用多晶硅版刻出多晶硅圖形,再用有源區(qū)版刻掉有源區(qū)上的氧化層,高溫下以n型雜質(zhì)對(duì)有源區(qū)進(jìn)行擴(kuò)散(1000℃左右)。此時(shí)耐高溫的多晶硅和下面的氧化層起掩蔽作用。
設(shè)計(jì)這類晶體管時(shí)往往讓柵區(qū)寬度(柵氧化膜及其上的鋁柵電極兩者)比源和漏擴(kuò)散區(qū)的間距要大一些,光刻時(shí)使柵區(qū)的兩端分別落在源和漏擴(kuò)散區(qū)上并有一定余量,由此便產(chǎn)生了較大的柵對(duì)源、漏的覆蓋電容,使電路的開關(guān)速度降低。
中文名稱 | 自對(duì)準(zhǔn)工藝 | 外文名稱 | self-alignment technique |
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含義 | 實(shí)現(xiàn)光復(fù)印自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的技術(shù) | 內(nèi)容 | 詳見正文 |
自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)
self-alignment technique
微電子技術(shù)中利用元件、器件結(jié)構(gòu)特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)光復(fù)印自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)的技術(shù)。早期的 MOS集成電路采用的是鋁柵工藝,首先在硅單晶片上熱氧化生長(zhǎng)一層二氧化硅膜,經(jīng)第一次光刻,在二氧化硅膜上刻蝕出源和漏擴(kuò)散窗口,用擴(kuò)散法形成源和漏擴(kuò)散區(qū) (圖1aMOS集成電路鋁柵工藝),接著在硅片上形成新的二氧化硅層;再經(jīng)過第二次光刻,刻蝕出柵區(qū),生長(zhǎng)柵氧化層;然后,經(jīng)光刻刻出引線孔,完成蒸鋁和刻鋁等后工序;最后形成MOS晶體管。因?yàn)闁艆^(qū)必須在源和漏擴(kuò)散區(qū)正中間,并需要稍覆蓋源區(qū)和漏區(qū),第二次光刻以及形成鋁柵電極的那步光刻,都必須和第一次光刻的位置精確對(duì)準(zhǔn)(圖1bMOS集成電路鋁柵工藝)。否則,柵區(qū)與源區(qū)或漏區(qū)就可能銜接不上,使溝道斷開(圖1cMOS集成電路鋁柵工藝),致使MOS晶體管無法工作。因此,設(shè)計(jì)這類晶體管時(shí)往往讓柵區(qū)寬度(柵氧化膜及其上的鋁柵電極兩者)比源和漏擴(kuò)散區(qū)的間距要大一些,光刻時(shí)使柵區(qū)的兩端分別落在源和漏擴(kuò)散區(qū)上并有一定余量,由此便產(chǎn)生了較大的柵對(duì)源、漏的覆蓋電容,使電路的開關(guān)速度降低。
隨硅柵工藝的發(fā)展,已實(shí)現(xiàn)柵與源和漏的自對(duì)準(zhǔn)。這種工藝是先在生長(zhǎng)有柵氧化膜的硅單晶片上淀積一層多晶硅,然后在多晶硅上刻蝕出兩個(gè)擴(kuò)散窗口,雜質(zhì)經(jīng)窗口熱擴(kuò)散到硅單晶片內(nèi),形成源和漏擴(kuò)散區(qū)(圖2MOS硅柵工藝自對(duì)準(zhǔn)示意圖),同時(shí)形成導(dǎo)電的多晶硅柵電極,其位置自動(dòng)與源和漏的位置對(duì)準(zhǔn)。按照這種自對(duì)準(zhǔn)工藝,柵與源和漏的覆蓋由雜質(zhì)側(cè)向擴(kuò)散完成,比鋁柵工藝的覆蓋電容要小很多。采用離子注入摻雜工藝的雜質(zhì)側(cè)向擴(kuò)散更小,用它代替硅柵工藝中的熱擴(kuò)散工藝,能進(jìn)一步減小柵對(duì)源和漏的覆蓋電容。此外,在鋁柵工藝中,即使鋁柵電極比溝道短,也可增加一步離子注入工藝填充柵區(qū)旁的未銜接部分,實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)(圖3MOS鋁柵工藝實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)的示意圖),借以減小寄生電容,可提高M(jìn)OS集成電路的開關(guān)速度和工作頻率,同時(shí)也減小器件尺寸而提高電路的集成度。
