加工太陽電池片,首先要在硅片上摻雜和擴散,一般摻雜物為微量的硼、磷、銻等。擴散是在石英管制成的高溫擴散爐中進行。這樣就在硅片上形成P/FONT>N結。然后采用絲網印刷法,將配好的銀漿印在硅片上做成柵線,經過燒結,同時制成背電極,并在有柵線的面涂覆減反射源,以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉,至此,單晶硅太陽電池的單體片就制成了。單體片經過抽查檢驗,即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件(太陽電池板),用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構成一定的輸出電壓和電流,最后用框架和封裝材料進行封裝。用戶根據(jù)系統(tǒng)設計,可將太陽電池組件組成各種大小不同的太陽電池方陣,亦稱太陽電池陣列。單晶硅太陽電池的光電轉換效率為15%左右,實驗室成果也有20%以上的。用于宇宙空間站的還有高達50%以上的太陽能電池板。
單晶硅太陽電池按照不同的排列方式,可以組成不同功率的組件,滿足不同負載的使用。
1. 用戶太陽能電源:
(1)小型電源10-100W不等,用于邊遠無電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電,如照明、電視、收錄機等;
(2)3-5KW家庭屋頂并網發(fā)電系統(tǒng);
(3)光伏水泵:解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。
2. 交通領域:如航標燈、交通/鐵路信號燈、交通警示/標志燈、宇翔路燈、高空障礙燈、高速公路/鐵路無線電話亭、無人值守道班供電等。
3. 通訊/通信領域:太陽能無人值守微波中繼站、光纜維護站、廣播/通訊/尋呼電源系統(tǒng);農村載波電話光伏系統(tǒng)、小型通信機、士兵GPS供電等。
4. 石油、海洋、氣象領域:石油管道和水庫閘門陰極保護太陽能電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺生活及應急電源、海洋檢測設備、氣象/水文觀測設備等。
5. 家庭燈具電源:如庭院燈、路燈、手提燈、野營燈、登山燈、垂釣燈、黑光燈、割膠燈、節(jié)能燈等。
6. 光伏電站:10KW-50MW獨立光伏電站、風光(柴)互補電站、各種大型停車廠充電站等。
7. 太陽能建筑:將太陽能發(fā)電與建筑材料相結合,使得未來的大型建筑實現(xiàn)電力自給,是未來一大發(fā)展方向。
8. 其他領域包括:
(1)與汽車配套:太陽能汽車/電動車、電池充電設備、汽車空調、換氣扇、冷飲箱等;
(2)太陽能制氫加燃料電池的再生發(fā)電系統(tǒng);
(3)海水淡化設備供電;
(4)衛(wèi)星、航天器、空間太陽能電站等。
單晶硅太陽能電池板 電池片 6V/3.5W的報價的:¥26 發(fā)電單晶硅電池片 520MA電池板的報價...
你好,多晶硅電池與多晶硅薄膜電池的主要區(qū)別在與兩個方面: 1。成品電池的襯底不同, 多晶硅電池襯底是多晶硅,全是硅材料。 多晶硅薄膜電池襯底一般式石英或者玻璃 2.表面涂...
