《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)(第2版)》是電子學(xué)基礎(chǔ)課程中關(guān)于模擬電子學(xué)部分的教材。包含電路分析基礎(chǔ)、半導(dǎo)體器件、基本放大器、集成放大器、反饋以及信號(hào)處理電路等內(nèi)容。在內(nèi)容安排上重點(diǎn)討論模擬電子學(xué)中最基本的電路概念;在原理上闡述各種基本電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與工作特性;從基本模型或基本電路結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行大量的分析。對(duì)于具體應(yīng)用電路,只作典型電路的介紹。
書名 | 模擬電子學(xué)基礎(chǔ) | 作者 | 陳光夢(mèng) |
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出版社 | 復(fù)旦大學(xué)出版社 | 出版時(shí)間 | 2009年09月 |
1 集成函數(shù)發(fā)生器ICL8038電路結(jié)構(gòu)〔1〕 函數(shù)發(fā)生器ICL8038的電路結(jié)構(gòu)如圖1虛線框內(nèi)所示,共有5個(gè)組成部分。2個(gè)電流源的電流分別為IS1和IS2,且IS1=I,IS2=2I;2個(gè)電壓比較器...
我們就是用的第四版??!如下圖所示,我跟你是一個(gè)出版社的這有電子版http://pan.baidu.com/share/link?shareid=10591271&uk=3607530848如果...
模擬電子開關(guān)和繼電器各有所長(zhǎng)。模擬電子開關(guān)也叫固態(tài)繼電器,沒有觸點(diǎn)、壽命長(zhǎng)、不受使用環(huán)境限制。但控制電流不能太大。繼電器有觸點(diǎn)、壽命相對(duì)短一些、特殊環(huán)境需加防爆裝置。電流大。
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頁(yè)數(shù): 53頁(yè)
評(píng)分: 4.5
1 第 1章習(xí)題及答案 1.1.在圖題 1.1 所示的各電路圖中 E=5V, tu i sin10 V,二極管的正 向壓降可忽略不計(jì),試分別畫出輸出電壓 ou 的波形。 E + - E + - + - + - iu ou R D + - + - iu ou RD E + - + - + - iu ou R D E + - + - + - iu ou RD (a) (b) (c) (d) 圖題 1.1 解:(a)圖:當(dāng) iu > E 時(shí), ou = E,當(dāng) iu < E 時(shí), io uu 。 (b)圖:當(dāng) iu < E 時(shí), oi uu ;當(dāng) iu > E 時(shí), Eu o 。 (c)圖:當(dāng) iu < E 時(shí), Eu o ;當(dāng) iu > E 時(shí), io uu 。 (d)圖:當(dāng) iu > E 時(shí), io uu ;當(dāng) iu < E 時(shí), Eu o 。 畫出 ou 波形如圖所示。 2 Vui
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頁(yè)數(shù): 88頁(yè)
評(píng)分: 4.4
1 《模擬電子技術(shù)》模擬試題一 一、填空題:(每空 1分 共 40分) 1、PN結(jié)正偏時(shí)( 導(dǎo)通 ),反偏時(shí)(截至 ),所以 PN結(jié)具有(單向 )導(dǎo) 電性。 2、漂移電流是(反向 )電流,它由(少數(shù) )載流子形成,其大小與(溫度 ) 有關(guān),而與外加電壓(無(wú)關(guān) )。 3、所謂理想二極管,就是當(dāng)其正偏時(shí),結(jié)電阻為( 0 ),等效成一條直線;當(dāng)其反 偏時(shí),結(jié)電阻為(無(wú)窮大 ),等效成斷開; 4、三極管是(電流 )控制元件,場(chǎng)效應(yīng)管是(電壓 )控制元件。 5、三極管具有放大作用外部電壓條件是發(fā)射結(jié)(正偏 ),集電結(jié)反偏 )。 6、當(dāng)溫度升高時(shí),晶體三極管集電極電流 Ic(增大 ),發(fā)射結(jié)壓降(減小 )。 7、三極管放大電路共有三種組態(tài)分別是(共基 )、( 共集 )、(共射 ) 放大電路。 8、為了穩(wěn)定三極管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn),采用(直流 )負(fù)反饋,為了穩(wěn)定交 流輸出電流采用(電壓 )負(fù)反饋。
