中文名 | 彎曲損耗 | 屬????于 | 光纖損耗 |
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分????類 | 宏彎損耗和微彎損耗 |
彎曲強(qiáng)度是指材料在彎曲負(fù)荷作用下破裂或達(dá)到規(guī)定彎矩時(shí)能承受的最大應(yīng)力,此應(yīng)力為彎曲時(shí)的最大正應(yīng)力,以MPa(兆帕)為單位。它反映了材料抗彎曲的能力,用來衡量材料的彎曲性能。橫力彎曲時(shí),彎矩M隨截面位置...
視頻線是否當(dāng)然是? 也要計(jì)算彎曲損耗系數(shù)的呀,
把B和H的值輸進(jìn)去就可以了,彎鉤的長度軟件會(huì)自動(dòng)加進(jìn)去的。雖然在這里是這樣寫的公式,因?yàn)檫€要看抗震。但是彎鉤還是計(jì)算了,不行你去試一個(gè),計(jì)算后在編輯鋼筋里面查看了。
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頁數(shù): 4頁
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在修正彎曲單模光纖幾何模型的基礎(chǔ)上,采用一個(gè)簡單的彎曲損耗公式,對單模光纖的彎曲損耗和彎曲半徑及波長之間的關(guān)系進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn),觀察到彎曲損耗隨彎曲半徑和波長的變化呈現(xiàn)振蕩現(xiàn)象,且振蕩現(xiàn)象是由光纖中的基模和在包層和涂覆層中傳播的whispering gallery模之間的耦合引起的。并對關(guān)系曲線的特性進(jìn)行了分析,得出了彎曲損耗曲線峰-谷值位置的計(jì)算式,具有一定的參考價(jià)值。理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本一致。
剩余損耗指除了渦流損耗和磁滯損耗以外的其他所有損耗。它是由具有不同機(jī)制的磁弛豫過程所導(dǎo)致的。在低頻和弱磁場中,剩余損耗主要是磁后效損耗,且與頻率無關(guān)。高頻下剩余損耗主要包括尺寸共振、疇壁共振和自然共振等引起的損耗。在鐵氧體中剩余損耗占優(yōu)勢。
磁后效引起的剩余損耗與頻率、疇壁位移和磁化矢量轉(zhuǎn)動(dòng)的阻尼系數(shù)成比例。這種損耗大致有兩類:里希特型和約旦型損耗。前者與溫度和頻率有關(guān);后者對溫度和頻率的依賴性甚小。里希特型損耗主要是由雜質(zhì)擴(kuò)散產(chǎn)生的感生各向異性引起的。約旦型損耗則主要是由熱漲落引起的。鐵氧體的里希特?fù)p耗是由于價(jià)電子在離子間擴(kuò)散引起的。
在10赫以上的高頻和超高頻區(qū),鐵氧體磁譜與磁損耗有關(guān)的磁導(dǎo)率虛分量μ″在不同頻率區(qū)域可能出現(xiàn)幾個(gè)吸收峰,它們對應(yīng)著共振損耗,也是一種弛豫損耗。隨著頻率升高,這些吸收峰分別是由尺寸共振、疇壁共振、自然共振和自然交換共振引起的。
磁性導(dǎo)體在交變磁場中,由于電磁感應(yīng)而產(chǎn)生渦電流,這就引起磁場強(qiáng)度H和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的振幅和相位在材料內(nèi)部的不均勻分布,并使B的相位落后于H的相位而增加一部分能量損耗,稱為渦流損耗。對一些金屬磁性材料的實(shí)驗(yàn)研究表明:測得的磁損耗要比理論計(jì)算的渦流損耗和準(zhǔn)靜態(tài)損耗之和大得多。實(shí)驗(yàn)與理論之差的額外損耗稱為反常損耗。反常損耗部分來源于疇壁移動(dòng)時(shí)通過電磁感應(yīng)在疇壁附近感生的微渦流;另一部分則是由于疇壁的釘扎或疇壁的變形。值得注意的是,反常損耗在一些金屬磁性材料(如硅鋼片)總損耗中占很大部分。
磁滯損耗是由于磁性材料中存在不可逆的磁化過程(疇壁的不可逆位移,磁疇的不可逆轉(zhuǎn)動(dòng))。在準(zhǔn)靜態(tài)磁化情形下,磁滯損耗與磁滯回線的面積成正比。在中等和強(qiáng)交變磁場下,一些金屬磁性材料的磁滯損耗適合施泰因梅茨型經(jīng)驗(yàn)公式。