在太陽能利用上,單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著巨大的作用。多晶硅是生產單晶硅的直接原料,是當代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。被稱為“微電子大廈的基石”。
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單晶硅硅太陽能電池(課堂PPT)
【摘要】研究了激光摻雜選擇性發(fā)射極匹配的擴散工藝,通過調整不同的工藝參數(shù),達到相同的高方阻,比較了不同方法獲得的高方阻的均勻性,得到了在105Ω/□左右的高方阻仍能保持較好均勻性的擴散工藝。通過調整激光功率形成不同的重摻雜區(qū)方塊電阻,研究了不同的重摻雜區(qū)方塊電阻對電池主要電性能參數(shù)的影響,分析了變化原因。最后比較了激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和傳統(tǒng)太陽電池的電性能及外量子效率。工藝優(yōu)化后,激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的轉換效率相比傳統(tǒng)太陽電池有0.24%的提升。
引言
提高太陽電池的光電轉換效率是提高行業(yè)競爭力的重要途徑。發(fā)射極摻雜濃度對太陽電池轉換效率的影響是雙重的,采用高濃度的摻雜,可以減小硅片和電極之間的接觸電阻,降低電池的串聯(lián)電阻,但是高的摻雜濃度會導致載流子復合變大,少子壽命降低,影響電池的開路電壓和短路電流。采用低濃度的摻雜,可以降低表面復合,提高少子壽命,但是必然會導致接觸電阻的增大,影響電池的串聯(lián)。選擇性發(fā)射極太陽電池的結構設計可以很好地解決這一矛盾[1]。選擇性發(fā)射極(selectiveemitter,SE)太陽電池,即在金屬柵線與硅片接觸部位及其附近進行高濃度摻雜,而在電極以外的區(qū)域進行低濃度摻雜。這樣既降低了硅片和電極之間的接觸電阻,又降低了表面的復合[2],提高了少子壽命。這種結構的電池具有以下3點明顯的優(yōu)點:
(1)降低串聯(lián)電阻,提高填充因子;
(2)減少載流子復合,提高表面鈍化效果;
(3)增強電池短波光譜響應,提高短路電流和開路電壓。
目前選擇性發(fā)射極的主要實現(xiàn)工藝[3]有氧化物掩膜法、絲網印刷硅墨水法、離子注入法和激光摻雜法等,其中激光PSG摻雜法由于其工藝過程簡單,從圖1可以看出從太陽電池常規(guī)產線升級成激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池生產線,工藝上只需增加激光摻雜一個步驟,從設備上來說,只需增加摻雜用激光設備,與常規(guī)產線的工藝及設備兼容性很高,是行業(yè)研究的熱點。激光PSG摻雜法是采用擴散時產生的磷硅玻璃層作為摻雜源進行激光掃描,形成重摻雜區(qū)。目前雖然對激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的理論研究和實驗的報道很多,但是在實際的大規(guī)模生產中,仍然存在著擴散高方阻的均勻性、輕重摻雜區(qū)方塊電阻匹配和印刷正電極的精確對位等問題,本文主要對前兩個問題相關工藝進行研究。
2.實驗過程
2.1實驗原材料
實驗采用156.75156.75mm的單晶硅片,厚度180~200μm,電阻率范圍1~3Ω·cm.
2.2擴散工藝的實驗設計
擴散工藝的基本步驟如圖2所示。在擴散工藝中,影響擴散后硅片方塊電阻的工藝參數(shù)有大氮氣體流量、小氮氣體流量、氧氣流量、擴散溫度、擴散時間和源瓶溫度等參數(shù)。其中,擴散時間和擴散溫度是大規(guī)模生產中常用的調整方阻的工藝參數(shù)。目前,激光摻雜選擇性發(fā)射極擴散輕摻雜的方快電阻一般在100~110Ω/□之間。本實驗以105Ω/□為目標方快電阻,通過縮短擴散時間和降低擴散溫度兩種方式將正常的85Ω/□升高至目標方阻。實驗使用Tempress4管5恒溫區(qū)擴散爐進行,實驗1為將原擴散工藝的擴散時間縮短4min,實驗2為將原擴散工藝的擴散溫度降低12℃。每組實驗做一管(500片),擴散工藝完成后,從每個恒溫區(qū)的中間位置各抽取一片,使用四探針方塊電阻測試儀測試硅片中心點和四個邊角的方塊電阻。
