下拉法工藝改進

百度一下上拉電阻與下拉電阻，一堆一堆的解釋就出來了，不過，好像沒有一個解釋的通熟易懂的，可能是寫解釋的人水平太高了，說的話小白聽不懂。

我來給你來點通熟易懂的解釋吧。

上拉電阻與下拉電阻用在什么場合？

答：用在數(shù)字電路中，存在高低電平的場合。

上拉電阻與下拉電阻怎么接線？

上拉電阻：電阻一端接VCC，一端接邏輯電平接入引腳（如單片機引腳）

下拉電阻：電阻一端接GND，一端接邏輯電平接入引腳（如單片機引腳）

如上圖，R13和R14，一端接到了3.3V,一端通過J17連接到單片機引腳，這兩個電阻就是上拉電阻。

如上圖，R18的一端連接到了GND,一端連接到了單片機的引腳（只不過是串了一個電阻后連接到了單片機引腳）。所以這個就是下拉電阻。

上拉電阻和下拉電阻有什么用？

1.提高驅(qū)動能力：

例如，用單片機輸出高電平，但由于后續(xù)電路的影響，輸出的高電平不高，就是達不到VCC，影響電路工作。所以要接上拉電阻。下拉電阻情況相反，讓單片機引腳輸出低電平，結(jié)果由于后續(xù)電路影響輸出的低電平達不到GND，所以接個下拉電阻。

2.在單片機引腳電平不定的時候，讓后面有一個穩(wěn)定的電平：

例如上面接下拉電阻的情況下，在單片機剛上電的時候，電平是不定的，還有就是如果你連接的單片機在上電以后，單片機引腳是輸入引腳而不是輸出引腳，那這時候的單片機電平也是不定的，R18的作用就是如果前面的單片機引腳電平不定的話，強制讓電平保持在低電平。

再這么解釋一下吧，如果IE_DATA那個地方，不連接任何引腳，那么由于R18的下拉作用，IE_DATA就是低電平，所以三極管就不會導通。

不知道你清楚了沒有？

一、定義：

1、上拉就是將不確定的信號通過一個電阻嵌位在高電平！電阻同時起限流作用！下拉同理

2、上拉是對器件注入電流，下拉是輸出電流

3、弱強只是上拉電阻的阻值不同，沒有什么嚴格區(qū)分

4、對于非集電極（或漏極）開路輸出型電路（如普通門電路）提升電流和電壓的能力是有限的，上拉電阻的功能主要是為集電極開路輸出型電路輸出電流通道。

二、拉電阻作用：

1、一般作單鍵觸發(fā)使用時，如果IC本身沒有內(nèi)接電阻，為了使單鍵維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)，必須在IC外部另接一電阻。

2、數(shù)字電路有三種狀態(tài)：高電平、低電平、和高阻狀態(tài)，有些應用場合不希望出現(xiàn)高阻狀態(tài)，可以通過上拉電阻或下拉電阻的方式使處于穩(wěn)定狀態(tài)，具體視設計要求而定！

3、一般說的是I/O端口，有的可以設置，有的不可以設置，有的是內(nèi)置，有的是需要外接，I/O端口的輸出類似與一個三極管的C，當C接通過一個電阻和電源連接在一起的時候，該電阻成為上C拉電阻，也就是說，如果該端口正常時為高電平，C通過一個電阻和地連接在一起的時候，該電阻稱為下拉電阻，使該端口平時為低電平，其作用主要是確保某端口常態(tài)時有確定電平：用法示例：當一個接有上拉電阻的端口設為輸入狀態(tài)時，他的常態(tài)就為高電平，用于檢測低電平的輸入。

4、上拉電阻是用來解決總線驅(qū)動能力不足時提供電流的。一般說法是拉電流，下拉電阻是用來吸收電流的，也就是我們通常所說的灌電流。

5、接電阻就是為了防止輸入端懸空。

6、減弱外部電流對芯片產(chǎn)生的干擾。

7、保護cmos內(nèi)的保護二極管，一般電流不大于10mA。

8、通過上拉或下拉來增加或減小驅(qū)動電流。

9、改變電平的電位，常用在TTL-CMOS匹配。

10、在引腳懸空時有確定的狀態(tài)。

11、增加高電平輸出時的驅(qū)動能力。

12、為OC門提供電流。

三、上拉電阻應用原則：

1、當TTL電路驅(qū)動COMS電路時，若TTL電路輸出的高電平低于COMS電路的最低高電平（一般為3.5V），這時就需要在TTL的輸出端接上拉電阻，以提高輸出高電平值。注：此時上拉電阻連接的電壓值應不低于CMOS電路的最低高電壓，同時又要考慮TTL電路方電流（如某端口最大輸入或輸出電流）的影響。

