參考圖1所示,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》提供一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,該生產(chǎn)方法包括:
a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)1的池爐中進行高溫熔融,得到熔融玻璃液;
b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)2的鉑金通道中進行凈化,得到凈化玻璃液;
c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)3的退火爐中進行固化,得到玻璃板;
d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)4的定型爐中進行切割,然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)5的運輸送入半包區(qū)6進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品;
其中,控制所述池爐區(qū)1操作環(huán)境壓力高于大氣壓4-6帕,控制所述鉑金區(qū)2操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述成型區(qū)3操作環(huán)境壓力高于大氣壓10.5-12.5帕,控制所述熱切區(qū)4操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述熱切外圍區(qū)5操作環(huán)境壓力高于大氣壓11-13帕,控制所述半包區(qū)6操作環(huán)境壓力高于大氣壓6-8帕。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,以所述玻璃基板原料總質(zhì)量為基準,所述玻璃基板原料可以包括56-64重量%的SiO2、7-11重量%的B2O3、14-18重量%的Al2O3、0.01-10重量%的BaO、3-8重量%的CaO、0.5-8重量%的SrO、0-0.5重量%的ZnO、0-4重量%的MgO,0-0.5重量%的ZrO2和0.1-1重量%的澄清劑。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,所述池爐區(qū)1、鉑金區(qū)2、成型區(qū)3、熱切區(qū)4、熱切外圍區(qū)5和半包區(qū)6中可以各自獨立地設(shè)置有壓力傳感器、靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥;該生產(chǎn)方法還可以包括:通過壓力傳感器探測壓力并通過控制器控制靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,從而控制所述池爐區(qū)1、鉑金區(qū)2、成型區(qū)3、熱切區(qū)4、熱切外圍區(qū)5和半包區(qū)6的操作環(huán)境壓力。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,以ISO14644-1為標準,控制所述熱切區(qū)4操作環(huán)境和熱切外圍區(qū)5操作環(huán)境的潔凈等級可以為950-1050,控制所述半包區(qū)6操作環(huán)境的潔凈等級可以為4850-5150。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,控制所述池爐區(qū)1操作環(huán)境的溫度可以為29-31℃,控制所述鉑金區(qū)2操作環(huán)境的溫度可以為41-43℃,控制所述成型區(qū)3操作環(huán)境的溫度可以為25-27℃,控制所述熱切區(qū)4操作環(huán)境的溫度可以為24-26℃,控制所述熱切外圍區(qū)5操作環(huán)境的溫度可以為24-26℃,控制所述半包區(qū)6操作環(huán)境的溫度可以為24-26℃。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,控制所述鉑金區(qū)2操作環(huán)境的相對濕度可以為55-65%,控制所述熱切區(qū)4操作環(huán)境的相對濕度可以為45-55%,控制所述熱切外圍區(qū)5操作環(huán)境的相對濕度可以為45-55%,控制所述半包區(qū)6操作環(huán)境的相對濕度可以為45-55%。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,控制所述鉑金區(qū)2操作環(huán)境的露點溫度可以為31-33℃。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,可以通過調(diào)節(jié)各區(qū)域總的送風量和總的排風量來控制所述池爐區(qū)1、鉑金區(qū)2、成型區(qū)3、熱切區(qū)4、熱切外圍區(qū)5和半包區(qū)6的操作環(huán)境壓力。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,所述池爐中高溫熔融的溫度可以為1500-1600℃,所述退火爐中進行固化的溫度可以為100-200℃,所述定型爐出口進行切割的溫度可以為100-160℃。
根據(jù)《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,所述鉑金通道中的溫度可以為1200-1600℃。
以上結(jié)合附圖詳細描述了《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的優(yōu)選實施方式,但是,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》并不限于上述實施方式中的具體細節(jié),在《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的技術(shù)方案進行多種簡單變型,這些簡單變型均屬于《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的保護范圍。
