VDD解釋

VCC：C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓；

VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓（接電源）；

VSS：S=series 表示公共連接的意思，通常指電路公共接地端電壓(接地）；

VEE：E=electron 表示構成物質的基本粒子之一，因帶負電，也寫作e，通常指負電壓供電；

VDDH：H=high 表示高壓，即高壓供電端。

1、對于數(shù)字電路來說，VCC是電路的供電電壓,VDD是芯片的工作電壓（通常Vcc>Vdd），VSS是接地點。

2、有些IC既有VDD引腳又有VCC引腳，說明這種器件自身帶有電壓轉換功能，這個時候Vdd僅僅是給器件內(nèi)部的數(shù)字或模擬系統(tǒng)供電，而Vcc是給包括外設和內(nèi)部系統(tǒng)供電，所以Vcc的電壓必須比Vdd高。

3、在場效應管（或CMOS器件）中，VDD為漏極，VSS為源極，VDD和VSS指的是元件引腳，而不表示供電電壓。

4、一般來說VCC=模擬電源,VDD=數(shù)字電源,VSS=數(shù)字地,VEE=負電源

VDD另外一種解釋：

Vcc 來源于集電極電源電壓, Collector Voltage, 一般用于雙極型晶體管, PNP 管時為負電源電壓, 有時也標成 -Vcc, NPN 管時為正電壓.

Vdd 來源于漏極電源電壓, Drain Voltage, 用于 MOS 晶體管電路, 一般指正電源. 因為很少單獨用 PMOS 晶體管, 所以在 CMOS 電路中 Vdd 經(jīng)常接在 PMOS 管的源極上.

Vss 源極電源電壓, 在 CMOS 電路中指負電源, 在單電源時指零伏或接地.

Vee 發(fā)射極電源電壓, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 電路的負電源電壓.

Vbb 基極電源電壓, 用于雙極晶體管的共基電路.

VDD電路中的解釋：

單解：

VDD：電源電壓（單極器件）；電源電壓（4000系列數(shù)字電 路）；漏極電壓（場效應管）

VCC：電源電壓（雙極器件）；電源電壓（74系列數(shù)字電路）；聲控載波（Voice Controlled Carrier)

VSS:：地或電源負極

VEE：負電壓供電；場效應管的源極（S）

VPP：編程/擦除電壓。

詳解：

在電子電路中，VCC是電路的供電電壓, VDD是芯片的工作電壓：

VCC：C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓， D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓，在普通的電子電路中，一般Vcc>Vdd !

VSS：S=series 表示公共連接的意思，也就是負極。

有些IC 同時有VCC和VDD， 這種器件帶有電壓轉換功能。

在“場效應”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏極引腳，VSS乃CMOS的源極引腳， 這是元件引腳符號，它沒有“VCC”的名稱。2100433B

1. vdda 工作電源電壓 vdda,vdd1,vdd2等聯(lián)接到同一個電源 4.5 5.0 5.5 v；

2. vdd1 工作電源電壓 vdda,vdd1,vdd2等聯(lián)接到同一個電源 4.5 5.0 5.5 v；

3. vdd2 工作電源電壓 vdda,vdd1,vdd2等聯(lián)接到同一個電源 4.5 5.0 5.5 v

4. idd 工作電源電流 無負載 10.0 15.0 ma；

5.[ vo-（-vo）]差分輸入電壓 相vdd ±6.6 ±28 mv/v；

6. 共模電壓范圍 相vdd 490 510 mv/v；

7. 磁鋼丟失閥值 相vdd 3.0 mv/v；

8. 檢測角度范圍 以10°作為一調整單位 30 180 °；

9. 外接時鐘頻率 用于調整 0.1 1.0 mhz；

10. 內(nèi)部時鐘頻率 2.3 4 5.7 mhz；

11. 輸出負載 2*105pf噓串接大于300Ω電阻 50 2*105 pf；

12. 開關電壓閥值 遲滯是0.3v 2.8 4.5 v；

13. 輸出電壓 輸出電壓有效范圍 5.5 94.5 %vdda；

14. 精度 輸入合規(guī)定電壓信號（0---100°） ±0.45 °；

15. 分辨率 輸入合規(guī)定電壓信號（0---100°） 0.1 °；

16. 電源上電時間 20 ms；

17. 反應時間 從零上升到90%值 0.7 1.2 ms；

18. 傳感器輸出電壓 磁鋼丟失閥值 12 15 20 mv；