半導體器件物理與工藝

《半導體器件物理》（第3版）這本經(jīng)典著作在半導體器件領域已經(jīng)樹立起了先進的學習和參考典范。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，并做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點?！栋雽w器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：以最新進展進行了全面更新；包括了對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯(lián)激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述；對內容進行了重新組織和安排；各章后面配備了習題；重新高質量地制作了書中的所有插圖。

譯者序

前言

導言

第1部分半導體物理

第1章半導體物理學和半導體性質概要

1.1引言

1.2晶體結構

1.3能帶和能隙

1.4熱平衡時的載流子濃度

1.5載流子輸運現(xiàn)象

1.6聲子、光學和熱特性

1.7異質結和納米結構

1.8基本方程和實例

第2部分器件的基本構件

第2章p-n結二極管

2.1引言

2.2耗盡區(qū)

2.3電流-電壓特性

2.4結擊穿

2.5瞬變特性與噪聲

2.6端功能

2.7異質結

第3章金屬-半導體接觸

3.1引言

3.2勢壘的形成

3.3電流輸運過程

3.4勢壘高度的測量

3.5器件結構

3.6歐姆接觸

第4章金屬-絕緣體-半導體電容

4.1引言

4.2理想MIS電容

4.3硅MOS電容

第3部分晶體管

第5章雙極晶體管

5.1引言

5.2靜態(tài)特性

5.3微波特性

5.4相關器件結構

5.5異質結雙極晶體管

第6章MOS場效應晶體管

6.1引言

6.2器件的基本特性

6.3非均勻摻雜和埋溝器件

6.4器件按比例縮小和短溝道效應

6.5MOSFET的結構

6.6電路應用

6.7非揮發(fā)存儲器

6.8單電子晶體管

第7章JFET，MESFET和MODFET器件

7.1引言

7.2JFET和MODFET

7.3MODFET

第4部分負阻器件和功率器件

第8章隧道器件

8.1引言

8.2隧道二極管

8.3相關的隧道器件

8.4共振遂穿二極管

第9章碰撞電離雪崩渡越時間二極管

第10章轉移電子器件和實空間轉移器件

第11章晶閘管和功率器件

第5部分光學器件和傳感器

第12章發(fā)光二極管和半導體激光器

第13章光電探測器和太陽電池

第14章傳感器

附錄A.符號表

B.國際單位制

C.單位詞頭

D.希臘字母表

E.物理常數(shù)

F.重要半導體的特性

G.Si和GaAs的特性

H.SiO2和Si3N4的特性 2100433B