另外需要說明的是,在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進行組合,為了避免不必要的重復,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》對各種可能的組合方式不再另行說明。
此外,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合,只要其不違背《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的思想,其同樣應(yīng)當視為《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》所公開的內(nèi)容。
下面將通過實施例來進一步說明《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》,但是,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》并不因此而受到任何限制 。
實施例1
(1)按照以下重量百分比準備玻璃基板原料:56重量%的SiO2、7重量%的B2O3、14重量%的Al2O3、0.01重量%的BaO、3重量%的CaO、0.5重量%的SrO和0.1重量%的澄清劑SnO2;
(2)在池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)中各自獨立地設(shè)置壓力傳感器、靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,通過壓力傳感器探測壓力并通過控制器控制靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,或者通過調(diào)節(jié)各區(qū)域總的送風量和總的排風量來控制所述池爐區(qū)(1)操作環(huán)境壓力高于大氣壓4帕、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14帕、成型區(qū)(3)操作環(huán)境壓力高于大氣壓10.5帕、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14帕、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境壓力高于大氣壓11帕、半包區(qū)(6)操作環(huán)境壓力高于大氣壓6帕;以ISO14644-1為標準,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境和熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的潔凈等級為950、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的潔凈等級為4850;控制池爐區(qū)(1)操作環(huán)境的溫度為29℃、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的溫度為41℃、成型區(qū)(3)操作環(huán)境的溫度為25℃、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的溫度為24℃、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的溫度為24℃、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的溫度為24℃,控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的露點溫度為31℃;控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的相對濕度為55%、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的相對濕度為45%、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的相對濕度為45%、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的相對濕度為45%;
(3)保持各工作區(qū)生產(chǎn)環(huán)境條件如(2)中控制下,a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)(1)的池爐中進行1500℃的高溫熔融,得到熔融玻璃液;b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)(2)的鉑金通道中進行1200℃的凈化,得到凈化玻璃液;c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)(3)的退火爐后溫度逐漸降低至100-150℃進而固化,得到玻璃板;d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)(4)的定型爐中進行切割,控制定型爐出口的切割溫度為100℃;然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)(5)的運輸送入半包區(qū)(6)進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品1 。
實施例2
(1)按照以下重量百分比準備玻璃基板原料:64重量%的SiO2、11重量%的B2O3、18重量%的Al2O3、10重量%的BaO、8重量%的CaO、8重量%的SrO、0.5重量%的ZnO、4重量%的MgO,0.5重量%的ZrO2和1重量%的澄清劑SnO2;
