中文名 | 圖騰柱輸出 | 外文名 | Totem Pole output |
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門(mén)電路的輸出極采用一個(gè)上電阻接一個(gè)NPN型晶體管的集電極,這個(gè)管子的發(fā)射極接下面管子的發(fā)射極同時(shí)輸出;下管的集電極接地。兩管的基極分別接前級(jí)的控制。由于此結(jié)構(gòu)畫(huà)出的電路圖有點(diǎn)兒象印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。
結(jié)構(gòu)介紹
圖騰柱就是上下各一個(gè)三極管,上管為NPN,c極(集電極)接正電源,下管為PNP,c極(集電極)接地。兩個(gè)b極(基極)接一起,接輸入,上管和下管的e極(發(fā)射極)接到一起,接輸出,像一個(gè)“圖騰柱”。用同一信號(hào)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)b極。驅(qū)動(dòng)信號(hào)為高時(shí),NPN導(dǎo)通;信號(hào)為低時(shí),PNP導(dǎo)通。利用兩個(gè)晶體管構(gòu)成推挽輸出。 用來(lái)匹配電壓,或者提高IO口的驅(qū)動(dòng)能力。
上下兩個(gè)輸出管,從直流角度看是串聯(lián),兩管聯(lián)接處為輸出端。上管導(dǎo)通下管截止輸出高電平,下管導(dǎo)通上管截止輸出低電平,如果電路邏輯可以上下兩管均截止則輸出為高阻態(tài)。
在開(kāi)關(guān)電源中,類似的電路常稱為半橋。2100433B
圖騰柱就是上下各一個(gè)晶體管,上管為NPN,c極接正電源,下管為PNP,e極接負(fù)電源,注意,是負(fù)電源,是地。兩個(gè)b極接到一起,接輸入,上管的e和下管的c接到一起,接輸出。用來(lái)匹配電壓,或者提高IO口的驅(qū)...
亞龍灣古稱琊瑯灣后稱牙龍灣,過(guò)去是一處不為人知的荒僻海灘 據(jù)清朝光緒26年編纂的《崖州志》記載, “琊瑯灣,在榆林港東五十里”,由此分析“亞龍灣”古稱“琊瑯灣”。據(jù)說(shuō)“琊瑯灣”出自本地黎語(yǔ),這與這里海...
圖騰柱輸出(Totem Pole的音譯)結(jié)構(gòu)介紹圖騰柱就是上下各一個(gè)三極管,上管為NPN,c極(集電極)接正電源,下管為PNP,c極(集電極)接地。兩個(gè)b極(基極)接一起,接輸入,上管和下管的e極(發(fā)...
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百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 11 圖 騰 冷 通 道 機(jī) 柜 -—南京易非聯(lián) 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 22 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 33 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 44 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 55 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 66 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 77 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 88 百度文庫(kù) - 讓每個(gè)人平等地提升自我 99
M51995管腳排列及說(shuō)明
COLLECTOR:圖騰柱輸出集電極
Vout:圖騰柱輸出
EMITTER:圖騰柱輸出發(fā)射極
VF:VF 控制端
ON/OFF:工作使能端
OVP:過(guò)壓保護(hù)端
DET:檢測(cè)端
F/B:電壓反饋端
T-ON:計(jì)時(shí)電阻ON 端
CF:計(jì)時(shí)電容端
T-OFF:計(jì)時(shí)電阻OFF 端
CT:斷續(xù)方式工作檢測(cè)電容端
GND:芯片地
CLM-:負(fù)壓過(guò)流檢測(cè)端
CLM+:正壓過(guò)流檢測(cè)端
Vcc:芯片供電
推挽電路使用兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在于電路中。電路工作時(shí),兩只對(duì)稱的開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通,所以導(dǎo)通損耗小、效率高。輸出既可以向負(fù)載灌電流,也可以從負(fù)載抽取電流。推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力,又提高開(kāi)關(guān)速度。
推挽輸出常見(jiàn)的是圖騰柱輸出。
“圖騰柱輸出”常用于數(shù)字電路(如TTL)中。由于TTL與非門(mén)使用兩個(gè)垂直堆砌的同類型晶體管,中間用一個(gè)鉗位二極管隔開(kāi),與圖騰柱的結(jié)構(gòu)相類似,因此其輸出級(jí)被稱為圖騰柱輸出。
開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. 利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí),驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很小的柵極驅(qū)動(dòng)電流。
2. 一般來(lái)說(shuō),開(kāi)漏是用來(lái)連接不同電平的器件,匹配電平用的,因?yàn)殚_(kāi)漏引腳不連接外部的上拉電阻時(shí),只能輸出低電平,如果需要同時(shí)具備輸出高電平的功能,則需要接上拉電阻,很好的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)改變上拉電源的電壓,便可以改變傳輸電平。比如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。(上拉電阻的阻值決定了邏輯電平轉(zhuǎn)換的沿的速度 。阻值越大,速度越低功耗越小,所以負(fù)載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。)
3. OPEN-DRAIN提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^(guò)外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出。
4. 可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。補(bǔ)充:什么是“線與”?:
在一個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)上, 連接一個(gè)上拉電阻到電源 VCC 或 VDD 和 n 個(gè) NPN 或 NMOS 晶體管的集電極 C 或漏極 D, 這些晶體管的發(fā)射極 E 或源極 S 都接到地線上, 只要有一個(gè)晶體管飽和, 這個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)就被拉到地線電平上. 因?yàn)檫@些晶體管的基極注入電流(NPN)或柵極加上高電平(NMOS),晶體管就會(huì)飽和, 所以這些基極或柵極對(duì)這個(gè)結(jié)點(diǎn)(線)的關(guān)系是或非 NOR 邏輯. 如果這個(gè)結(jié)點(diǎn)后面加一個(gè)反相器, 就是或 OR 邏輯.
其實(shí)可以簡(jiǎn)單的理解為:在所有引腳連在一起時(shí),外接一上拉電阻,如果有一個(gè)引腳輸出為邏輯0,相當(dāng)于接地,與之并聯(lián)的回路“相當(dāng)于被一根導(dǎo)線短路”,所以外電路邏輯電平便為0,只有都為高電平時(shí),與的結(jié)果才為邏輯1。
500kHz 工作頻率;
輸出電流達(dá)±2A,輸出上升時(shí)間60ns,下降時(shí)間40ns;
起動(dòng)電流小,典型值為90μA;
起動(dòng)電壓和關(guān)閉電壓間壓差大:起動(dòng)電壓為16V,關(guān)閉電壓為10V;
改進(jìn)圖騰柱輸出方法,穿透電流小;
過(guò)流保護(hù)采用斷續(xù)方式工作;
用逐脈沖方法快速限制電流;
欠壓、過(guò)壓鎖存電路。