在雙極型晶體管及其集成電路的制造中,也多采用自對(duì)準(zhǔn)工藝。例如,用微米級(jí)線寬的多晶硅發(fā)射極作掩模,再擴(kuò)散雜質(zhì)形成濃基區(qū),以實(shí)現(xiàn)發(fā)射極與基區(qū)的自對(duì)準(zhǔn)。又如超自對(duì)準(zhǔn)工藝的主要工序是用通常方法完成基區(qū)摻雜后,在硅片上淀積一層未摻雜多晶硅,氧化掉不必要的部分。在整個(gè)芯片上淀積氮化硅膜層和二氧化硅膜層。除發(fā)射區(qū)和集電極接觸孔外,其他部位的二氧化硅膜全腐蝕掉。以二氧化硅膜作掩模,把硼注入到未摻雜多晶硅內(nèi),然后腐蝕掉氮化硅(稍微過腐蝕一點(diǎn))。再采用選擇腐蝕法把未摻雜多晶硅腐蝕去,暴露的基區(qū)寬度小于1微米。采用熱氧化,同時(shí)形成P□區(qū)。去掉氮化硅,不用掩模進(jìn)行硼注入,自對(duì)準(zhǔn)形成P□基區(qū)。再在多晶硅發(fā)射極中摻入砷,擴(kuò)散形成發(fā)射區(qū)。其他后續(xù)工序與通常的雙極型集成電路工藝相同。用這種方法制成的雙極型晶體管,實(shí)現(xiàn)了多晶硅發(fā)射極與P+基區(qū)的自對(duì)準(zhǔn),有較小的基區(qū)電阻和較小的發(fā)射極-基極結(jié)電容,多晶硅發(fā)射極和多晶硅基極間距小于1微米,提高了雙極型集成電路的速度,也提高了電路的集成度。用這種技術(shù)已制成存取時(shí)間為2.7納秒發(fā)射極耦合邏輯電路的1千位隨機(jī)存儲(chǔ)器。
單對(duì)齊處理一下,定義暗柱時(shí)可以 選擇插入點(diǎn)位置
延伸到了現(xiàn)在,建筑風(fēng)水學(xué)已經(jīng)成為一門建筑科學(xué),并且建筑風(fēng)水師已經(jīng)得到國(guó)家的認(rèn)可。這種風(fēng)水學(xué)時(shí)以科學(xué)為依據(jù),以人們?nèi)粘I罾塾?jì)的經(jīng)驗(yàn)為指導(dǎo)的一種人性居住選址規(guī)范。 現(xiàn)代風(fēng)水學(xué)主要是研究人的生活習(xí)性、氣候...
實(shí)在是不太好,別的不說,光氣味就夠受的了,還有蚊蠅
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介紹了雙面光刻對(duì)準(zhǔn)原理及技術(shù)新發(fā)展,表明了不變焦對(duì)準(zhǔn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。針對(duì)玻璃基片設(shè)計(jì)了十字加方框的對(duì)準(zhǔn)圖樣,經(jīng)重新調(diào)焦,利用基片透明屬性透過基片標(biāo)記觀測(cè)掩模標(biāo)記實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn),不再采用靜態(tài)存儲(chǔ)的掩模數(shù)字圖像作為精對(duì)準(zhǔn)基準(zhǔn),規(guī)避了可能由物鏡側(cè)移帶來的對(duì)準(zhǔn)誤差。最后提供了幾種常用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖樣,并為了加工操作的便利引入了輔助搜索線。
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對(duì)于厚鋁芯片的制造工藝,由于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上覆蓋了厚的鋁層,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形貌輪廓會(huì)變得模糊,這會(huì)導(dǎo)致光刻對(duì)準(zhǔn)出現(xiàn)困難,對(duì)偏的問題將變得常見。為了解決此問題,提出了多種改善方法,首先采用疊加標(biāo)記法,通過將不同層次的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行疊加,增大了標(biāo)記的臺(tái)階,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的輪廓變得比原來清晰。其次是局部濺射法,通過夾具保護(hù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,確保標(biāo)記不被厚鋁覆蓋,因此厚鋁將不會(huì)對(duì)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記產(chǎn)生任何影響。最后是剝離工藝法,通過光刻膠保護(hù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,使之不被厚鋁覆蓋,因此,對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形貌將會(huì)保持清晰。這些方法在工藝和原理上是不同的,它們適用于不同的環(huán)境。通過這些方法,基本可以解決厚鋁工藝中光刻對(duì)準(zhǔn)困難的問題。