(2)在池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)中各自獨立地設(shè)置壓力傳感器、靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,通過壓力傳感器探測壓力并通過控制器控制靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,同時結(jié)合調(diào)節(jié)區(qū)域總的送風量和排風量控制所述池爐區(qū)(1)操作環(huán)境壓力高于大氣壓6帕、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境壓力高于大氣壓16帕、成型區(qū)(3)操作環(huán)境壓力高于大氣壓12.5帕、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境壓力高于大氣壓16帕、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境壓力高于大氣壓13帕、半包區(qū)(6)操作環(huán)境壓力高于大氣壓8帕;以ISO14644-1為標準,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境和熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的潔凈等級為1050、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的潔凈等級為5150;控制池爐區(qū)(1)操作環(huán)境的溫度為31℃、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的溫度為43℃、成型區(qū)(3)操作環(huán)境的溫度為27℃、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的溫度為26℃、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的溫度為26℃、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的溫度為26℃,控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的露點溫度為33℃;控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的相對濕度為65%、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的相對濕度為55%、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的相對濕度為55%、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的相對濕度為55%;
(3)保持(2)中各工作區(qū)生產(chǎn)環(huán)境條件控制下,a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)(1)的池爐中進行1600℃的高溫熔融,得到熔融玻璃液;b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)(2)的鉑金通道中進行1600℃的凈化,得到凈化玻璃液;c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)(3)的退火爐后溫度逐漸降低至150-200℃進而固化,得到玻璃板;d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)(4)的定型爐中進行切割,控制定型爐出口的切割溫度為160℃;然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)(5)的運輸送入半包區(qū)(6)進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品2 。
實施例3
(1)按照以下重量百分比準備玻璃基板原料:60重量%的SiO2、9重量%的B2O3、16重量%的Al2O3、5重量%的BaO、5重量%的CaO、4重量%的SrO、0.25重量%的ZnO、2重量%的MgO,0.25重量%的ZrO2和0.5重量%的澄清劑SnO2;
(2)在池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)中各自獨立地設(shè)置壓力傳感器、靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,通過壓力傳感器探測壓力并通過控制器控制靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,或者通過調(diào)節(jié)總的送風量和總的排風量控控制所述池爐區(qū)(1)操作環(huán)境壓力高于大氣壓5帕、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境壓力高于大氣壓15帕、成型區(qū)(3)操作環(huán)境壓力高于大氣壓11.5帕、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境壓力高于大氣壓15帕、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境壓力高于大氣壓12帕、半包區(qū)(6)操作環(huán)境壓力高于大氣壓7帕;以ISO14644-1為標準,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境和熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的潔凈等級為1000、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的潔凈等級為5000;控制池爐區(qū)(1)操作環(huán)境的溫度為30℃、鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的溫度為42℃、成型區(qū)(3)操作環(huán)境的溫度為26℃、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的溫度為25℃、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的溫度為25℃、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的溫度為25℃,控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的露點溫度為32℃;控制鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的相對濕度為60%、熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的相對濕度為50%、熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的相對濕度為50%、半包區(qū)(6)操作環(huán)境的相對濕度為50%;
