中文名 | 蝕刻技術(shù) | 目????的 | 光刻腐蝕加工薄形精密金屬制品 |
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分????類 | 干式蝕刻和濕式蝕刻 |
蝕刻技術(shù)是利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來去除薄膜未被光阻覆蓋的部分,而達(dá)到蝕刻的目的,這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因?yàn)闈袷轿g刻是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除,而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性,因此濕式蝕刻過程為等向性,一般而言此方式不足以定義3微米以下的線寬,但對(duì)于3微米以上的線寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術(shù)。
通??山逵筛淖?nèi)芤簼舛燃皽囟扔枰钥刂啤H芤簼舛瓤筛淖兎磻?yīng)物質(zhì)到達(dá)及離開待蝕刻物表面的速率,一般而言,當(dāng)溶液濃度增加時(shí),蝕刻速率將會(huì)提高。而提高溶液溫度可加速化學(xué)反應(yīng)速率,進(jìn)而加速蝕刻速率。
除了溶液的選用外,選擇適用的屏蔽物質(zhì)亦是十分重要的,它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩(wěn)定而不變質(zhì)。而光阻通常是一個(gè)很好的屏蔽材料,且由于其圖案轉(zhuǎn)印步驟簡單,因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時(shí)也會(huì)發(fā)生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕,造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用黏著促進(jìn)劑來增加光阻與基材間的黏著性,如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因?yàn)楣庾枧c基材間的應(yīng)力差異太大,減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質(zhì)來吸收兩者間的應(yīng)力差。
蝕刻化學(xué)反應(yīng)過程中所產(chǎn)生的氣泡常會(huì)造成蝕刻的不均勻性,氣泡留滯于基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,將使得蝕刻速率變慢或停滯,直到氣泡離開基材表面。因此在這種情況下會(huì)在溶液中加入一些催化劑增進(jìn)蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,并在蝕刻過程中予于攪動(dòng)以加速氣泡的脫離。
其基本原理是利用化學(xué)感光材料的光敏特性, 在基體金屬基片兩面均勻涂敷感光材料采用光刻方法, 將膠膜板上柵網(wǎng)產(chǎn)顯形狀精確地復(fù)制到金屬基片兩面的感光層掩膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜, 將裸露的金屬部分在后續(xù)的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除, 最終獲取所需的幾何形狀及高精度尺寸的產(chǎn)品技術(shù)蝕刻技術(shù)
蝕刻一共有兩大類:1:干式蝕刻; 2:濕式蝕刻。
產(chǎn)品型號(hào):自動(dòng)單雙面蝕刻機(jī)參數(shù)說明:編號(hào):7198474316外形尺寸:2000×1120 ×1000 mm加工版面:≤寬600mm(長度不限)工作形式:連續(xù)進(jìn)料、雙面噴淋式過濾形式:供液過濾+下料過...
1、金屬銘牌包括:銅牌、鋁牌、不銹鋼牌、鈦金牌和鐵牌。2、這些金屬銘牌蝕刻技術(shù)方面的書籍近幾年倒是出過幾本,但書里列舉的加工配方和工藝都是學(xué)校里教學(xué)的風(fēng)格,不切合實(shí)際生產(chǎn)情況。因此,即便買到了這樣的書...
