中文名 | 石墨電弧法 | 定????義 | 用石墨電極在一定氣氛中放電,從陰極沉積物中收集碳納米分子材料的方法 |
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納米材料具有一定的獨(dú)特性,當(dāng)物質(zhì)尺度小到一定程度時,則必須改用量子力學(xué)取代傳統(tǒng)力學(xué)的觀點(diǎn)來描述它的行為,當(dāng)粉末粒子尺寸由10微米降至10納米時,其粒徑雖改變?yōu)?000倍,但換算成體積時則將有10的9次方倍之巨,所以二者行為上將產(chǎn)生明顯的差異。納米粒子異于大塊物質(zhì)的理由是在其表面積相對增大,也就是超微粒子的表面布滿了階梯狀結(jié)構(gòu)。2100433B
石墨電極的煉鋼消耗與電爐的技術(shù)參數(shù)和冶煉工藝有關(guān)。一般冶煉爐石墨電極的消耗是每噸鋼3公斤以下;精煉爐石墨電極的消耗是每噸鋼1公斤以下。目前石墨電極價格為:普通電極9000——12000元/噸;...
深圳大概率資管為您解答:石墨烯是一種由碳原子以sp2雜化方式形成的蜂窩狀平面薄膜,是一種只有一個原子層厚度的準(zhǔn)二維材料,所以又叫做單原子層石墨。由于其十分良好的強(qiáng)度、柔韌、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、光學(xué)特性,在物理...
兩者材質(zhì)不一樣。石墨電極,主要以石油焦、針狀焦為原料,煤瀝青作結(jié)合劑,經(jīng)煅燒、配料、混捏、壓型、焙燒、石墨化、機(jī)加工而制成,是在電弧爐中以電弧形式釋放電能對爐料進(jìn)行加熱熔化的導(dǎo)體,根據(jù)其質(zhì)量指標(biāo)高低,...
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利用研發(fā)的小容量可變頻ASTM觸頭材料電性能模擬測試系統(tǒng)和電光分析天平完成了低壓、交流400Hz和50 Hz、阻性小電流下AgC、AgCdO、AgNi和AgW觸頭材料的電性能對比試驗和材料稱重,用SEM和EDAX測量與分析了銀石墨觸頭材料的表面形貌與微區(qū)組份。研究表明:400 Hz時,電弧對電觸頭材料的燒損形式是停滯式,而非50 Hz時的漩流式;同時,觸頭燒蝕面積較50 Hz減小,表層燒蝕更嚴(yán)重。在400 Hz、小電流下,對比不同第二組元銀基合金觸頭材料的抗熔焊性能,銀石墨觸頭材料的最弱。
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1.前言隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和整流技術(shù)的應(yīng)用,炭素工業(yè)的石墨化電爐、鋁電解及高級耐火材料的冶煉等使用的電爐的變壓器容量越來越大,而且輸出電壓低,電流大,為了降低母線電阻,鋁母線電流密度一般要求在0.6A/mm~2左右,這樣需要的鋁母線截面很大,母線接頭要求焊接,盡量不用螺栓壓接,同時焊縫要牢固不氧化,焊接處的電阻要小于或者等于母線電阻。要想達(dá)到以上要求,仍然采用電焊、氣焊、碳弧焊是達(dá)不到目的,必須采用新的焊接技術(shù)。本文主要論述鋁母線氬弧焊。
粉末電弧法又稱石墨電極小孔法(}ralhnc clecirodc" lime-hole methrxl)幾對粉木狀試樣作發(fā)射光譜分析的一種方法。
分析方法
將試樣裝人石墨電極小孔,以直流或交流電弧光源激發(fā),經(jīng)過攝譜后.可進(jìn)行兀素的定性或定量分析。 2100433B
石墨深加工產(chǎn)業(yè)的前提是提純,石墨提純是一個復(fù)雜的物化過程,其提純方法主要有浮選法、堿酸法、氫氟酸法、氯化焙燒法、高溫法。
浮選是一種常用而重要的選礦方法,石墨具有良好的天然可浮性,基本上所有的石墨都可以通過浮選的方法進(jìn)行提純,為保護(hù)石墨的鱗片,石墨浮選大多采用多段流程。石墨浮選捕收劑一般選用煤油,用量為100~200g/t,起泡劑一般采用松醇油或丁醚油,用量為50~250g/t。
