VDMOS

80年代以來(lái)，迅猛發(fā)展的超大規(guī)模集成電路技術(shù)給高壓大電流半導(dǎo)體注入了新的活力，一批新型的聲控功放器件誕生了，其中最有代表性的產(chǎn)品就是VDMOS聲效應(yīng)功率晶體管。

這種電流垂直流動(dòng)的雙擴(kuò)散MOS器件是電壓控制型器件。在合適的柵極電壓的控制下，半導(dǎo)體表面反型，形成導(dǎo)電溝道，于是漏極和源極之間流過(guò)適量的電流

VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)。與雙極晶體管相比，它的開(kāi)關(guān)速度，開(kāi)關(guān)損耗小;輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小;頻率特性好;跨導(dǎo)高度線(xiàn)性。特別值得指明出的是，它具有負(fù)的溫度系數(shù)，沒(méi)有雙極功率的二次穿問(wèn)題，安全工作出了區(qū)大。因此，不論是開(kāi)關(guān)應(yīng)用還是線(xiàn)性應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件。

現(xiàn)在，VDMOS器件已廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間熠電源、開(kāi)關(guān)電源、電子開(kāi)關(guān)、高保真音響、汽車(chē)電器和電子鎮(zhèn)流器等。由于VDMOS的性能價(jià)格比已優(yōu)于比極功率器件，它在功率器件市聲中的份額已達(dá)42%。并將繼續(xù)上升。

小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?/p>

電力MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱(chēng)為VMOSFET（Vertical MOSFET）。

按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，分為利用V型槽實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)電的VVMOSFET和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。

這里主要以VDMOS器件為例進(jìn)行討論。

電力MOSFET的工作原理（N溝道增強(qiáng)型VDMOS）

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。

P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。

導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS

當(dāng)UGS大于UT時(shí)，P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電 。