2、OC門電路必須加上拉電阻，才能使用。

3、為加大輸出引腳的驅(qū)動能力，有的單片機管腳上也常使用上拉電阻。

4、在COMS芯片上，為了防止靜電造成損壞，不用的管腳不能懸空，一般接上拉電阻產(chǎn)生

降低輸入阻抗，提供泄荷通路。

5、芯片的管腳加上拉電阻來提高輸出電平，從而提高芯片輸入信號的噪聲容限增強抗干擾

能力。

6、提高總線的抗電磁干擾能力，管腳懸空就比較容易接受外界的電磁干擾。

7、長線傳輸中電阻不匹配容易引起反射波干擾，加上下拉電阻是電阻匹配，有效的抑制反射波干擾。

8、在數(shù)字電路中不用的輸入腳都要接固定電平，通過1k電阻接高電平或接地。

四、上拉電阻阻值選擇原則:

1、從節(jié)約功耗及芯片的灌電流能力考慮應當足夠大；電阻大，電流小。

2、從確保足夠的驅(qū)動電流考慮應當足夠??；電阻小，電流大。

3、對于高速電路，過大的上拉電阻可能邊沿變平緩。綜合考慮以上三點,通常在1k到10k之間選取。對下拉電阻也有類似道理。

對上拉電阻和下拉電阻的選擇應結(jié)合開關管特性和下級電路的輸入特性進行設定，主要需要考慮以下幾個因素：

1、驅(qū)動能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例，一般地說，上拉電阻越小，驅(qū)動能力越強，

但功耗越大，設計是應注意兩者之間的均衡。

2、下級電路的驅(qū)動需求。同樣以上拉電阻為例，當輸出高電平時，開關管斷開，上拉電阻

應適當選擇以能夠向下級電路提供足夠的電流。

3、高低電平的設定。不同電路的高低電平的門檻電平會有不同，電阻應適當設定以確保能

輸出正確的電平。以上拉電阻為例，當輸出低電平時，開關管導通，上拉電阻和開關管導通電阻分壓值應確保在零電平門檻之下。

4、頻率特性。以上拉電阻為例，上拉電阻和開關管漏源級之間的電容和下級電路之間的輸入電容會形成RC延遲，電阻越大，延遲越大。上拉電阻的設定應考慮電路在這方面的需求。

在集成電路中，吸電流、拉電流輸出和灌電流輸出是一個很重要的概念。拉電流：拉即泄，主動輸出電流，是從輸出口輸出電流。

關于電阻的參數(shù)不能一概而定，要看電路其他參數(shù)而定，比如通常用在輸入腳上的上拉電阻如果是為了抬高峰峰值，就要參考該引腳的內(nèi)阻來定電阻值的！

1、一般LED的電流有幾個mA就夠了，最大不超過20mA，根據(jù)這個你就應該可以算出上拉電阻值來了。(5-0.7)/20mA=200ohm,差不多吧,保險起見考慮到功耗問題就用1~2k左右的電阻較為合適

以上4圖表示的是上拉電阻從220歐到5.1K歐的LED亮度變化，當然實際還是有出入的，我們實驗室開發(fā)板10K的電阻依然把LED點的很亮~（當然根據(jù)我們的計算電阻最小不要小于200歐姆，否則電流太大）

2、對于驅(qū)動光耦合器，如果是高電位有效，即耦合器輸入端接端口和地之間，那么和LED的情況是一樣的；如果是低電位有效，即耦合器輸入端接端口和VCC之間，那么除了要串接一個1~4.7k之間的電阻以外，同時上拉電阻的阻值就可以用的特別大，用100k~500K之間的都行，當然用10K的也可以，但是考慮到省電問題，沒有必要用那么小的。

