柔性襯底非晶硅太陽(yáng)能電池

襯底支撐組件在處理室中支撐襯底。所述的襯底支撐組件具有:支撐塊，所述支撐塊具有電極;以及臂，用于在所述處理室中支持所述的支撐塊，所述的臂具有貫穿其中的通道。所述的臂具有固定到所述支撐塊的第一夾板以及固定到所述處理室的第二夾板。多個(gè)電導(dǎo)體穿過所述臂的所述通道，而陶瓷絕緣體處在所述的導(dǎo)體之間。

對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。三種襯底材料:藍(lán)寶石(Al2O3)、硅(Si)、碳化硅(SiC)。

藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn):1.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好 ;2.穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過程中; 3.機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。

藍(lán)寶石的不足:1.晶格失配和熱應(yīng)力失配，會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷;2.藍(lán)寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個(gè)電極，造成了有效發(fā)光面積減少;3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，制作成本高。

硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長(zhǎng)了器件的壽命。

碳化硅襯底(CREE公司專門采用SiC材料作為襯底)的LED芯片，電極是L型電極，電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。優(yōu)點(diǎn): 碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。不足:碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。

在實(shí)際工作中，經(jīng)常出現(xiàn)襯底和源極不相連的情況，此時(shí)，VBS不等于0。由基本的pn結(jié)理論可知，處于反偏的pn結(jié)的耗盡層將展寬。上圖說明了NMOS管在VDS較小時(shí)的襯底耗盡層變化情況，圖中的淺色邊界是襯底偏置為0時(shí)的耗盡層邊界。當(dāng)襯底與源處于反偏時(shí)，襯底中的耗盡區(qū)變厚，使得耗盡層中的固定電荷數(shù)增加。由于柵電容兩邊電荷守衡，所以，在柵上電荷沒有改變的情況下，耗盡層電荷的增加，必然導(dǎo)致溝道中可動(dòng)電荷的減少，從而導(dǎo)致導(dǎo)電水平下降。若要維持原有的導(dǎo)電水平，必須增加?xùn)艍海丛黾訓(xùn)派系碾姾蓴?shù)。對(duì)器件而言，襯底偏置電壓的存在，將使MOS晶體管的閾值電壓的數(shù)值提高。對(duì)NMOS，VTN更正，對(duì)PMOS，VTP更負(fù)，即閾值電壓的絕對(duì)值提高了。

γ為襯底偏置效應(yīng)系數(shù)，它隨襯底摻雜濃度而變化，典型值：NMOS晶體管，γ=0.7～3.0。PMOS晶體管，γ=0.5~0.7對(duì)于PMOS晶體管，?VT取負(fù)值，對(duì)NMOS晶體管，取正值。

對(duì)處于動(dòng)態(tài)工作的器件而言，當(dāng)襯底接一固定電位時(shí)，襯偏電壓將隨著源節(jié)點(diǎn)電位的變化而變化，產(chǎn)生對(duì)器件溝道電流的調(diào)制，這稱為背柵調(diào)制，用背柵跨導(dǎo)gmB來定義這種調(diào)制作用的大?。?/p>

其中三個(gè)重要端口參數(shù)：gm、gds和gmb對(duì)應(yīng)了MOS器件的三個(gè)信號(hào)端口G-S、D-S、B-S，它們反映了端口信號(hào)對(duì)漏源電流的控制作用。