中文名 | 通過溫度效應探索研究超短脈沖強激光損傷機理 | 依托單位 | 電子科技大學 |
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項目類別 | 面上項目 | 項目負責人 | 祖小濤 |
飛秒激光由于脈沖時間短、瞬時功率高、聚焦區(qū)域小等特點已被廣泛應用于新能源、新材料、航天、生命科學及國防等領(lǐng)域,然而,光學元件中的激光損傷仍然是高功率激光系統(tǒng)和光學器件的發(fā)展的一個限制因素,這對于開發(fā)高功率激光系統(tǒng)及強場物理學的發(fā)展都是一個迫切需要解決的問題。激光器的透鏡、窗口、反射鏡、偏振片、光柵等通常使用熔石英這種光學材料。因此提高熔石英的負載能力,對于基礎(chǔ)科學研究和工程應用方面都具有重要意義。本項目主要研究光學材料在不同溫度和不同脈寬時的激光誘導損傷閾值的規(guī)律。主要取得的研究成果如下: (1) 首次在實驗上系統(tǒng)地測試了多種光學材料在不同溫度下(80K-300K)的激光損傷閾值(納秒?yún)^(qū)域,10-12秒<脈寬<10-8秒) (2) 對于更短脈沖區(qū)域(脈寬<10-12秒),建立了含溫度參數(shù)的導帶電子產(chǎn)生率方程。方程可以描述溫度對電子密度演化過程的影響,并可以預測材料激光損傷閾值隨溫度的變化。 (3)分析了<100fs超短脈沖區(qū)域,雪崩電離和光致電離對材料激光損傷的貢獻。解決了國際上關(guān)于脈寬小于100 fs時,雪崩電離與光致電離對損傷機制的影響的分歧。我們的研究顯示在此區(qū)域,主要是光致電離起主要作用,與聲子相關(guān)的雪崩電離過程對損傷的貢獻很小。 2100433B
高功率激光器已廣泛用于新材料、新能源和國防領(lǐng)域。然而激光器的光學元件的強激光輻照損傷卻成為激光器功率進一步提升的瓶頸,并且一些重要的損傷機理還不清楚也成為元件損傷閾值提高的障礙。這對于強場物理學和工程技術(shù)應用都是一個急需解決的問題。本項目擬從理論和實驗兩個方面去研究不同溫度下(室溫-幾十K)熔石英的激光輻照損傷。由于降低溫度可以極大地抑制造成損傷的雪崩過程,因此這種方法有望成為大幅度提高光學元件負載能力的新思路和新技術(shù)。通過研究不同溫度下熔石英的光學損傷,可以掌握不同溫度下造成雪崩電離過程中各個能量吸收機制的確切作用,以及不同脈寬下,光致電離和雪崩電離的確切貢獻;還可以解決國際上關(guān)于脈寬小于100飛秒時,光致電離和雪崩電離貢獻的爭論。因此本申請在學術(shù)上有較高的原創(chuàng)性,同時在工程上也有重要的應用價值。
1.深圳市富喆科技有限公司,報價:290.00元; 2.北京云飛達五金機電有限公司,報價:277.20元; 3.樂清市歐立柏儀器儀表有限公司,報價:1200.00元; 價格來源網(wǎng)絡(luò),僅供參考。
脈沖激光器具有較大輸出功率,適合于激光打標、切割、測距等。
破壞晶格的形成 比如碳酸鈣 如果固體中少幾個鈣離子 那么他們就無法形成固體 大概就這個意思
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理論分析和模擬仿真研究了激光點火系統(tǒng)中光纖端面損傷、光纖初始輸入段損傷和光纖內(nèi)部損傷機理。結(jié)果顯示:端面損傷主要是由光纖端面的雜質(zhì)和缺陷引起;光纖初始輸入段損傷是由光束的初次反射造成光纖局部激光能量密度增大引起的;光纖內(nèi)部體損傷主要由于激光自聚焦效應引起損傷和光纖受到的意外應力產(chǎn)生微小碎片,吸收激光能量,引起光纖局部損傷。給出了激光點火系統(tǒng)中提高光纖損傷閾值的一般方法,主要包括光纖端面處理、設(shè)計合理的激光注入耦合裝置。
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對光纖BRAGG光柵(FBG)溫度傳感在77K-150K和300K-500K之間進行了測試,得出溫度與波長的相關(guān)關(guān)系,并討論了常溫與低溫情況下的溫度與波長關(guān)系不一致的原因.77K-150K情況下,溫度與波長的非線性關(guān)系主要是由電偶極子所致有效折射率變化造成的;而300K-500K情況下,溫度與波長近乎線性的關(guān)系主要是由此溫度范圍內(nèi)有效折射率恒定和石英光纖光柵的線膨脹系數(shù)所至。得到的理論公式與實驗結(jié)果符合。