2.3激光摻雜工藝的實驗設計
在激光摻雜工藝中,利用激光的熱效應,熔融硅片表層,覆蓋在發(fā)射極頂部的磷硅玻璃(PSG)中的磷原子進入硅片表層,磷原子在液態(tài)硅中的擴散系數(shù)要比在固態(tài)硅中高數(shù)個數(shù)量級[4]。固化后摻雜磷原子取代硅原子的位置,形成重摻雜層。使用優(yōu)化后的擴散工藝,制作方快電阻在105Ω/□的實驗樣片400片,分成四組,每組100片。激光摻雜使用波長532nm的納秒脈沖激光器,分別調整激光功率至20W、30W、40W和50W,對四組實驗樣片進行掃描,形成每條120μm寬的重摻雜區(qū)。對于各組中用于測試方阻的樣品硅片,使用激光掃描20mm20mm的方塊面積。以得到均勻的激光重摻雜區(qū)域,用四探針測試其方塊電阻。
3.實驗結果與分析
3.1擴散方塊電阻結果
方塊電阻是衡量擴散質量是否符合工藝要求的重要指標,擴散方塊電阻的均勻性尤其重要,直接關系到后續(xù)工藝的匹配,并最終對太陽電池轉換效率產生影響,用方塊電阻的不均勻度來反應方塊電阻的均勻性,不均勻度的計算公式為:
以下是兩組實驗擴散方塊電阻數(shù)據(jù),并計算了方塊電阻的片內均勻性,數(shù)據(jù)見表1和表2。
從表1和表2兩組數(shù)據(jù)中可以看出,實驗1方塊電阻的片內不均勻度大多數(shù)都在4.0%之內,均勻性較好,而實驗2方塊電阻的片內不均勻度大多數(shù)都在4.0%以上,其中有三個溫區(qū)在5.0%以上,均勻性較差。通過縮短擴散時間減少摻雜雜質總量提高方塊電阻,對于工藝氣體流量、溫度場等均沒有較大的影響,因此可以最大程度地保持片內方塊電阻的均勻性。擴散溫度的降低影響硅片表面磷硅玻璃層的形成,減弱了磷硅玻璃層對磷擴散的阻礙作用,使方塊電阻的片內均勻性偏差。另外,在大規(guī)模生產中,縮短工藝實驗可以提高產量,節(jié)約生產成本。
3.2激光摻雜實驗結果
用四探針對激光掃描的2020mm的樣片進行方塊電阻的測量,然后四組實驗在相同的工藝條件下進行洗磷刻蝕、PECVD鍍減反膜、絲網印刷電極和燒結,制成成品電池片,并測試其電性能參數(shù),不同激光功率對重摻雜區(qū)方塊電阻以及最終對電池串聯(lián)電阻的影響如表3所示:
從表3中可以看出,當激光功率為20W時,方塊電阻變化較小,僅有5Ω/□的降低,電池的串聯(lián)電阻較高。隨著激光功率的增加,方塊電阻明顯降低,電池串聯(lián)電阻呈現(xiàn)先下降后升高的趨勢。這主要是由于激光功率較小時,不足以使硅片表面溶化,磷原子向硅片表面的摻雜較少,不能形成重摻雜區(qū),導致金屬電極與發(fā)射極之間無法形成良好的歐姆接觸,使電池的串聯(lián)電阻處于較高的水平。當激光功率上升到30W以上時,隨著激光功率的增加,硅片表面溶化的深度不斷加深,摻雜磷原子在硅片表面所能達到的深度也隨之增加,因此方塊電阻有明顯的降低,低方塊電阻的重摻雜區(qū)與金屬柵線形成良好的歐姆接觸,接觸電阻降低,電池的串聯(lián)電阻得到明顯的改善。當激光功率達到50W時,電池的串聯(lián)電阻有升高的趨勢,這一方面是由于過高的激光功率會使磷硅玻璃部分蒸發(fā)而減少摻雜源[5],導致磷原子的表面濃度降低,另一方面,激光摻雜,磷硅玻璃作為有限源,當激光功率較高時,隨著硅片表面溶化時間和溶化層厚度的增加高濃度區(qū)域加深,磷硅玻璃中更多的磷原子被驅趕到硅片表層,導致磷原子表面的濃度降低??傊^高的激光功率會使磷原子的表面濃度降低,不能與金屬電極形成良好的歐姆接觸導致串聯(lián)電阻的升高。
3.3激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池電性能結果
