晶體管原理造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
CPU224晶體管型 CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN 查看價格 查看價格

件 13% 武漢運通達科技有限公司
CPU226晶體管型 CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN 查看價格 查看價格

件 13% 武漢運通達科技有限公司
CPU222晶體管型 CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN 查看價格 查看價格

件 13% 武漢運通達科技有限公司
CPU224XP晶體管型 CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA 查看價格 查看價格

件 13% 武漢運通達科技有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810 查看價格 查看價格

臺 13% 成都天大儀器設備有限公司
晶體管圖示儀 XJ-4810A 查看價格 查看價格

臺 13% 成都天大儀器設備有限公司
晶體管圖示儀 8J4830 查看價格 查看價格

臺 13% 成都天大儀器設備有限公司
晶體管圖示儀 DW4822 查看價格 查看價格

臺 13% 成都天大儀器設備有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
自發(fā)電一體焊機 305A 查看價格 查看價格

臺班 韶關市2010年8月信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2011年3季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年3季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2010年2季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年2季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年1季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2009年3季度信息價
二氧化碳氣體保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2007年4季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
晶體管圖示儀 BJ4811A|10臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶體管測試儀 HP3326A|10臺 1 查看價格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-12-18
晶體管圖示儀 XJ-4810A|5臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶體管話筒U87Ai 技術指標: 聲音工作原理:壓力梯度傳感器 指向性:全向性,心型,8字型 頻響:20Hz-20KHz 靈敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 輸出阻抗:200ohms 負載阻抗|2只 1 查看價格 北京樂城仕國際科技有限公司 重慶  重慶市 2018-07-02
晶體管圖示儀 DW4822|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
晶體管圖示儀 8J4830|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-09-16
晶體管圖示儀 BJ4814|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-08-12
晶體管圖示儀 XJ-4810|5臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-04-07

晶體管原理常見問題

  • 晶體管是什么

    晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，開關速度可以非常之快，在實驗室...

  • 單極型晶體管？

    只用一種載流子進行導電的晶體管稱為單極型晶體管。

  • 晶體管集成的問題

    晶體管是統(tǒng)稱。三極管是其中一種，三極管是雙極型晶體管，體積較大，電流也較大。你說看到的三極管是分離原件，內(nèi)部芯片也是很小的，一般在1平方毫米至5平方毫米，其他的是外殼，分離原件相對集成電路來說功率是大...

晶體管原理文獻

塑料基底晶體管 塑料基底晶體管

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大?。?span id="tbtlif0" class="single-tag-height">135KB

頁數(shù)： 2頁

評分： 4.7

晶體管制造一般是用玻璃作基底材料。這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定，從而保證用電設備所需的電流。據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道，美國佐治亞理工大學研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管，性能極為穩(wěn)定，還能在可控的環(huán)境中。

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S波段RF功率晶體管 S波段RF功率晶體管

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頁數(shù)： 未知

評分： 4.7

S波段500WRF器件2729GN～500越于碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達（ASR）應用，ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

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薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管.它的工作狀態(tài)可以利用 Weimer 表征的單晶硅 MOSFET 工作原理來描 述.以 n 溝 MOSFET 為例,物理結構如圖 2. 當柵極施以正電壓時,柵壓在柵絕緣層中產(chǎn)生電場,電力線由柵電極指向半導體表面,并在表面處產(chǎn)生感應電 荷.隨著柵電壓增加,半導體表面將由耗盡層轉(zhuǎn)變?yōu)殡娮臃e累層,形成反型層.當達到強反型時(即達到開啟電壓 時) ,源,漏間加上電壓就會有載流子通過溝道.當源漏電壓很小時,導電溝道近似為一恒定電阻,漏電流隨源漏電 壓增加而線性增大. 當源漏電壓很大時,它會對柵電壓產(chǎn)生影響,使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱,半導體表面反型層 中電子由源端到漏端逐漸減小,溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加.漏電流增加變得緩慢,對應線性區(qū)向飽和區(qū)過 渡.當源漏電壓增到一定程度,漏端反型層厚度減為零,電壓在增加,器件進入飽和區(qū).在實際 LCD 生產(chǎn)中,主 要利用 a-Si:H TFT 的開態(tài)(大于開啟電壓)對像素電容快速充電,利用關態(tài)來保持像素電容的電壓,從而實現(xiàn)快 速響應和良好存儲的統(tǒng)一.

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計算機包含有無數(shù)個晶體管，僅僅CPU內(nèi)就有不下10億個晶體管，這些小的晶體管通過打開和關閉來提供用0和1表示的二進制指令，從而讓我們能夠發(fā)送郵件、觀看視頻、移動鼠標等。晶體管使用的技術名叫“場效應”——通過該效應，電壓誘導一個電子隧道來激活晶體管，但是，場效應技術正在慢慢達到其極限，尤其在降低能耗方面已經(jīng)沒有什么施展的空間了。

不過，隧道場效應晶體管技術則基于迥然不同的原理。在隧道場效應晶體管中，兩個小槽被一個能量勢壘分開。在第一個小槽中，一大群電子在靜靜等待著，晶體管沒有被激活，當施加電壓時，電子就會通過能量勢壘并且移入第二個小槽內(nèi)，同時激活晶體管。

根據(jù)量子理論，有些電子縱使明顯缺乏足夠的能量來穿過能量勢壘，它們也能做到這一點，這就是量子隧道效應。通過減少能量勢壘的幅度，增強并利用量子效應將成為可能，因此，電子穿過勢壘所需要的能量會大大減少，晶體管的能耗也會因此而顯著下降。

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通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管，簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件，內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號，其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導體的類型，器件被分成NPN型和PNP型兩種，硅功率晶體管多為前者。

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