蝕刻液分兩種:1. 酸蝕刻: 主要成份為三氯化鐵,濃度在600 G/L左右2.堿蝕刻:主要成份為氫氧化鈉,濃度在120G/L左右。供參考
低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的蝕刻選擇比。但相對(duì)于干式蝕刻,除了無法定義較細(xì)的線寬外,濕式蝕刻仍有以下的缺點(diǎn):1) 需花費(fèi)較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水;2) 化學(xué)藥品處理時(shí)人員所遭遇的安全問題;3) 光阻附著性問題;4) 氣泡形成及化學(xué)蝕刻液無法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻;5) 廢氣及潛在的爆炸性。
濕式蝕刻過程可分為三個(gè)步驟:1) 化學(xué)蝕刻液擴(kuò)散至待蝕刻材料之表面;2) 蝕刻液與待蝕刻材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng); 3) 反應(yīng)后之產(chǎn)物從蝕刻材料之表面擴(kuò)散至溶液中,并隨溶液排出(3)。三個(gè)步驟中進(jìn)行最慢者為速率控制步驟,也就是說該步驟的反應(yīng)速率即為整個(gè)反應(yīng)之速率。
大部份的蝕刻過程包含了一個(gè)或多個(gè)化學(xué)反應(yīng)步驟,各種形態(tài)的反應(yīng)都有可能發(fā)生,但常遇到的反應(yīng)是將待蝕刻層表面先予以氧化,再將此氧化層溶解,并隨溶液排出,如此反復(fù)進(jìn)行以達(dá)到蝕刻的效果。如蝕刻硅、鋁時(shí)即是利用此種化學(xué)反應(yīng)方式。
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評(píng)分: 4.7
采用噴淋式蝕刻機(jī),以FeCl3基蝕刻液對(duì)模具鋼進(jìn)行噴淋蝕刻,通過測定不同蝕刻液溫度、不同噴淋壓力下的蝕刻深度,考察了幾個(gè)獨(dú)立因素對(duì)蝕刻深度的影響,得出蝕刻深度的規(guī)律性變化:蝕刻深度增長速率隨蝕刻液溫度的升高而增大,隨噴淋壓力的增大而先增大,后逐漸減小。分析了蝕刻深度呈此種變化規(guī)律的原因。
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評(píng)分: 4.7
綜述了用化學(xué)及電化學(xué)方法在不銹鋼上蝕刻花紋圖案的各種工藝技術(shù)及其應(yīng)用情況,以及 FeCl3溶液蝕刻不銹鋼的規(guī)律及其主要影響因素。
一、電解蝕刻 (electrolytic etching)
用母模作導(dǎo)電性陰極,以電解液作媒介,對(duì)加工部分,集中實(shí)施蝕刻的侵蝕去除法。
二、化學(xué)蝕刻(chemical etching)
利用耐藥品被膜,把蝕刻侵蝕去除,作用集中于所要部位的方法。照相蝕刻技術(shù)(photo-etching process) 在金屬表面全面均勻形成層狀的感旋光性耐藥品被膜(photo resist) ,而透過原圖底片,用紫外線等曝光,后施以顯像處理,來形成所要形狀的耐藥品被膜之被覆層,再以蝕刻浴的酸液或堿液,對(duì)露出部產(chǎn)生化學(xué)或電化學(xué)侵蝕作用,來溶解金屬的加工技術(shù)。
三、蝕刻技術(shù)之特性
1、不需要電極、母型 (master) 等工具,故無需此等工具之維護(hù)費(fèi)。
2、由規(guī)劃到生產(chǎn)間所需時(shí)間短,可作短期加工。
3、材料之物理、機(jī)械性質(zhì)不受加工影響。
4、加工不受形狀、面積、重量之限制。
5、加工不受硬度、脆性之限制。
6、能對(duì)所有金屬 ( 鐵、不銹鋼、鋁合金、銅合金、鎳合金、鈦、合金 )實(shí)施加工。
7、可高精度加工。
8、可施復(fù)雜、不規(guī)則、不連續(xù)之設(shè)計(jì)加工。
9、 面積大,加工效率良好,但小面積時(shí),其效率比機(jī)機(jī)械加工差。
10、 水平向之切削易得高精度,但深度、垂直方向不易得到同機(jī)機(jī)械加工之 精度。
11、被加工物之組成組織宜均勻,對(duì)不均質(zhì)材,不易加工順利。
自動(dòng)型蝕刻機(jī):
1、 如今市場上所見到的自動(dòng)型化學(xué)蝕刻機(jī)是通過高壓噴淋及被蝕刻板直線運(yùn)動(dòng)形成連續(xù)不間斷進(jìn)料狀態(tài)進(jìn)行對(duì)工件腐蝕以提高生產(chǎn)效率;
2、加大了噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度,無論在蝕刻效果、速度和改善操作者的環(huán)境及方便程度,都優(yōu)于潑濺式蝕刻;
3、 經(jīng)反復(fù)實(shí)驗(yàn)噴射壓力在1-2 Kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉,使蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高,由于該蝕刻機(jī)液體可循環(huán)再生使用,此項(xiàng)可大大降低蝕刻成本,也可達(dá)到環(huán)保加工要求。
化學(xué)蝕刻(Chemical etching)
蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。
蝕刻技術(shù)可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『干蝕刻』(dry etching)兩類。
通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻(photochemical etching),指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,名牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等之加工;經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
比如Moto V3的鍵盤,文字和符號(hào)均為采用鏤空蝕刻工藝成型。