CMOS-IC

(Metal-Oxide-Semiconductor)MOS晶體管，分別叫PMOS管和NMOS管。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。

CMOS-IC基本信息

外文名 CMOS-IC 結(jié)????構(gòu) 金屬-氧化物-半導(dǎo)體
分????類(lèi) P和N

CMOS-IC集成電路特佂

主要封裝形式

雙列直插(DIP封裝)

扁平封裝(PLCC封裝)

CMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗-CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限-CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍-CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅-CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯"0"為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍-陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零?

CMOS-IC造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢(xún)價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
智能相機(jī) BVS HS-QB-SDR-MA-01-03 查看價(jià)格 查看價(jià)格

巴魯夫

 個(gè) 13% 湖南永存貿(mào)易有限公司
軌道梁支座 kgZZ-JQG-1250-ZX-60 查看價(jià)格 查看價(jià)格

OVM

 套 13% 柳州東方工程橡膠制品有限公司
智能相機(jī) BVS HS-PC-DPW-MA-01 查看價(jià)格 查看價(jià)格

巴魯夫

 個(gè) 13% 湖南永存貿(mào)易有限公司
智能相機(jī) BVS HS-PB-HDW-MZ-01 查看價(jià)格 查看價(jià)格

巴魯夫

 個(gè) 13% 湖南永存貿(mào)易有限公司
電動(dòng)風(fēng)量調(diào)節(jié)閥(220V) YA-VALVE-DjYA-VALVE-Dj 查看價(jià)格 查看價(jià)格

亞綠太

 m2 13% 佛山市亞綠太通風(fēng)設(shè)備有限公司
軌道梁支座 kgZZ-G-3000-GD 查看價(jià)格 查看價(jià)格

OVM

 套 13% 柳州東方工程橡膠制品有限公司
軌道梁支座 kgZZ-G-4500-GD 查看價(jià)格 查看價(jià)格

OVM

 套 13% 柳州東方工程橡膠制品有限公司
軌道梁支座 kgZZ-JZG-1250-GD 查看價(jià)格 查看價(jià)格

OVM

 套 13% 柳州東方工程橡膠制品有限公司
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
暫無(wú)數(shù)據(jù)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
cmOS攝像機(jī) 包括防護(hù)罩|100個(gè) 3 查看價(jià)格 廣州企興電子有限公司    2015-11-19
cmOS全局?jǐn)z像機(jī) iDS-2PT9A144MX|5臺(tái) 1 查看價(jià)格 廣州云帆智能科技有限責(zé)任公司 廣東   2020-04-28
IC ADSP-21065LKS-264|2塊 1 查看價(jià)格 深圳市江洋電子有限公司 廣東  中山市 2017-07-17
IC ADSP-21065LKS-264|2塊 1 查看價(jià)格 深圳市福田區(qū)銳峰達(dá)電子經(jīng)營(yíng)部 廣東  中山市 2017-07-17
cmOS全局?jǐn)z像機(jī) iDS-2PT9A144MX|5臺(tái) 1 查看價(jià)格 深圳市澳斯聯(lián)科實(shí)業(yè)有限公司 廣東   2020-09-01
IC卡非接觸IC卡 詳見(jiàn)圖紙|1500張 1 查看價(jià)格 深圳市杰智通科技有限公司 全國(guó)   2019-12-10
臺(tái)式IC收費(fèi)機(jī)(IC卡) OFA1C-1-D|8170個(gè) 1 查看價(jià)格 廣州市德健科技有限公司 廣東  廣州市 2015-11-26
IC卡 (1)識(shí)別卡為非接觸式感應(yīng)智能卡或CPU卡,該卡同時(shí)作為員工進(jìn)出工作區(qū)的識(shí)別證件.(2)識(shí)別卡應(yīng)能提供不小于130億個(gè)唯一的識(shí)別碼,并采用被動(dòng)工作方式無(wú)需電池,永久使用.(3)識(shí)別卡應(yīng)能接收讀卡器|108個(gè) 2 查看價(jià)格 深圳達(dá)實(shí)智能股份有限公司 全國(guó)   2022-07-13

JEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍:

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場(chǎng)合，輸入端要串入電阻，以限制流過(guò)保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開(kāi)關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過(guò)規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(≥500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線(xiàn)邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。

CMOS-IC主要封裝形式

雙列直插（DIP封裝）

扁平封裝（PLCC封裝）

CMOS-ICCMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零？

CMOS-IC常見(jiàn)問(wèn)題

  • CMOS引起的故障

    如果你不慎使用了Shift＋Del組合鍵刪除了不該刪除的文件，或者對(duì)硬盤(pán)進(jìn)行了格式化或刪除分區(qū)的操作，發(fā)現(xiàn)里面還有重要　資料沒(méi)備份，怎么才能恢復(fù)資料呢。用于恢復(fù)誤刪除，RecoverNT,?Recov...

  • CMOS跳線(xiàn)怎么弄？

    各Main Board廠(chǎng)商的清除CMOS的跳線(xiàn)標(biāo)志不一定相同.標(biāo)有CMOS CLEAN的跳線(xiàn)是常見(jiàn)的一種標(biāo)志,你可以參考主板說(shuō)明書(shū)找出清除CMOS的跳線(xiàn),跳線(xiàn)帽1-2腳是正確位置.短接2-3腳即可清除...

  • ccd和cmos哪個(gè)好？

    CCD,是英文Charge   Coupled   Device   即電荷耦合器件的縮寫(xiě),它是一種特殊半導(dǎo)體器件   ...

CMOS-ICJEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)（JEDEC）主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍：

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD 0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

CMOS-IC輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場(chǎng)合，輸入端要串入電阻，以限制流過(guò)保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開(kāi)關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過(guò)規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容（≥500PF）時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線(xiàn)邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。2100433B

CMOS-IC文獻(xiàn)

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最新5-6CMOS電路匯總

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CMOS光接收機(jī)前端放大電路 CMOS光接收機(jī)前端放大電路

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評(píng)分： 4.6

利用SMIC 0.18μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了光接收機(jī)前端放大電路.在前置放大器中,設(shè)計(jì)了一種高增益有源反饋跨阻放大器,并且可以使輸出共模電平在較大范圍內(nèi)調(diào)解.在限幅放大器中,通過(guò)在改進(jìn)的Cherry-Hooper結(jié)構(gòu)里引入有源電感負(fù)反饋來(lái)進(jìn)一步擴(kuò)展帶寬.整個(gè)前端放大電路具有較高的靈敏度和較寬的輸入動(dòng)態(tài)范圍.Hspice仿真結(jié)果表明該電路具有119dB的中頻跨阻增益,2.02GHz的帶寬,對(duì)于輸入電流幅度從1.4μA到170μA變化時(shí),50Ω負(fù)載線(xiàn)上的輸出電壓限幅在320mV(V_(pp)),輸出眼圖穩(wěn)定清晰.核心電路靜態(tài)功耗為45.431mW.

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金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

目前使用最最廣泛的晶體管是CMOS晶體管，CMOS晶體管特點(diǎn)是什么?首先CMOS晶體管功耗和抗干擾能力優(yōu)于同時(shí)期的TTL器件，而且速度和TTL器件相當(dāng)，所以CMOS取代TTL是大勢(shì)所趨，我們看到目前集成電路上的晶體管還有幾乎所有PLD器件都是采用CMOS技術(shù)，這一點(diǎn)就說(shuō)明了CMOS的大行其道。

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N溝MOS晶體管簡(jiǎn)介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問(wèn)題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò)，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R，R的取值一般選用2~100KΩ。

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mos晶體管簡(jiǎn)介

?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

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