品色F-508ForSony無線閃光燈觸發(fā)器主要性能

1 LED主要參數(shù)與特性 LED 是利用化合物材料制成 pn結的光電器件。 它具備 pn結結型器件的電學特性： I-V 特性、 C-V 特性和光學特性：光譜響應特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。 1、LED 電學特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn結制備性能主要參數(shù)。 LED 的 I-V 特性具有非線性、整流 性質：單向導電性，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 如左圖： (1) 正向死區(qū)：（圖 oa或 oa′段） a點對于 V0 為開啟電壓，當 V＜Va，外加電場尚克服 不少因載流子擴散而形成勢壘電場， 此時 R 很大；開啟電壓對于不同 LED 其值不同， GaAs 為 1V，紅色 GaAsP為 1.2V，GaP為 1.8V，GaN 為 2.5V。 （2）正向工作區(qū)：電流 IF 與外加電壓呈指數(shù)關系 IF =

1 LED主要參數(shù)與特性 LED 是利用化合物材料制成 pn結的光電器件。 它具備 pn結結型器件的電學特性： I-V 特性、 C-V 特性和光學特性：光譜響應特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。 1、LED 電學特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn結制備性能主要參數(shù)。 LED 的 I-V 特性具有非線性、整流 性質：單向導電性，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 如左圖： (1) 正向死區(qū)：（圖 oa或 oa′段） a點對于 V0 為開啟電壓，當 V＜Va，外加電場尚克服 不少因載流子擴散而形成勢壘電場， 此時 R 很大；開啟電壓對于不同 LED 其值不同， GaAs 為 1V，紅色 GaAsP為 1.2V，GaP為 1.8V，GaN 為 2.5V。 （2）正向工作區(qū)：電流 IF 與外加電壓呈指數(shù)關系 IF =