晶體三極管是由形成二個PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的,其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為PNP型,硅三極管多為NPN型,它們的結(jié)構(gòu)原理是相同的。 三極管有三個區(qū)、三個電極。其中基區(qū)(三極管中間的一層薄半導(dǎo)體)引出基極b;兩側(cè)有發(fā)射區(qū)引出發(fā)射極e及集電區(qū)引出集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。在電路符號上PNP型管發(fā)射極箭頭向里,NPN型管發(fā)射極箭頭向外,表示電流方向。
中文名稱 | NPN晶體管 | 組成 | 三部分半導(dǎo)體 |
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簡介 | 基區(qū) | 引出基極b |
NPN晶體管概述
簡介
晶體三極管是由形成二個PN結(jié)的三部分半導(dǎo)體組成的,其組成形式有PNP型及NPN型。我國生產(chǎn)的鍺三極管多為PNP型,硅三極管多為NPN型,它們的結(jié)構(gòu)原理是相同的。
三極管有三個區(qū)、三個電極。其中基區(qū)(三極管中間的一層薄半導(dǎo)體)引出基極b;兩側(cè)有發(fā)射區(qū)引出發(fā)射極e及集電區(qū)引出集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電結(jié)。在電路符號上PNP型管發(fā)射極箭頭向里,NPN型管發(fā)射極箭頭向外,表示電流方向。
接近光電PNP類的信號觸發(fā),有些是紅外線的,有的是經(jīng)過光的漫反射,有的是經(jīng)過感應(yīng)到鐵來觸發(fā)信號的。一般棕色的線接電源正極、蘭色的線接電源的負(fù)極、黑色的是信號輸出線,PNP類的接近開關(guān)輸出的信號線是正,...
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室...
只用一種載流子進(jìn)行導(dǎo)電的晶體管稱為單極型晶體管。
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S波段500WRF器件2729GN~500越于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù),新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用,ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。
通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號,其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導(dǎo)體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。
晶體管分類:雙極型晶體管和場效應(yīng)管
雙極型晶體管分類:NPN型管和PNP型管
電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列,包括低頻小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪聲管9014(NPN),高頻小功率管9018(NPN)等。它們的型號一般都標(biāo)在塑殼上,而樣子都一樣,都是TO-92標(biāo)準(zhǔn)封裝。在老式的電子產(chǎn)品中還能見到3DG6(低頻小功率硅管)、3AX31 (低頻小功率鍺管) 等,它們的型號也都印在金屬的外殼上。
第一部分的3表示為三極管。 第二部分表示器件的材料和結(jié)構(gòu),A: PNP型鍺材料 B: NPN型鍺材料 C: PNP型硅材料 D: NPN型硅材料 第三部分表示功能,U:光電管 K:開關(guān)管 X:低頻小功率管 G:高頻小功率管 D:低頻大功率管 A:高頻大功率管。另外,3DJ型為場效應(yīng)管,BT打頭的表示半導(dǎo)體特殊元件。