(3)保持(2)中各工作區(qū)生產(chǎn)環(huán)境條件控制下,a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)(1)的池爐中進行1550℃的高溫熔融,得到熔融玻璃液;b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)(2)的鉑金通道中進行1400℃的凈化,得到凈化玻璃液;c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)(3)的退火爐后溫度逐漸降低至100-200℃進而固化,得到玻璃板;d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)(4)的定型爐中進行切割,控制定型爐出口的切割溫度為130℃;然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)(5)的運輸送入半包區(qū)(6)進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品3 。
對比例1
按照實施例1的方法生產(chǎn)液晶玻璃基板,改變?nèi)缦碌目刂茥l件:池爐區(qū)操作環(huán)境的溫度24.17℃,熱切區(qū)操作環(huán)境的溫度為33.9℃,熱切區(qū)操作環(huán)境的相對濕度為37.8%,熱切區(qū)操作環(huán)境壓力高于成型區(qū)操作環(huán)境壓力0.2帕 。
對比例2
按照實施例2的方法生產(chǎn)液晶玻璃基板,改變?nèi)缦碌目刂茥l件:鉑金區(qū)操作環(huán)境溫度42℃,熱切區(qū)操作環(huán)境壓力高于成型區(qū)操作環(huán)境壓力0.9帕,熱切區(qū)操作環(huán)境溫度為34.2℃,熱切區(qū)操作環(huán)境的相對濕度為28.2%。
對實施例1-3及對比例1-2生產(chǎn)液晶玻璃基板的條紋級別、流量、玻璃應(yīng)力、玻璃粉塵級別、玻璃厚度波動、翹曲波動(上端;下端)、垂度的檢測值見表1。
表1:實施例1-3及對比例1-2的玻璃基板數(shù)值檢測表
由表1可以看出,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的液晶玻璃基板生產(chǎn)方法能夠保證液晶玻璃的正常、連續(xù)生產(chǎn),生產(chǎn)出的液晶玻璃基板具有非常好的品質(zhì)。
以上描述了《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的優(yōu)選實施方式,但是,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》并不限于上述實施方式中的具體細節(jié),在《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的技術(shù)方案進行多種簡單變型,這些簡單變型均屬于《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的保護范圍。
另外需要說明的是,在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進行組合,為了避免不必要的重復,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》對各種可能的組合方式不再另行說明 。
1.一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,該生產(chǎn)方法包括:a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)(1)的池爐中進行高溫熔融,得到熔融玻璃液;b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)(2)的鉑金通道中進行凈化,得到凈化玻璃液;c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)(3)的退火爐中進行固化,得到玻璃板;d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)(4)的定型爐中進行切割,然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)(5)的運輸送入半包區(qū)(6)進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品;其特征在于,控制所述池爐區(qū)(1)操作環(huán)境壓力高于大氣壓4-6帕,控制所述鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述成型區(qū)(3)操作環(huán)境壓力高于大氣壓10.5-12.5帕,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境壓力高于大氣壓11-13帕,控制所述半包區(qū)(6)操作環(huán)境壓力高于大氣壓6-8帕;以ISO14644-1為標準,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境和熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的潔凈等級為950-1050,控制所述半包區(qū)(6)操作環(huán)境的潔凈等級為4850-5150;控制所述池爐區(qū)(1)操作環(huán)境的溫度為29-31℃,控制所述鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的溫度為41-43℃,控制所述成型區(qū)(3)操作環(huán)境的溫度為25-27℃,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的溫度為24-26℃,控制所述熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