制造高精度的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)需要具有近乎完美的精密機(jī)械工藝,這也是國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)望其項(xiàng)背的技術(shù)難點(diǎn)之一,許多美國(guó)德國(guó)品牌光刻機(jī)具有特殊專利的機(jī)械工藝設(shè)計(jì)。例如Mycro N&Q光刻機(jī)采用的全氣動(dòng)軸承設(shè)計(jì)專利技術(shù),有效避免軸承機(jī)械摩擦所帶來的工藝誤差。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)另外一個(gè)技術(shù)難題就是對(duì)準(zhǔn)顯微鏡。為了增強(qiáng)顯微鏡的視場(chǎng),許多高端的光刻機(jī),采用了LED照明。
對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)共有兩套,具備調(diào)焦功能。主要就是由雙目雙視場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對(duì)(光刻機(jī)通常會(huì)提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用)。
CCD對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)作用是將掩模和樣片的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記放大并成像于監(jiān)視器上。
工件臺(tái)顧名思義就是放工件的平臺(tái),光刻工藝最主要的工件就是掩模和基片。
工件臺(tái)為光刻機(jī)的一個(gè)關(guān)鍵,由掩模樣片整體運(yùn)動(dòng)臺(tái)(XY)、掩模樣片相對(duì)運(yùn)動(dòng)臺(tái)(XY)、轉(zhuǎn)動(dòng)臺(tái)、樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)、樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)、承片臺(tái)、掩模夾、抽拉掩模臺(tái)組成。
其中,樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)包括球座和半球。調(diào)平過程中首先對(duì)球座和半球通上壓力空氣,再通過調(diào)焦手輪,使球座、半球、樣片向上運(yùn)動(dòng),使樣片與掩模相靠而找平樣片,然后對(duì)二位三通電磁閥將球座和半球切換為真空進(jìn)行鎖緊而保持調(diào)平狀態(tài)。
樣片調(diào)焦機(jī)構(gòu)由調(diào)焦手輪、杠桿機(jī)構(gòu)和上升直線導(dǎo)軌等組成,調(diào)平上升過程初步調(diào)焦,調(diào)平完成鎖緊球氣浮后,樣片和掩模之間會(huì)產(chǎn)生一定的間隙,因此必須進(jìn)行微調(diào)焦。另一方面,調(diào)平完成進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),必須分離一定的對(duì)準(zhǔn)間隙,也需要進(jìn)行微調(diào)焦。
抽拉掩模臺(tái)主要用于快速上下片,由燕尾導(dǎo)軌、定位擋塊和鎖緊手輪組成。
承片臺(tái)和掩模夾是根據(jù)不同的樣片和掩模尺寸而進(jìn)行設(shè)計(jì)的。
自泳涂裝與傳統(tǒng)的常規(guī)涂裝的工藝流程對(duì)比, 自泳涂裝具有明顯的優(yōu)越性。由于沒有磷化工藝,整個(gè)自泳涂裝系統(tǒng)中沒有重金屬的參與,簡(jiǎn)化了后續(xù)的廢水處理程序,也降低了廢水處理的運(yùn)行成本。而且,800系列自泳漆不含有機(jī)揮發(fā)性溶劑,900系列自泳漆僅含極少量的溶劑,大大減少了涂裝對(duì)環(huán)境的污染。
1、自泳涂裝前表面清理。通過人工清理和脫脂、水洗、純水洗等工序出去被涂物表面的油污,如有銹、氧化皮、焊渣等場(chǎng)合,則采用酸洗、中和、水洗,或經(jīng)噴丸處理等工藝除掉氧化皮等雜物,獲得清潔的被涂面。
2、自泳涂裝及后清洗。將被涂物浸入槽液中,按上述參數(shù)進(jìn)行自泳涂裝→水洗(清洗水電導(dǎo)率控制在20μS/cm以下,水溫15~30℃,天冷需加熱,要有溢流)→反應(yīng)水洗1min(采用含鉻或無鉻后處理劑,固體分6%~7%,pH=6.5~7.5,水溫控制在15~30℃,天冷需加熱)→瀝漆時(shí)間不大于2min,相對(duì)濕度(RH)≥60%。
3、烘干 熱風(fēng)循環(huán)。在10min內(nèi)升溫達(dá)90℃,在120℃下烘15~20min,或按所選用的自泳涂料的烘干規(guī)范(通常在110℃烘25~35min)進(jìn)行,隨后進(jìn)入冷卻、質(zhì)量檢查。