大鱗片石墨的價值及應(yīng)用均比細(xì)鱗片石墨大得多,而且一旦破壞就無法恢復(fù)。在石墨選礦中保護(hù)石墨的大鱗片是選礦過程中不可忽視的問題。 因石墨具有良好的天然可浮性,浮選法可使石墨的品位提高到80%~90%,甚至可達(dá)95%左右。該方法的最大優(yōu)點(diǎn)是所有提純方案中能耗和試劑消耗最少、成本最低的一種。但呈極細(xì)狀態(tài)夾雜在石墨鱗片中的硅酸鹽礦物和鉀、鈣、鈉、鎂、鋁等元素的化合物,用磨礦的方法不能將其單體解離,而且不利于保護(hù)石墨大鱗片。因此浮選法只是石墨提純的初級手段,若要獲得含碳量99%以上的高碳石墨,必須用其他方法提純。
堿酸法包括兩個反應(yīng)過程:堿熔過程和酸浸過程。堿熔過程是在高溫條件下,利用熔融狀態(tài)下的堿和石墨中酸性雜質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),特別是含硅的雜質(zhì)(如硅酸鹽、硅鋁酸鹽、石英等),生成可溶性鹽,再經(jīng)洗滌去除雜質(zhì),使石墨純度得以提高。酸浸過程的基本原理是利用酸和金屬氧化物雜質(zhì)反應(yīng),這部分雜質(zhì)在堿熔過程中沒有和堿發(fā)生反應(yīng)。使金屬氧化物轉(zhuǎn)化為可溶性鹽,再經(jīng)洗滌使其與石墨分離,經(jīng)過堿熔和酸浸相結(jié)合對石墨提純有較好的效果。
多種堿性物質(zhì)均可以除去石墨雜質(zhì),堿性越強(qiáng),提純效果越好。堿酸法多用熔點(diǎn)小、堿性強(qiáng)的NaOH。酸浸過程所用的酸可以是HCl、H2SO4、HNO3或者是它們之間的混合使用,其中HCl應(yīng)用較多。
對于一些含硅較高的石墨,堿熔法提純石墨還可以實(shí)現(xiàn)對硅的綜合回收利用。堿熔酸浸后的溶液為酸性,溶液中的硅雜質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)楣杷幔尤胍欢康拿鞯\即可將硅酸提取出來,再經(jīng)900℃的高溫煅燒,可得到純的二氧化硅。
堿酸法是我國石墨提純工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用最為廣泛的方法,具有一次性投資少、產(chǎn)品品位較高、適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn),以及設(shè)備簡單、通用性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。不足是需要高溫煅燒,能量消耗大,工藝流程長,設(shè)備腐蝕嚴(yán)重,石墨流失量大以及廢水污染嚴(yán)重,因而利用石墨提純廢水制取聚合氯化硅酸鋁鐵等綜合利用技術(shù)顯得十分重要。
氫氟酸是強(qiáng)酸,幾乎可以與石墨中的任何雜質(zhì)發(fā)生反應(yīng),而石墨具有良好的耐酸性,特別是可以耐氫氟酸,決定了石墨可以用氫氟酸進(jìn)行提純。氫氟酸法的主要流程為石墨和氫氟酸混合,氫氟酸和雜質(zhì)反應(yīng)一段時間產(chǎn)生可溶性物質(zhì)或揮發(fā)物,經(jīng)洗滌去除雜質(zhì),脫水烘干后得到提純石墨。
氫氟酸與Ca、Mg、Fe等金屬氧化物反應(yīng)生成沉淀, 產(chǎn)生的 H2SiF6溶于溶液,又可除去Ca、Mg、Fe等雜質(zhì)。 氫氟酸有劇毒,對環(huán)境污染嚴(yán)重,配合其他酸對石墨進(jìn)行提純,可以有效地減少氫氟酸用量。氫氟酸法提純石墨具有工藝流程簡單、產(chǎn)品品位高、成本相對較低、對石墨產(chǎn)品性能影響小的優(yōu)點(diǎn)。但是氫氟酸有劇毒,在使用過程中必須具有安全保護(hù)措施,對產(chǎn)生的廢水必須經(jīng)過處理后方能向外排放,否則將會對環(huán)境造成嚴(yán)重污染。
氯化焙燒法是將石墨和一定的還原劑混在一起,在特定的設(shè)備和氣氛下高溫焙燒,物料中有價金屬轉(zhuǎn)變成氣相或凝聚相的金屬氯化物,而與其余組分分離,使石墨純化的工藝過程。