的溫度為24-26℃,控制所述半包區(qū)(6)操作環(huán)境的溫度為24-26℃;控制所述鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的相對濕度為55-65%,控制所述熱切區(qū)(4)操作環(huán)境的相對濕度為45-55%,控制所述熱切外圍區(qū)(5)操作環(huán)境的相對濕度為45-55%,控制所述半包區(qū)(6)操作環(huán)境的相對濕度為45-55%;控制所述鉑金區(qū)(2)操作環(huán)境的露點溫度為31-33℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,其特征在于,以所述玻璃基板原料總質(zhì)量為基準,所述玻璃基板原料包括56-64重量%的SiO2、7-11重量%的B2O3、14-18重量%的Al2O3、0.01-10重量%的BaO、3-8重量%的CaO、0.5-8重量%的SrO、0-0.5重量%的ZnO、0-4重量%的MgO、0-0.5重量%的ZrO2和0.1-1重量%的澄清劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)中各自獨立地設(shè)置有壓力傳感器、靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥;該生產(chǎn)方法還包括:通過壓力傳感器探測壓力并通過控制器控制靜壓箱、排風機或調(diào)節(jié)式風閥,從而控制所述池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)的操作環(huán)境壓力。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,其特征在于,通過調(diào)節(jié)各區(qū)域的總的送風量和總的排風量控制所述池爐區(qū)(1)、鉑金區(qū)(2)、成型區(qū)(3)、熱切區(qū)(4)、熱切外圍區(qū)(5)和半包區(qū)(6)的操作環(huán)境壓力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述池爐中高溫熔融的溫度為1500-1600℃,所述退火爐中進行固化的溫度為100-200℃,所述定型爐出口進行切割的溫度為100-160℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,其特征在于,所述鉑金通道中的溫度為1200-1600℃ 。
《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》涉及液晶玻璃生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法 。
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主營產(chǎn)品:液晶玻璃減薄機,TFT玻璃薄化蝕刻機,玻璃基板切割機,代替CNC切割機,OGS二次強化蝕刻機,面板二次強化蝕刻機,玻璃切割機,液晶玻璃清洗機,OGS脫膜機,退膜線,超聲波清洗機,OGS專用清...
圖1是應(yīng)用《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的制備方法的液晶玻璃基板生產(chǎn)中各工作區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標記說明:1池爐區(qū),2鉑金區(qū),3成型區(qū),4熱切區(qū),5熱切外圍區(qū),6半包區(qū) 。
《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的發(fā)明目的是降低液晶玻璃基板生產(chǎn)殘次品率,提高玻璃基板品質(zhì)和生產(chǎn)效率 。
《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》提供了一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法,該生產(chǎn)方法包括:
a、將玻璃基板原料混合后送入池爐區(qū)的池爐中進行高溫熔融,得到熔融玻璃液;
b、將步驟a所得熔融玻璃液送入鉑金區(qū)的鉑金通道中進行凈化,得到凈化玻璃液;
c、將步驟b所得凈化玻璃液送入成型區(qū)的退火爐中進行固化,得到玻璃板;
d、將步驟c所得玻璃板送入熱切區(qū)的定型爐中進行切割,然后經(jīng)過熱切外圍區(qū)的運輸送入半包區(qū)進行檢查后完成液晶玻璃基板的包裝,得到液晶玻璃基板半成品;
其中,控制所述池爐區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓4-6帕,控制所述鉑金區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述成型區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓10.5-12.5帕,控制所述熱切區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓14-16帕,控制所述熱切外圍區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓11-13帕,控制所述半包區(qū)操作環(huán)境壓力高于大氣壓6-8帕 。
《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》中液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法能夠很好地控制各個工作區(qū)域的相對壓差、濕度、潔凈度、風量和流速等;為池爐、通道、成型、熱切和檢驗工序等同時提供穩(wěn)定的工作環(huán)境,進而保證液晶玻璃的正常、連續(xù)生產(chǎn);《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》的生產(chǎn)方法得到的液晶玻璃基板成品率高、品質(zhì)高且生產(chǎn)效率高 。
