中文名 | 吸收電容 | 作????用 | 吸收掉尖峰電壓 |
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電容結(jié)構(gòu) | 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) | 封????裝 | 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn). |
電容量: 0.0047 to 6.8μF
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣,以及無感泄放電阻;第四,其它有效措施。目前,緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT 安全運行。
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入手。第一,直流母線要盡量地短;第二,緩沖電路要盡可能地貼近模塊;第三,選用 低電感的聚丙烯無極電容,與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管, 以及無感泄放電阻;第四,其它有效措施。緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在 IGBT 模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT 安全運行。 2100433B
雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,多條引線設(shè)計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路。
尺寸: 適合于各種IGBT保護。
通常,應(yīng)該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢?筆者認為,應(yīng)基于以 ...
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入...
在通常使用的家用電器中,電容器主要有三個作用:1 在需要直流電源的電路中,對交流電源整流后用電容器濾波,得到平滑的直流電。如不用這個電容器,交流電源經(jīng)整流后的脈動直流電流不能經(jīng)濾波成為平滑的...
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頁數(shù): 2頁
評分: 4.6
一、電容的主要參數(shù): 1、 電壓 1) 額定電壓:兩端可以持續(xù)施加的電壓,一般為直流電壓,通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓,通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關(guān)系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2) 浪涌電壓:電解電容特有的電壓參數(shù),是短時間可以承受的過電壓,為額定電壓的 1.15 倍。 3) 瞬時過電壓:是鋁電解電容特有電壓參數(shù),為可以瞬時承受的過電壓,這個浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍,是鋁電解電容的擊穿電壓。 4) 介電強度:電容額定電壓低于電容中介質(zhì)的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如:鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍;其它介質(zhì)則通常為 1.75~2 倍以上。 5) 試驗電壓:薄膜電容
額定電壓 ? 700V.DC~3000V.DC ?
額定容量 ? 0.0047μF~10μF ?
溫度范圍 ? -40°C~85°C ?
容量偏差 ? ±5%, ±10% ?
極間耐電壓 ? 2Ur(DC) 10s 25±5℃ ?
極殼耐電壓 ? 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ ?
損耗角正切 ? Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4 ?
絕緣電阻 ? C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S ?
預(yù)期壽命 ? 100000h at Ur and 70℃ ?
1、標(biāo)稱電容量和允許偏差
標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。
電容器的基本單位是法拉(F),但是,這個單位太大,在實地標(biāo)注中很少采用。
其它單位關(guān)系如下:
1F=1000mF
1mF=1000μF
1μF=1000nF
1n=1000pF
電容器實際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據(jù)用途選取。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標(biāo)注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復(fù)的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當(dāng)電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時,主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。
電容的時間常數(shù):為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān),而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。
5、頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電,ESR小,具有自愈性等。