VDMOS

80年代以來，迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術(shù)給高壓大電流半導體注入了新的活力，一批新型的聲控功放器件誕生了，其中最有代表性的產(chǎn)品就是VDMOS聲效應功率晶體管。

這種電流垂直流動的雙擴散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下，半導體表面反型，形成導電溝道，于是漏極和源極之間流過適量的電流

VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點。與雙極晶體管相比，它的開關速度，開關損耗小;輸入阻抗高，驅(qū)動功率小;頻率特性好;跨導高度線性。特別值得指明出的是，它具有負的溫度系數(shù)，沒有雙極功率的二次穿問題，安全工作出了區(qū)大。因此，不論是開關應用還是線性應用，VDMOS都是理想的功率器件。

現(xiàn)在，VDMOS器件已廣泛應用于各種領域，包括電機調(diào)速、逆變器、不間熠電源、開關電源、電子開關、高保真音響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。由于VDMOS的性能價格比已優(yōu)于比極功率器件，它在功率器件市聲中的份額已達42%。并將繼續(xù)上升。

小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?/p>

電力MOSFET大都采用垂直導電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（Vertical MOSFET）。

按垂直導電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用V型槽實現(xiàn)垂直導電的VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散MOS結(jié)構(gòu)的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。

這里主要以VDMOS器件為例進行討論。

電力MOSFET的工作原理（N溝道增強型VDMOS）

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。

P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

導電：在柵源極間加正電壓UGS

當UGS大于UT時，P型半導體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導電 。