截至2016年6月2日,液晶玻璃基板是液晶玻璃的重要組件,在商業(yè)上應(yīng)用的玻璃基板,其主要厚度為0.7毫米及0.5毫米,且即將發(fā)展為更?。ㄈ?.4毫米)的厚度?;旧希黄琓FT-LCD面板需使用到二片玻璃基板,分別供作底層玻璃基板及彩色濾光片的底板使用。LCD所用玻璃基板概可分為堿玻璃及無堿玻璃兩大類;堿玻璃包括鈉玻璃及中性硅酸硼玻璃兩種,多應(yīng)用于TN及STNLCD上,主要生產(chǎn)廠商有日本板硝子(NHT)、旭硝子(Asahi)及中央硝子(CentralGlass)等,以浮式法制程生產(chǎn)為主;無堿玻璃則以無堿硅酸鋁玻璃(AluminoSilicateGlass,主成分為SiO2、Al2O3、B2O3及BaO等)為主,其堿金屬總含量在1%以下,主要用于TFT-LCD上,領(lǐng)導廠商為美國康寧(Corning)公司,以溢流熔融法制程生產(chǎn)為主。能夠提供大尺寸上影液晶屏幕玻璃基板的廠商只有美國康寧、日本旭硝子等四家,其中美國康寧占據(jù)51%的市場,日本旭硝子占據(jù)28%的份額,而能夠為5代以上生產(chǎn)線提供配套的也只有這兩家,雖然玻璃基板只占據(jù)TFT-LCD產(chǎn)品成本的6%-7%,但技術(shù)上的寡頭壟斷讓玻璃基板產(chǎn)品成為TFT-LCD上游材料占據(jù)主導的零配產(chǎn)品。中國國內(nèi)的彩虹、東旭等也能生產(chǎn)TFT-LCD玻璃。
超薄平板玻璃基材的特性主要取決于玻璃的組成,而玻璃的組成則影響玻璃的熱膨脹、黏度(應(yīng)變、退火、轉(zhuǎn)化、軟化和工作點)、耐化學性、光學穿透吸收及在各種頻率與溫度下的電氣特性,產(chǎn)品質(zhì)量除深受材料組成影響外,也取決于生產(chǎn)方法。
玻璃基板在TN/STN、TFT-LCD應(yīng)用上,要求的特性有表面特性﹑耐熱性﹑耐藥品性及堿金屬含量等;影響TFT-LCD用玻璃基板之主要物理特性包括:張力點、比重、熱膨脹系數(shù)、熔點、軟化點、耐化學性、機械強度、光學性質(zhì)及電氣特性等。
但是,在2016年的液晶玻璃基板生產(chǎn)中,還存在著殘次品率較高,玻璃基板的品質(zhì)較差和生產(chǎn)效率較低的缺陷 。
2020年7月14日,《一種液晶玻璃基板的生產(chǎn)方法》獲得第二十一屆中國專利金獎 。2100433B
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反射膜基板的工蕓流程 深圳市晶霸威電子有限公司 素板Glass的清洗 首先、先在外注工司對素板 Glass進行清洗。 深圳市晶霸威電子有限公司 ITO膜的噴塗 接地 Glass ITO ITO ITO ITO 磁體 加熱器 加熱器 深圳市晶霸威電子有限公司 反射膜的噴塗 接地 Glass Ag Ag Ag APC 磁體 加熱器 加熱器 深圳市晶霸威電子有限公司 感光樹脂塗布 ? 露光 ? 現(xiàn)像① 感光樹脂液 反射膜 ITO膜 Glass基板 Glass基板 深圳市晶霸威電子有限公司 感光樹脂塗布 ? 露光 ? 現(xiàn)像② Glass基板 干版 Glass基板 UV光 Glass基板 深圳市晶霸威電子有限公司 感光樹脂塗布 ? 露光 ? 現(xiàn)像③ Glass基板 現(xiàn)像液 Glass基板 Glass基板 深圳市晶霸威電子有限公司 蝕刻 ? 感光樹脂剝離① 蝕刻液 Glass基板 Glas
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《一種啞光效果的拋釉磚的生產(chǎn)方法》提供一種啞光效果拋釉磚的生產(chǎn)方法,通過此方法,制備出來的拋釉磚產(chǎn)品具有啞光效果,而且沒有劃痕,耐污效果好。
《一種啞光效果的拋釉磚的生產(chǎn)方法》包括如下工序:原料球磨除鐵;噴霧造粒;布料成型;干燥;施底釉;印花裝飾;施面釉;燒成;拋光;磨邊;其特征在于,在上述拋光工序包括如下步驟:
步驟1)使用彈性磨塊作為拋光磨具拋光;其中所述彈性磨塊的拋光介質(zhì)為使用樹脂粘結(jié)的磨料,所述磨料的細度為100-320目;
步驟2)使用研磨擦作為拋光磨具拋光;其中所述研磨擦上設(shè)有用于拋磨的刷毛,所述刷毛是由硬質(zhì)塑料和磨料構(gòu)成,所述磨料的細度為150-400目;
步驟3)使用拋光片作為拋光磨具拋光,其中所述拋光片的拋光介質(zhì)為與纖維結(jié)合的磨料,所述磨料的細度為200-600目。
優(yōu)選地,在以上方法中,所述磨料為碳化硅、金剛砂和氧化鎂中的一種或多種組合。以上三種磨料具有很高的硬度,具有良好的拋磨效果。
優(yōu)選地,在以上方法中,所述刷毛的截面直徑為0.5-2毫米。進一步優(yōu)選為0.75-1.2毫米,這樣細度可以較好的修復磚面的劃痕。
優(yōu)選地,在以上方法中,所述樹脂優(yōu)選為高溫樹脂,例如高溫環(huán)氧樹脂或其類似物。高溫樹脂能夠保證在拋磨時的對磨料的粘結(jié)強度。
優(yōu)選地,在以上方法中,步驟1)中磨料細度為100-240目;步驟2)中磨料細度為150-240目;步驟3)中磨料細度為240-320目。通過以上組合,可以使拋光后磚面的光澤度為15-35°,實現(xiàn)直入光的漫反射,對空間光環(huán)境進行調(diào)節(jié),有助于營造自然、舒適的空間感覺。
進一步優(yōu)選地,在以上方法中,步驟1)中磨料細度為180-320目;步驟2)中磨料細度為320-400目;步驟3)中磨料細度為320-600目。通過以上組合,可以使拋光后磚面的光澤度為40-50°;在此效果下,除了裝飾效果達到最佳外,磚面的耐污性能也最好。
優(yōu)選地,在以上方法中,在磨邊工序后,還包括防污處理工序。
進一步優(yōu)選,在上述方法中,所述防污處理工序包括如下步驟:
步驟1)使用打蠟機涂上防污蠟;
步驟2)經(jīng)過100-200℃干燥。
其中防污蠟的主要成分包括聚乙烯、珠光粉、石蠟。防污蠟屬于陶瓷產(chǎn)品常用防護劑,可以在市面購買獲得。
《一種啞光效果的拋釉磚的生產(chǎn)方法》提供的方法,通過使用研磨擦和拋光片處理,能夠?qū)⒋u面在前段拋光工序中產(chǎn)生劃痕很好的去除,從而獲得具有良好耐污效果的啞光拋釉磚產(chǎn)品。
2018年12月20日,《一種啞光效果的拋釉磚的生產(chǎn)方法》獲得第二十屆中國專利優(yōu)秀獎。
《一種啞光效果的拋釉磚的生產(chǎn)方法》屬于一種陶瓷建材技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種啞光效果的拋釉磚制備方法。