本書是《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》一書的教學(xué)參考書,基本章節(jié)完全按照《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》一書安排。每章基本分為三個(gè)部分:第一部分是本章內(nèi)容的重點(diǎn)和難點(diǎn),并以例題講解和問題回答的方式對(duì)重點(diǎn)和難點(diǎn)進(jìn)行講解;第二部分是《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》一書中習(xí)題與思考題的詳細(xì)解答;第三部分則介紹了一些在《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》一書中沒有涉及的一些擴(kuò)充內(nèi)容。
本書適用于高等學(xué)校的電氣、電子類和其他相關(guān)專業(yè),可以作為學(xué)生的輔導(dǎo)資料,也可以作為教師的教學(xué)參考,還可以供相關(guān)領(lǐng)域工程技術(shù)人員參考。
《固態(tài)電子學(xué)基礎(chǔ)》一書曾在Florida大學(xué)用了6個(gè)學(xué)期,這也作為向電子工程三年級(jí)約300名學(xué)生講授固態(tài)器件核心課程的教科書。物理、科學(xué)及其他工程系的大學(xué)生及研究生也參加了這門課程的學(xué)習(xí)。本書分三部分:(1)3章電子材料物理及4章器件(MOSC,p/n-m/s-歐姆二極管,MOST-FETs,BJT-HBJTs及SCRs),每章包含:(2)歷史、制作、物理特性及電路模型,以及(3)基本模塊電路。其中每章第二部分中的擴(kuò)展內(nèi)容可選作第二門課程,并可在材料及器件物理基礎(chǔ)、器件模型及復(fù)雜集成電路的基本模塊電路(B3C)方面作為做實(shí)際工作的工程師及管理人員的參考書。例如:先進(jìn)的器件物理(消離化及重?fù)诫s效應(yīng)、亞閾值電流、高場(chǎng)遷移率、MOSC、p/n和m/s結(jié)的反向電容及電流瞬變、歐姆接觸……)、最新的(1990-1991)器件概念(異質(zhì)結(jié)MOSFET及異質(zhì)結(jié)BJT……)、可靠性機(jī)制(溝道熱電子注入、Fowler-Mordheim隧穿、帶間熱空穴產(chǎn)生和注入、p型硅柵1.2eV比n型硅柵的欠可靠……),以及B3C(BiC-MOS,CBiCMOS,DRAM,SRAM,UV-EPROM,flash-EEPROM及FRAM)。本書從大一學(xué)生的化學(xué)及大二學(xué)生的物理基礎(chǔ)(Newtom,Coulomb,Planck及de Broglie定律)出發(fā)給出了器件物理所需的基本概念(電子及空穴、價(jià)鍵及能帶模型、平衡及非平衡態(tài)、統(tǒng)計(jì)分布、漂移與擴(kuò)散、產(chǎn)生-復(fù)合-俘獲及隧穿)。本書還給出了如亞微米硅MOSFET及硅BJTs等最先進(jìn)的器件的物理意義及數(shù)值說(shuō)明。近100種經(jīng)精選及評(píng)論的中高等水平的參考書以及約500道習(xí)題均可用以擴(kuò)展本書范圍外的學(xué)習(xí)。
《模擬與數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)》系配合《模擬電子學(xué)基礎(chǔ)》與《數(shù)字邏輯基礎(chǔ)》兩門技術(shù)類平臺(tái)課程教學(xué)而編寫的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)教材。全書主要分為模擬電子學(xué)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)、數(shù)字邏輯基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)、印刷電路板設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)三個(gè)部分。教材編寫的立足點(diǎn)是使用當(dāng)代EDA工具進(jìn)行基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)仿真教學(xué),以有限課時(shí)對(duì)理論課程涉及的理論與概念進(jìn)行全面分析與驗(yàn)證,使絕大多數(shù)學(xué)生能夠充分理解與掌握理論基礎(chǔ)概念、培養(yǎng)對(duì)電子信息類課程學(xué)習(xí)的興趣、提高分析與解決問題能力,達(dá)到電子信息類課程的教學(xué)目的?!赌M與數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)》所有實(shí)驗(yàn)也適于電路的實(shí)際制作與儀器測(cè)量?!赌M與數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)》可作為大專院校電子信息科學(xué)與技術(shù)、微電子與固體電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)工程、自動(dòng)控制等專業(yè)的教材和教學(xué)參考書。也可供上述及相關(guān)專業(yè)的工程技術(shù)人員參考。