3、對于驅(qū)動晶體管，又分為PNP和NPN管兩種情況：

a、對于NPN：毫無疑問NPN管是高電平有效的，因此上拉電阻的阻值用2K~20K之間的。具體的大小還要看晶體管的集電極接的是什么負載，對于LED類負載，由于發(fā)管電流很小，因此上拉電阻的阻值可以用20k的，但是對于管子的集電極為繼電器負載時，由于集電極電流大，因此上拉電阻的阻值最好不要大于4.7K，有時候甚至用2K的。

b、對于PNP管，毫無疑問PNP管是低電平有效的，因此上拉電阻的阻值用100K以上的就行了，且管子的基極必須串接一個1~10K的電阻，阻值的大小要看管子集電極的負載是什么，對于LED類負載，由于發(fā)光電流很小，因此基極串接的電阻的阻值可以用20k的，但是對于管子的集電極為繼電器負載時，由于集電極電流大，因此基極電阻的阻值最好不要大于4.7K。

4、對于驅(qū)動TTL集成電路，上拉電阻的阻值要用1~10K之間的，有時候電阻太大的話是拉不起來的，因此用的阻值較小。但是對于CMOS集成電路，上拉電阻的阻值就可以用的很大，一般不小于20K，通常用100K的，實際上對于CMOS電路，上拉電阻的阻值用1M的也是可以的，但是要注意上拉電阻的阻值太大的時候，容易產(chǎn)生干擾，尤其是線路板的線條很長的時候，這種干擾更嚴重，這種情況下上拉電阻不宜過大，一般要小于100K，有時候甚至小于10K。

5、關于I2C的上拉電阻：因為I2C接口的輸出端是漏極開路或集電極開路，所以必須在接口外接上拉。上拉電阻的取值和I2C總線的頻率有關，工作在standard mode時，其典型值為10K。在FAST mode時，為減少時鐘上升時間，滿足上升時間的要求，一般為1K。電阻的大小對時序有一定影響，對信號的上升時間和下降時間也有影響?？傊话闱闆r下電壓在5V時選4.7K左右,3.3V在3.3K左右.這樣可加大驅(qū)動能力和加速邊沿的翻轉(zhuǎn)

I2C上拉電阻確定有一個計算公式：

Rmin＝{Vdd(min)-o.4V}/3mA

Rmax=(T/0.874) *c, T=1us 100KHz, T=0.3us 400KHz

C是Bus capacitance

五、下面通過場效應管的漏極開路門電路的例子簡單說明一下上拉電阻：

TTL電平標準：

輸出 L： <0.8V ； H：>2.4V。

輸入 L： <1.2V ； H：>2.0V。

CMOS電平標準：

輸出 L： <0.1*Vcc ； H：>0.9*Vcc。

輸入 L： <0.3*Vcc ； H：>0.7*Vcc。

注：管子導通或截止可以理解為單片機的軟件對端口置1或0.

（1）如果沒有上拉電阻（10k），將5V電源直接與場效應管相連。

當管子導通時，管子等效一電阻，大小為1k左右，因此5v電壓全部加在此等效電阻上，輸出端Vout=5v。

當管子截止時，管子等效電阻很高，可以理解為無窮大，因此5v的電壓也全部加在此等效電阻上，Vout=5v。在這兩種情況下，輸出都為高電平，沒有低電平。

（2）如果有上拉電阻（10k），將5v電源通過此上拉電阻與與場效應管相連。

當管子導通時，管子等效一電阻，大小為1k左右，與上拉電阻串聯(lián)，輸出端電壓為加在此等效電阻上的電壓，其大小為Vout = 5v * 管子等效電阻/（上拉電阻+管子等效電阻）=5v * 1/（10+1）=低電平。

當管子截止時，管子等效電阻很高，可以理解為無窮大，其與上拉電阻串聯(lián)，輸出端電壓為加在此等效電阻上的電壓，其大小為Vout = 5v * 管子等效電阻/（上拉電阻+管子等效電阻）=5v*無窮大/（無窮大+1）=高電平。

在前極輸出高電平時，Vout輸出電流，U為高電平。有兩種情況：

A、當I0 >= I1 + I2

這種情況下，RL1和RL2兩個負載不會通過R取電流，因此對R阻值大小要求不高，通常4.7 KΩ<R<20KΩ即可。此時R的主要作用是增加信號可靠性，當Vout連線松動或脫落時，抑制電路產(chǎn)生鞭狀天線效應吸收干擾。