石墨中的雜質(zhì)在高溫條件下,可以分解成熔沸點(diǎn)較高的氧化物,如 SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO。這些氧化物在一定高溫和氣氛下,通入氯氣后,金屬氧化物和氯氣反應(yīng)生成熔沸點(diǎn)較低的氯化物。于是在較低的溫度下,這些氯化物可氣化而逸出,實(shí)現(xiàn)與石墨分離,使石墨得以提純。
氯化焙燒法的優(yōu)勢在于節(jié)能、提純效率高(>98%)、回收率高,但也存在氯氣有毒、嚴(yán)重腐蝕性和嚴(yán)重污染環(huán)境等問題。在工藝上生產(chǎn)石墨的純度有限,工藝穩(wěn)定性不好,影響了氯化法在實(shí)際生產(chǎn)中的應(yīng)用,還有待進(jìn)一步改善和提高。
石墨的熔點(diǎn)為3850℃±50℃,是自然界熔沸點(diǎn)最高的物質(zhì)之一,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于雜質(zhì)硅酸鹽的沸點(diǎn)。利用它們的熔沸點(diǎn)差異,將石墨置于石墨化的石墨坩堝中,在一定的氣氛下,利用特定的儀器設(shè)備加熱到2700℃,即可使雜質(zhì)氣化從石墨中逸出,達(dá)到提純的效果。該技術(shù)可以將石墨提純到99.99%以上。
高溫法提純石墨影響因素較多:①石墨原料雜質(zhì)含量對高溫法提純的效果影響最大,原料的雜質(zhì)含量不同,所得產(chǎn)品的灰分就不同,且含碳量高的石墨提純效果更好,高溫法常以浮選法或堿酸法提純后含碳量達(dá)到99%及以上的石墨為原料;②石墨坩堝的含碳量也是影響提純效果的重要因素,坩堝灰分低于石墨灰分,有助于石墨中的灰分逸出;③采用大電流,石墨升溫快,有利于石墨純化,最好使用高功率電極的原料,并經(jīng)2800℃高溫處理;④石墨粒度對提純效果也有一定的影響。
高溫法提純石墨,產(chǎn)品質(zhì)量高,含碳量可達(dá)99.995%以上,這是高溫法的最大特點(diǎn),但同時耗能大、對設(shè)備要求極高,需要專門進(jìn)行設(shè)計,投資大,對提純的石墨原料也有一定的要求,只有應(yīng)用于國防、航天、核工業(yè)等高科技領(lǐng)域的石墨才用此方法進(jìn)行提純。
硅化石墨的生產(chǎn)方法有化學(xué)氣相沉積法(CVD),化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)及液硅滲透反應(yīng)法等3種方法。
使含硅、碳的氣體通過高溫石墨基體發(fā)生熱分解,生成SiC沉積在石墨基體表面。原料為三氯甲基硅烷(CH3SiC3)、四氯化硅、氫、硅蒸氣等。沉積溫度范圍較寬,從1175℃到1775℃。用此法生成的SiC層非常致密,厚薄均勻,一般厚度約為0.1~0.3mm。但SiC與石墨基體的結(jié)合為純機(jī)械結(jié)合,結(jié)合力較弱,在溫度急變時SiC層易發(fā)生龜裂、剝落。
原料為焦炭粉和過量的石英砂或無定形硅粉,當(dāng)加熱到2000℃時發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成SiO蒸氣。SiO蒸氣和碳基體反應(yīng)生成SiC。SiC層和碳基體二者無明顯界面,結(jié)合很牢固,在溫度驟變及高負(fù)荷情況下不會脫落,但CVR法是SiO氣體滲入碳基體內(nèi)進(jìn)行反應(yīng),因此,仍然保留了碳基體的多孔性,在用作密封材料時,需用樹脂浸漬或CVD法進(jìn)行孔隙的填充。
此法也屬于CVR的一種。在真空條件下,加熱到1700-1900℃,將碳基體直接浸入熔融的硅液中,液硅逐步滲入碳基體內(nèi)部,發(fā)生反應(yīng)生成SiC。原料為99.9999%的純硅。SiC層厚度可達(dá)3.5mm。反應(yīng)后,碳基體內(nèi)含有約17%的游離硅填充基體的孔隙中,使基體變得致密不透。但游離硅的存在降低了硅化石墨的抗腐蝕性能和高溫抗氧化性能。