時域上, 超短脈沖激光產(chǎn)生是開展時-頻域精密控制的前提和基礎(chǔ). 至今,小于 5 fs 的鎖模鈦寶石激光器已有報道,經(jīng)過腔內(nèi)色散啁啾補償,脈沖寬度達到光周期量級. 這樣的超短脈沖,可以廣泛應用于研究高功率脈沖情況下的各種非線性現(xiàn)象.然而, 由于受本身結(jié)構(gòu)和成本的制約,超短脈沖固體激光器大多用于科學研究. 自 1960 年 實現(xiàn)將鉺,釹,銩等稀土離子摻進玻璃中后,光纖激光器的研制就成為了可能.不久 以后,釹離子成功的被摻雜到了光纖波導的芯徑中.由于釹離子作為激光增益介質(zhì)具 有很高的效率,所以,早期的光纖激光器都是以釹離子為基礎(chǔ),工作波長為 1064 nm. 直到 1980 年,鉺離子摻雜技術(shù)的成熟,基于摻鉺離子的光纖激光器越來越受到人們的 關(guān)注.最主要的原因就是摻鉺光纖激光的工作波長在 1550 nm 附近,正好對應于單模 光纖的最小損耗波段,非常適用于光纖通信系統(tǒng).之后,其它波段的摻稀土離子,例 如摻鈥,摻銩,摻鐿,摻鐠的光纖同樣研制成功,將光纖激光器的輸出波長擴展到其 它波段.近幾年來,得益于半導體泵浦激光器和光纖高摻雜技術(shù)的發(fā)展,基于摻稀土 離子的超短脈沖光纖激光器越來越受到人們的重視.光纖激光器由于其在結(jié)構(gòu),成本 上的優(yōu)勢,已經(jīng)在科學研究和工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應用.目前為止,報道的最窄 的光纖激光器的脈沖寬度為 28 fs. 相對于傳統(tǒng)的固體激光器,光纖激光器具有不可比擬的優(yōu)勢.光纖激光器摻雜技 術(shù)簡單,激光傳輸損耗低,與泵浦光耦合效率高.光纖激光器采用光纖作為傳輸介質(zhì), 可以與其它光纖器件兼容,減少了激光器所占的空間.而且光器件之間采取直接熔接 的方式,相對于固體激光器而言無需復雜的光路調(diào)整系統(tǒng).由于光通信器件的成熟, 激光器成本也可以大大降低.一般單模光纖的芯徑為 8 μm, 所以光在芯徑內(nèi)傳播時的 功率密度通常很高,非線性作用很強,非常適合用于產(chǎn)生鎖模振蕩器.
對于超高分辨率雷達、擴頻通信技術(shù)以及其它許多需要寬帶輻射的應用來說,超短脈沖發(fā)生器是十分重要的,從某種程度上來講,超短脈沖的形成技術(shù)已成為許多寬帶應用中的核心技術(shù)。目前,有許多有關(guān)該技術(shù)的研究集中在激光二極管驅(qū)動的GaAs光開關(guān)上,但是這些器件還不能在小于200 ps的情況下正常工作,同時,激光二極管還存在重復率和可靠性方面的問題。另外一些產(chǎn)生高速瞬變電壓的方法還有GaAs可控硅等,但是GaAs可控硅作為一種成熟的產(chǎn)品還需一段時間。
超短脈沖形成有以下特點:首先,它能產(chǎn)生100 kW的脈沖,脈沖寬度小于1 ns,它可以使用1 W的直流電源供電。其次,本方案采用成熟的同時市場上又容易買到的器件。
超短脈沖發(fā)生器,將利用二極管的渡越時間雪崩擊穿原理,使輸入窄脈沖變成超短脈沖信號。雪崩二極管從一開始就受到人們極大的重視,用雪崩二極管可以制作微波振蕩器和放大器,這在理論上和實踐上都已取得了很大的進展。在此,將利用雪崩二極管制成超短脈沖發(fā)生器
超短脈沖激光器最直接的應用就是作為超快光源,形成多種時間分辨光譜技術(shù)和泵浦/探測技術(shù),作為飛秒固體激光放大器的種子光源,可用于光纖型光參量振蕩器與放大器系統(tǒng),并可使用周期性極化鈮酸鋰(ppln)進行高效倍頻或頻率轉(zhuǎn)換。它的發(fā)展帶動了物理、化學、生物、材料與信息科學的研究進入微觀超快過程領(lǐng)域。超短脈沖光纖激光器在通信、軍事、工業(yè)加工、醫(yī)學、光信息處理、全色顯示和激光印刷等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。