B、當I0 < I1 + I2

I0 +I= I1 + I2

U=VCC-IR

U>=VHmin

由以上三式計算得出，R<=(VCC- VHmin)/I

其中，I0、I1、I2都是可以從datasheet查到的，I就可以求出來，VHmin也是可以查到的。

當前極Vout輸出低電平時，各管腳均為灌電流，則：

I’= I1’ + I2’ +I0’

U’ =VCC-I’ R

U’ <=VLmax

以上三式可以得出：R>=(VCC- VLmax)/I’

由以上二式計算出R的上限值和下限值，從中取一個較靠近中間狀態(tài)的值即可。注意，如果負載的個數(shù)大小不定的話，要按照最壞的情況計算，上限值要按負載最多的時候計算，下限值要按負載最少的計算。

另一種選擇方式是基于功耗的考慮。根據(jù)電路實際應用時，輸出信號狀態(tài)的頻率或時間比選擇。若信號Vout長期處于低電平，宜選擇下拉電阻；若長期處于高電平，宜選擇上拉電阻。為的是靜態(tài)電流小。

六、灌電流

灌電流：灌即充，被動輸入電流，是從輸出端口流入吸電流：

吸則是主動吸入電流，是從輸入端口流入吸電流和灌電流就是從芯片外電路通過引腳流入芯片內(nèi)的電流，區(qū)別在于吸收電流是主動的，從芯片輸入端流入的叫吸收電流。灌入電流是被動的，從輸出端流入的叫灌入電流。拉電流是數(shù)字電路輸出高電平給負載提供的輸出電流，灌電流時輸出低電平是外部給數(shù)字電路的輸入電流，它們實際就是輸入、輸出電流能力。

吸收電流是對輸入端（輸入端吸入）而言的；

而拉電流（輸出端流出）和灌電流（輸出端被灌入）是相對輸出端而言的。

1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，當輸入信號不確定時(如輸入信號為高阻態(tài)時)，加下拉電阻，就能使有效接地。

特別是GPIO連接此基極的時候，一般在GPIO所在IC剛剛上電初始化的時候，此GPIO的內(nèi)部也處于一種上電狀態(tài)，很不穩(wěn)定，容易產(chǎn)生噪聲，引起誤動作!加此電阻，可消除此影響(如果出現(xiàn)一尖脈沖電平，由于時間比較短，所以這個電壓很容易被電阻拉低;如果高電平的時間比較長，那就不能拉低了，也就是正常高電平時沒有影響)!但是電阻不能過小，影響泄漏電流!(過小則會有較大的電流由電阻流入地)

2)當三極管開關作用時,ON和OFF時間越短越好,為了防止在OFF時,因晶體管中的殘留電荷引起的時間滯后,在B,E之間加一個R起到放電作用。高頻，深飽和時特別要注意。(次要)

3 )三極管基級加電阻主要是為了設置一個偏置電壓，這樣就不會出現(xiàn)信號的失真(這在輸入信號有交流時極其重要：如當溫度上升時，Ic將增大，導致Ie也會增大，那么在Re上的壓降也增大，而Vbe=Vb-IeRe，而Vb此時基本上被下拉電阻保持住，所以使Vbe減小。當然這個減小對0.7v來說是很小的，是從微觀上去分析的。Vbe的減小，使Ib減小，結(jié)果牽制了Ic的增加，從而使Ic基本恒定。這也是反饋控制的原理)。

而且同時還是為了防止輸入電流過大，加個電阻可以分一部分電流，這樣就不會讓大電流直接流入三極管而損壞其.至于為了放電，一般是在MOS管中才用，三極管這個問題不大.

4)如果三極管不接下拉電阻，就不能設定偏置電壓，這樣會產(chǎn)生輸入信號的交越失真，并且輸 入電流過大的時候會導致大電流直接流入三極管而損壞其.三極管我們分析的時候有時候總是認為它的內(nèi)部是有二極管的效應的，但這樣是錯誤的認識，應該更正.而MOS管同樣需要一個偏制電壓，而下拉電阻可以起到這樣的作用，我們一般稱之為GATE偏制.由于MOS管內(nèi)部的三個級是彼此絕緣的，所以自然會有電容效應在，當信號消失的時候內(nèi)部的等效電容可以通過下拉電阻進行放電.而且也是必須的，否則會邏輯出錯.

接下拉電阻時還要注意：

1、下拉電阻阻值不能太大，不然會導致流入基級的電流太小.

2、如果是高速開關信號，盡量在下拉電阻上并連一個電容以提高高速性