1、選型考慮原則

適用性(是否滿足技術要求)、經(jīng)濟性(性價比);

2、工作頻率比較

SIT>MOSFET(3-10MHz)>IGBT(50KHz)>SITH>GTR(30KHz)>MCT>GTO

3、功率容量比較

GTO(6000V/6000A)>SITH>MCT>IGBT(2500V/1000A)>GTR(1800V/400A)>SIT>功率MOSFET(1000V/100A)

4、通態(tài)電阻比較

功率MOSFET>SIT>SITH>GTO>IGBT>GTR>MCT

5、控制難易程度比較

電壓控制型控制較電流控制型更容易控制,但其中的SIT屬于常開型器件,控制難度大于功率MOSFET和IGBT。

大功率晶體管造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
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羅萊迪思

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CPU222晶體管 CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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信息價
行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
自發(fā)電一焊機 305A 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
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大功率螺旋 65W/840/865|1535支 1 查看價格 重慶世邦五交化有限公司 重慶  重慶市 2015-05-21

功率器件從整體上可以分為不可控器件、半可控器件和全可控器件。

1、不可控器件

指導通和關斷無法通過控制信號進行控制,完全由其在電路中所承受的電流、電壓情況決定,屬于自然導通和自然關斷。包括功率二極管。

2、半可控器件

指能用控制信號控制其導通,但不能控制其關斷,其關斷只能由其在主電路中承受的電壓、電流情況決定,屬于自然關斷。包括晶閘管(SCR)和由其派生出來的雙向晶閘管(TRIAC)。

3、全可控器件

指能使用控制信號控制其導通和關斷的器件,包括功率三極管(GTR)、功率場效應管(功率MOSFET)、可關斷晶閘管(GTO)、絕緣柵雙極三極管(IGBT)、MOS控制晶閘管(MCT)、靜電感應晶體管(SIT)、靜電感應晶閘管(場控晶閘管,SITH)和集成門極換流晶閘管(IGCT)等。

全可控器件從控制形式上還可以分為電流控制型和電壓控制型兩大類。

屬于電流控制型的有:GTR(功率三極管)、SCR(可控晶閘管)、TRIAC(可控雙向晶閘管)、GTO(可關斷晶體管)等。

屬于電壓控制型的有:功率MOSFET、IGBT、MCT和SIT

大功率晶體管一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(功率電子技術)領域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作,通過功率電子器件為負載提供大功率的輸出。

一般說來,功率器件通常工作于高電壓、大電流的條件下,普遍具備耐壓高、工作電流大、自身耗散功率大等特點,因此在使用時與一般小功率器件存在一定差別。

大功率晶體管性能比較常見問題

  • 高耐壓繼電器有沒有大功率的,性能比較好的?

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  • 高耐壓繼電器有沒有大功率的,性能比較好的?

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  • 哪種板材性能比較全面?

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用于控制功率輸出,高頻大功率晶體管的應用電子設備的掃描電路中,如彩電,顯示器,示波器,大型游戲機的水平掃描電路,視放電路,發(fā)射機的功率放大器,如對講機,手機的射頻輸出電路,高頻振蕩電路和高速電子開關電路等。

大功率管由于發(fā)熱量大所以必須安裝在金屬散熱器上,且金屬散熱器的面積要足夠大,否則達不到技術文檔規(guī)定的技術性能。

大功率晶體管性能比較文獻

飛思卡爾塑料封裝大功率RF晶體管 飛思卡爾塑料封裝大功率RF晶體管

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大功率IGBT晶體管牽引變流器 大功率IGBT晶體管牽引變流器

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介紹了龐巴迪運輸裝備公司(Bombardier Transportation)生產(chǎn)的MITRAC TC3300大功率牽引變流器及其變型產(chǎn)品的結(jié)構、工作原理以及在不同種類機車上的應用情況。

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通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號,其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。

功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發(fā)展。

—、結(jié)構特性

1、結(jié)構原理

功率晶體管是雙極型大功率器件,又稱巨型晶體管或電力勗體管,簡稱GTR。它從本質(zhì)上講仍是晶體管,因而工作原理與一般晶體管相同。但是,由于它主要用在電力電子技術領域,電流容量大,耐壓水平高,而且大多工作在開關狀態(tài),因此其結(jié)構與特性又有許多獨特之處。

