磁控型可控并聯(lián)電抗器技術(shù)規(guī)范

鄧占峰、孫士民。

中國電力科學(xué)研究院、山東迪生電氣股份有限公司等

MCR（magnetic control reactor），全稱是磁閥式可控電抗器，簡稱MCR，是一種容量可調(diào)的并聯(lián)電抗器，主要用于電力系統(tǒng)的無功補償。

中文名

磁閥式可控電抗器

外文名

MCR

全稱

magnetic control reactor

包裝清單

由于電力系統(tǒng)的需求，可控電抗器一直以來就是一個研究熱點，其中前蘇聯(lián)科學(xué)家提出的借助直流控制的磁飽和型可控電抗器得到了推廣和應(yīng)用。該類電抗器是借助控制回路直流控制電流的激磁改變鐵心的磁飽和度，從而達(dá)到平滑調(diào)節(jié)無功輸出的目的。它是在磁放大器的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。

磁控電抗器由控制部分和電抗器本體組成，原理圖(單相)如下，該電抗器的主鐵芯中間部分是長度為L的小截面段，上下兩個半芯柱上分別對稱地繞有匝數(shù)為N/2的繞組；每一鐵芯柱的上（下）繞組有一抽頭比為δ=N2/N的抽頭，它們與各自鐵芯柱的下（上）繞組的首（末）端之間接有晶閘管K1和K2，不同鐵芯的上、下兩個繞組交叉聯(lián)接后并至電網(wǎng)，二極管D則橫跨在交叉端點用于續(xù)流。當(dāng)晶閘管K1、K2均不導(dǎo)通時，可控電抗器相當(dāng)于空載變壓器，容量很??；若在電源電壓的正負(fù)半周內(nèi)輪流觸發(fā)導(dǎo)通K1、K2，則可在繞組回路中產(chǎn)生一定大小的直流偏磁電流，其在兩并聯(lián)繞組中自成回路，不流向外部電路。該控制電流所產(chǎn)生的直流磁通使工作鐵芯柱飽和，可控電抗器等值容量增大。調(diào)節(jié)晶閘管觸發(fā)延遲角的大小可以改變鐵芯磁飽和度，從而達(dá)到控制電抗器容量的目的。2100433B

2016年2月24日，《超高壓分級式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》發(fā)布。

2016年9月1日，《超高壓分級式可控并聯(lián)電抗器晶閘管閥》實施。

可控硅有多種分類方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。

（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。