  • 半導(dǎo)體的特性

    半導(dǎo)體主要具有三大特性：1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變。例如純鍺，濕度每升高10度，它的電阻率就要減小到原來的1／2。溫度的細(xì)微變化，能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來。利用半...

  • 半導(dǎo)體封裝，半導(dǎo)體封裝是什么意思

    半導(dǎo)體封裝簡介:半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝...

N型半導(dǎo)體形成原理文獻(xiàn)

半導(dǎo)體特性 半導(dǎo)體特性

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實用標(biāo)準(zhǔn)文案 精彩文檔 建 平 縣 職 業(yè) 教 育 中 心 備 課 教 案 課 題 模塊（單元）第一章 項目（課） 半導(dǎo)體的主要特征 授課班級 11電子 授課教師 安森 授課類型 新授 授課時數(shù) 2 教學(xué)目標(biāo) 知識目標(biāo) 描述半導(dǎo)體的主要特征 能力目標(biāo) 能夠知道 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 情感態(tài)度目標(biāo) 培養(yǎng)學(xué)生的學(xué)習(xí)興趣，培養(yǎng)學(xué)生的愛崗敬業(yè)精神 教學(xué)核心 教學(xué)重點(diǎn) 半導(dǎo)體的主要特征 教學(xué)難點(diǎn) P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 思路概述 先講解半導(dǎo)體的特點(diǎn)，再講 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體的特點(diǎn) 教學(xué)方法 讀書指導(dǎo)法、演示法。 教學(xué)工具 電腦，投影儀 教 學(xué) 過 程 一、組織教學(xué)：師生互相問候，安全教育，上實訓(xùn)課時一定要聽從老師的指揮，在實訓(xùn)室不要亂動電源。 二、復(fù)習(xí)提問：生活中哪些電子元器件是利用半導(dǎo)體制作出來的？ 三、導(dǎo)入新課： 我們的生活中根據(jù)導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱可以分成哪幾種， 這節(jié)課我

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泰德半導(dǎo)體 泰德半導(dǎo)體

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評分： 4.7

No. Type Vi Vo Fre Package Io ηmax OCP OTP SP 技術(shù)誤 差 同類PIN對PIN產(chǎn)品型 號 適用產(chǎn)品范圍 備注 1 TD1410 3.6~20 1.222~18 380KHz SOP-8 2A 95% Y ≤3％ MPS1410/9141/ACT4060/A TC4012/FSP3126/ZA3020 等 便攜式DVD、LCD顯示驅(qū)動板。液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相 框.電信ADSL.車載DVD/VCD/CD.GPS。安防等 TD1410采用CMOS工藝 /6寸晶圓。是一款高效率低損耗 ,工作穩(wěn)定 ,性價比 很高使用面廣的 DC/DC電源管理芯片。 3 TD1534 1~20 0.8~18 380KHz SOP8 2A 95% Y ≤2％ MP1513 TD1513 路由器，便攜式 DVD、機(jī)頂盒、平板電腦、筆記本電腦、 LCD顯示 驅(qū)動板 .液晶

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半導(dǎo)體氣敏陶瓷的導(dǎo)電機(jī)理主要有能級生成理論和接觸粒界勢壘理論。按能級生成理論，當(dāng)SnO2、ZnO等N型半導(dǎo)體陶瓷表面吸附還原性氣體時，氣體將電子給予半導(dǎo)體，并以正電荷與半導(dǎo)體相吸，而進(jìn)入N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子又束縛少數(shù)載流子空穴，使空穴與電子的復(fù)合率降低，增大電子形成電流的能力，使陶瓷電阻值下降；當(dāng)N型半導(dǎo)體陶瓷表面吸附氧化性氣體時，氣體將其空穴給予半導(dǎo)體，并以負(fù)離子形式與半導(dǎo)體相吸，而進(jìn)入N型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴使半導(dǎo)體內(nèi)的電子數(shù)減少，因而陶瓷電阻值增大。接觸粒界勢壘理論則依據(jù)多晶半導(dǎo)體能帶模型，在多晶界面存在勢壘，當(dāng)界面存在氧化性氣體時勢壘增加，存在還原性氣體時勢壘降低，從而導(dǎo)致阻值變化。

常用的氣敏陶瓷材料有SnO2、ZnO和ZrO2。SnO2氣敏陶瓷的特點(diǎn)是靈敏度高，且出現(xiàn)最高靈敏度的溫度Tm較低（約300℃），最適于檢測微量濃度氣體，對氣體的檢測是可逆的，吸附、解析時間短。ZnO氣敏陶瓷的氣體選擇性強(qiáng)。ZrO2系氧氣敏感陶瓷是一種固體電解質(zhì)陶瓷的快離子導(dǎo)體。因ZrO2固體中含有大量氧離子晶格空位，因此，造成氧離子導(dǎo)電。

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發(fā)光二極管的核心部分是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體組成的晶片，在p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體之間有一個過渡層，稱為p-n結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。

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半導(dǎo)體氣敏陶瓷的導(dǎo)電機(jī)理主要有能級生成理論和接觸粒界勢壘理論。按能級生成理論，當(dāng)SnO2、ZnO等N型半導(dǎo)體陶瓷表面吸附還原性氣體時，氣體將電子給予半導(dǎo)體，并以正電荷與半導(dǎo)體相吸，而進(jìn)入N型半導(dǎo)體內(nèi)的電子又束縛少數(shù)載流子空穴，使空穴與電子的復(fù)合率降低，增大電子形成電流的能力 ，使陶瓷電阻值下降；當(dāng)N型半導(dǎo)體陶瓷表面吸附氧化性氣體時，氣體將其空穴給予半導(dǎo)體，并以負(fù)離子形式與半導(dǎo)體相吸， 而進(jìn)入N型半導(dǎo)體內(nèi)的空穴使半導(dǎo)體內(nèi)的電子數(shù)減少，因而陶瓷電阻值增大。接觸粒界勢壘理論則依據(jù)多晶半導(dǎo)體能帶模型，在多晶界面存在勢壘，當(dāng)界面存在氧化性氣體時勢壘增加，存在還原性氣體時勢壘降低，從而導(dǎo)致阻值變化。

常用的氣敏陶瓷材料有SnO2、ZnO和ZrO2。SnO2氣敏陶瓷的特點(diǎn)是靈敏度高，且出現(xiàn)最高靈敏度的溫度Tm較低（約300℃），最適于檢測微量濃度氣體，對氣體的檢測是可逆的，吸附、解析時間短。ZnO氣敏陶瓷的氣體選擇性強(qiáng)。ZrO2系氧氣敏感陶瓷是一種固體電解質(zhì)陶瓷的快離子導(dǎo)體。因ZrO2固體中含有大量氧離子晶格空位，因此，造成氧離子導(dǎo)電。

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