砷化鎵光電池簡(jiǎn)介

大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達(dá)29.5%（一般在19.5%左右），產(chǎn)品耐高溫和輻射，但生產(chǎn)成本高，產(chǎn)量受限，主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。

GaAs（砷化鎵）光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達(dá)29.5%（一般在19.5%左右），產(chǎn)品耐高溫和輻射，但生產(chǎn)成本高，產(chǎn)量受限，目前主要作空間電源用。以硅片作襯底，用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。

1、光電轉(zhuǎn)化率：

砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽(yáng)光譜匹配能力較硅好。單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到30%，而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過(guò)50%。

2、耐溫性

常規(guī)上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，有實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無(wú)法正常運(yùn)行。

3、機(jī)械強(qiáng)度和比重

砷化鎵較硅質(zhì)在物理性質(zhì)上要更脆，這一點(diǎn)使得其加工時(shí)比容易碎裂，所以，常把其制成薄膜，并使用襯底（常為Ge[鍺]），來(lái)對(duì)抗其在這一方面的不利，但是也增加了技術(shù)的復(fù)雜度。

砷化鎵吸收式光纖溫度傳感技術(shù)特點(diǎn)：

1）傳感材料為微型砷化鎵芯片，芯片性能穩(wěn)定、可靠性高，因此傳感器可以長(zhǎng)時(shí)間工作；

2）傳感器體積小，亞毫米；

3）芯片材料一致性好，互換性好；

4）采用光譜分析方法，光源、傳輸效率、耦合程度、光纖彎折等強(qiáng)度相關(guān)參量的變化，不影響測(cè)量結(jié)果；

傳感物質(zhì)為絕緣性材料，性能穩(wěn)定，可靠性高?；诠庾V分析，不受光源劣化、光纖彎折等強(qiáng)度相關(guān)參量變化的影響。全介質(zhì)，不受EMI干擾，普遍應(yīng)用于強(qiáng)電場(chǎng)、強(qiáng)磁場(chǎng)壞境中。耐高電壓，耐化學(xué)腐蝕，低損耗。傳感器體積小，感溫部分僅有 0.3mm，導(dǎo)體使用 62.5um 光纖，柔軟，可靠，安裝過(guò)程中不易受損。 砷化鎵芯片基于微納加工工藝，一致性高，同編號(hào)的傳感器之間可互換，無(wú)需校準(zhǔn)，無(wú)漂移，不受技術(shù)制約。傳感器長(zhǎng)度可達(dá)到500m以上。 光源壽命>30年，在線(xiàn)監(jiān)測(cè)，穩(wěn)定性超過(guò)30年。