從表4中可以看出,與常規(guī)電池相比較,激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的開路電壓和短路電流都有明顯的提升。原因是高方塊電阻的輕摻雜發(fā)射極可以有效減少載流子的復合幾率,提高載流子的收集效率,低表面摻雜濃度還可以使表面態(tài)密度降低,提高表面鈍化效果,最終提高電池的開路電壓和短路電流。另外,選擇性發(fā)射極輕、重摻雜區(qū)的摻雜濃度差形成高低結,進一步提高電池的開路電壓。
不同激光功率對電池轉換效率的影響,從上表中可以看出,當激光功率為20W時,激光摻雜對硅片重摻雜區(qū)方阻影響不大,雖然由于發(fā)射極的輕摻雜使電池的開路電壓和短路電流都有明顯的提升,但是串聯(lián)電阻過大,導致最終效率較低。當激光功率在30W~50W之間時,電池的開路電壓、短路電流、串聯(lián)電阻等電性能參數(shù)相比常規(guī)電池都有明顯的改善。激光功率在此區(qū)間內,隨著功率的增加,開路電壓沒有明顯變化,短路電流隨著功率的增加呈下降的趨勢,主要是激光功率過高時對摻雜區(qū)的絨面有損傷,影響對光的吸收。激光功率大小對串聯(lián)電阻的影響前文已進行分析,不再重復。綜上所述,當激光功率在40W,重摻雜區(qū)方阻降至63Ω/□左右時,輕、重摻雜區(qū)工藝匹配達到最優(yōu),相比傳統(tǒng)電池,效率有0.24%的提升。
3.4外量子效率測試結果
對工藝優(yōu)化的激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和常規(guī)太陽電池進行外量子效率的測試分析,如圖3所示,從圖中可以看出在300nm~520nm波段范圍內,激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池的外量子效率相比常規(guī)太陽電池有較明顯的提升,但是在中長波段基本與常規(guī)電池一致。主要是由于激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池發(fā)射極區(qū)域摻雜濃度低,前表面的載流子復合幾率降低,對光生載流子的收集增加,電池的光譜響應增強。
4.結論
通過縮短擴散時間和降低擴散溫度兩種方法提高擴散的方塊電阻,形成輕摻雜,比較了兩種方法形成的高方塊電阻的均勻性,發(fā)現(xiàn)縮短擴散時間提高方塊電阻的方法得到的高方塊電阻的均勻性較好。重摻雜區(qū)方塊電阻匹配的研究,通過改變激光功率形成不同的重摻雜區(qū)方塊電阻,發(fā)現(xiàn)當激光功率在40W左右,重摻雜區(qū)方塊電阻在66Ω/□左右時,工藝達到最優(yōu),電池的開路電壓、短路電流和串聯(lián)電阻等參數(shù)均有明顯的改善,最終轉換效率相比傳統(tǒng)電池有0.24%的提升。比較了激光摻雜選擇性發(fā)射極太陽電池和傳統(tǒng)太陽電池的外量子效率,相比傳統(tǒng)太陽電池,激光摻雜選擇性太陽電池主要在300~520nm的短波范圍內有較明顯的提升。
多晶硅太陽電池概述
多晶硅太陽電池的性能基本與單晶硅太陽電池相同,目前國外多晶硅太陽電池大部分是10cm×10cm的方片。 工業(yè)化生產的多晶硅太陽電池的典型特性參數(shù)如下:
Isc=2950mA,Voc=584mV,填充因子FF=0.72,轉換效率η=12.4%(測試條件:AM1.5,1000W/m2,25℃)。
多晶硅太陽電池的其它特性與單晶硅太陽電池類似,如溫度特性、太陽電池性能隨入射光強的變化等。
太陽電池最早問世的是單晶硅太陽電池。硅是地球上極豐富的一種元素,幾乎遍地都有硅的存在,可說是取之不盡,用硅來制造太陽電池,原料可謂不缺。但是提煉它卻不容易,所以人們在生產單晶硅太陽電池的同時,又研究了多晶硅太陽電池和非晶硅太陽電池,至今商業(yè)規(guī)模生產的太陽電池,還沒有跳出硅的系列。其實可供制造太陽電池的半導體材料很多,隨著材料工業(yè)的發(fā)展、太陽電池的品種將越來越多。目前已進行研究和試制的太陽電池,除硅系列外,還有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等許多類型的太陽電池,舉不勝舉,以下介紹幾種較常見的太陽電池。分類單晶硅太陽電池.