對GTR的要求主要是有足夠的容量、適當?shù)脑鲆?、較高的速度和較低的功耗等。由于GTR電流大、功耗大,因此其工作狀況出現(xiàn)了新特點、新問題。比如存在基區(qū)大注入效應、基區(qū)擴展效應和發(fā)射極電流集邊效應等,使得電流增益下降、特征頻率減小,導致局部過熱等,為了削弱這種影響,必須在結(jié)構上采取適當?shù)拇胧?。目前常用的GTR器件有單管、達林頓管和模塊三大系列。

三重擴散臺面型NPN結(jié)構是單管GTR的典型結(jié)構,其結(jié)構和符號如圖1所示。這種結(jié)構的優(yōu)點是結(jié)面積較大,電流分布均勻,易于提高耐壓和耗散熱量;缺點是電流增益較低,一般約為10~20g。

圖1、功率晶體管結(jié)構及符號

圖2、達林頓GTR結(jié)構

(a)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing

達林頓結(jié)構是提高電流增益的一種有效方式。達林頓GTR由兩個或多個晶體管復合而成,可以是PNP或NPN型,如圖2所示,其中V1為驅(qū)動管,可飽和,而V2為輸出管,不會飽和。達林頓GTR的電流增益β大大提高,但飽和壓降VCES也較高且關斷速度較慢。不難推得

IC=ΒIB1.VCES= VCES1+VCES2(其中β≈β1β2)

目前作為大功率開關應用最多的是GTR模塊。它是將單個或多個達林頓結(jié)構GTR及其輔助元件如穩(wěn)定電阻、加速二極管及續(xù)流二極管等,做在一起構成模塊,如圖3所示。為便于改善器件的開關過程或并聯(lián)使用,有些模塊的中間基極有引線引出。GTR模塊結(jié)構緊湊、功能強,因而性能價格比大大提高。

圖3、GTR模塊的等效電路

2、特性參數(shù)

1)輸出特性與電流增益

GTR的共射極輸出特性如圖4所示。可分為四個區(qū),即:阻斷區(qū)、線性區(qū)、準飽和區(qū)及深飽和區(qū)。用作開關時,應盡量避免工作于線性區(qū),否則功耗很大。進入深飽和區(qū),雖功耗小,但關斷時間長且安全工作區(qū)變窄.因此一般工作于準飽和區(qū)。飽和壓降VCES是一重要參數(shù),它越小,GTR的功耗越小。VCES隨IC和溫度的增加而增大。

圖4、共射極電路輸出特性

GTR的共射極電流增益β隨集電極電流IC和結(jié)溫Ti變化,如圖5所示??梢姡箅娏鲿r沒下降,限制了 GTR的電流容量。

圖5、β~IC關系曲線

2)開關特性

開關過程可分四個階段:開通過程、導通狀態(tài)、關斷過程、阻斷狀態(tài)。GTR開關過程的電流波形如圖6所示。其中,開通時間ton包括延遲時間td和上升時間tc,關斷時間toff包括存儲時間ts和下降時間ti。一般開關時間越短,工作頻率越高。為縮短開通時間,可選結(jié)電容小的管子或提高驅(qū)動電流的幅值和陡度。為縮短關斷時間,可選β小的管子,防止深飽和,增加反偏電流等。

圖6、GTR開關過程的電流波形

電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt會影響開關過程。為防止過高的dv/dt或di/dt對GTR造成危害,一般應加接緩沖電路。

3)二次擊穿與安全工作區(qū)

二次擊穿是集-射電壓突然變低而電流激增的現(xiàn)象。GTR的二次擊穿特性如圖7所示,包括發(fā)射結(jié)正偏、開路和反偏三種情況。其中正偏二次擊穿對GTR的威脅最大。

圖7、GTR的二次擊穿特性

安全工作區(qū)SOA是指GTR能夠安全運行的電流、電壓、功耗的極限范圍,分為正偏安全工作區(qū)和反偏安全工作區(qū),如圖8所示。其中正偏安全工作區(qū)受最大集電極電流ICM、最大耐壓BVCEO、最大允許功耗PCM和二次擊穿觸發(fā)功率PS/B的限制。DC為直流情況,虛線為脈沖情況,反向偏置安全工作區(qū)受最大集電極電流、集-射維持電壓和二次擊穿功率的限制。

圖8、正偏安全工作區(qū)

4)其他特性參數(shù)

主要有集電極電壓最大值、發(fā)射極電壓最大值、集電極電流最大值ICM、基極電流最大值IBM、最大功耗PCM、最高結(jié)溫TIM等。由干各參數(shù)均受溫度影響,因此應采取有效散熱措施,確保GTR結(jié)溫不超過規(guī)定值。

改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應晶體管稱為P溝道耗盡型場效應晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領域內(nèi)應用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。

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