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 丙烯酸系 | 偏氯乙烯系 | 測(cè)試方法 |
1 | 外觀 | 黑色、平整、光滑 | 黑色、平整、光滑 | 目測(cè) |
2 | 附著力/級(jí) | 1 | 2 | GB/T 1720-1979 |
3 | 耐沖擊性/N ·cm | 490 | 490 | GB/T 1732-93 |
4 | 彈性/mm | 1 | 1 | GB/T 1731-93 |
5 | 耐鹽霧性/h | 400 | 700 | ISO 3768 |
6 | 耐汽油性/h | 720 | 720 | GB/T 1734-93 |
7 | 耐機(jī)油性/h | 720 | 720 | GB/T 1734-93 |
8 | 耐酸性(1mol/L H2SO4 )/h | 240 | 48 | GB/T 1763 |
9 | 耐堿性(1mol/L NaOH)/h | 72 | 480 | GB/T 1763 |
10 | 與面漆配套 | 與硝基、氨基、聚氨酯等面漆配套良好 |
自泳涂裝設(shè)備應(yīng)包括自用前處理設(shè)備、自用設(shè)備、自泳后處理(清洗)設(shè)備和自泳漆烘干室。自泳前處理設(shè)備和烘干室與一般涂裝設(shè)備的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)相同,因自泳涂裝槽液含有氫氟酸,酸性較強(qiáng),對(duì)金屬的腐蝕性強(qiáng),另外由腐蝕產(chǎn)生的多價(jià)金屬離子影響槽液的穩(wěn)定性,所以凡與自泳涂裝槽液接觸的設(shè)備表面都有高耐蝕性塑料涂層,即不允許裸露金屬材料制件在槽液中。
自泳槽體的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)(見下圖)與電泳槽的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)、制作工藝相仿,兩者的不同之處是:電泳槽內(nèi)壁的涂層是以電絕緣性為主,槽液應(yīng)連續(xù)攪拌,且循環(huán)攪拌量大(3~4次/h),外部管路和換熱器可用不銹鋼制作,自泳槽內(nèi)壁的涂層以耐蝕性為主,需內(nèi)襯耐氫氟酸的橡膠、PVC塑料或滌綸布玻璃鋼,槽液攪拌可采用螺旋攪拌器或工程塑料制的泵,外部管路應(yīng)采用塑料制品,采用氟塑料或聚丙烯塑料換熱器。自泳槽液儲(chǔ)槽和自泳后的水洗槽也要用橡膠或滌綸布玻璃鋼內(nèi)襯。
常規(guī)SHS技術(shù)是用瞬間的高溫脈沖來局部點(diǎn)燃反應(yīng)混合物壓坯體,隨后燃燒波以蔓延的形式傳播而合成目的產(chǎn)物的技術(shù)。這一技術(shù)適用于具有較高放熱量的材料體系,例如:TiC-TiB2、TiC-SiC、TiB2-Al2O3、Si3N4-SiC等體系。其特點(diǎn)是設(shè)備簡(jiǎn)單、能耗低、工藝過程快、反應(yīng)溫度高。
熱爆SHS技術(shù)是將反應(yīng)混合物壓坯整體同時(shí)快速加熱,使合成反應(yīng)在整個(gè)坯體內(nèi)同時(shí)發(fā)生的技術(shù)。采用這一技術(shù)已制備出的材料主要有各種金屬間化合物、含有較多金屬相的金屬陶瓷復(fù)合材料以及具有低放熱量的陶瓷復(fù)合材料。
SHS燒結(jié)法或稱SHS自燒結(jié)法,即直接完成所需形狀和尺寸的材料或物件的合成與燒結(jié),是將粉末或壓坯在真空或一定氣氛中直接點(diǎn)燃,不加外載,憑自身反應(yīng)放熱進(jìn)行燒結(jié)和致密化。該工藝簡(jiǎn)單,易于操作,但反應(yīng)過程中不可避免會(huì)有氣體溢出,難以完全致密化。即使有液相存在,空隙率也會(huì)高達(dá)7%-13%。
SHS燒結(jié)可采用以下3種方式進(jìn)行:
(1)在空氣中燃燒合成;
(2)將經(jīng)過預(yù)先熱處理的混合粉末放在真空反應(yīng)器內(nèi)進(jìn)行合成;
(3)在充有反應(yīng)氣體的高壓反應(yīng)容器內(nèi)進(jìn)行合成。
前面提到普通的SHS技術(shù)適用于獲得疏松多孔的材料或粉末,為了進(jìn)一步提高材料的密實(shí)度,發(fā)展了多種自蔓延高溫合成材料的合成與致密化同時(shí)進(jìn)行的一體化技術(shù)。
常用的SHS致密化技術(shù)可歸納為3類:
液相致密化技術(shù)、SHS粉末燒結(jié)致密化技術(shù)、SHS結(jié)合壓力致密化技術(shù)。
SHS焊接是利用SHS反應(yīng)的放熱及其產(chǎn)物來焊接的技術(shù)。應(yīng)用燃燒合成技術(shù),將壓制成形的粉末置于被焊材料之間,利用粉末體燃燒合成的高溫反應(yīng)熱及合成產(chǎn)物作為填充材料,在壓力作用下實(shí)現(xiàn)被焊材料之間的連接。加壓的目的是為了獲得致密性高的焊接接頭。
SHS焊接有三個(gè)過程:點(diǎn)火、加壓、保溫。