銀離子遷移或簡稱銀遷移(Silver Migration)現(xiàn)象是指在存在直流電壓梯度的潮濕環(huán)境中,水分子滲入含銀導(dǎo)體表面電解形成氫離子和氫氧根離子:
H2O→H++OH-
銀在電場及氫氧根離子的作用下,離解產(chǎn)生銀離子,并產(chǎn)生下列可逆反應(yīng):
在電場的作用下,銀離子從高電位向低電位遷移,并形成絮狀或枝蔓狀擴展,在高低電位相連的邊界上形成黑色氧化銀。通過著名的水滴試驗可以很清楚地觀察到銀遷移現(xiàn)象。水滴試驗十分簡單,在相距很近的含銀的導(dǎo)體間滴上水滴,同時加上直流偏置電壓就可以觀察到銀離子遷移現(xiàn)象。筆者試驗中導(dǎo)體間距為偏置電壓為5V。加蒸餾水滴樣品起始電流為0.08mA,20min后銀遷移發(fā)生形成導(dǎo)通。加自來水滴時起始電流為0.15mA,10min后形成導(dǎo)通。在厚膜電路陶瓷基板上,和PCB上均可觀察到銀遷移現(xiàn)象。
銀離子的遷移會造成無電氣連接的導(dǎo)體間形成旁路,造成絕緣下降乃至短路。除導(dǎo)體組份中含銀外,導(dǎo)致銀遷移產(chǎn)生的因素還有:基板吸潮;相鄰近導(dǎo)體間存在直流電壓,導(dǎo)體間隔愈近,電壓愈高愈容易產(chǎn)生;偏置時間;環(huán)境濕度水平;存在離子或有沾污物吸附;表面涂覆物的特性等。
銀遷移造成旁路引起失效有以下特征:
在高濕存在偏壓的情況下產(chǎn)生;銀離子遷移發(fā)生后在導(dǎo)體間留下殘留物,在干燥后仍存在旁路電阻,但其伏-安特性是非線性的,同時具有不穩(wěn)定和不可重復(fù)的特點。這與表面有導(dǎo)電離子沾污的情況相類似。
銀遷移是一個早已為業(yè)界所熟知的現(xiàn)象,是完全可預(yù)防的:在布局、布線設(shè)計時避免線間距相鄰導(dǎo)體間直流電位差過高;制造表面保護層避免水汽滲入含銀導(dǎo)體。對產(chǎn)品使用環(huán)境特別嚴(yán)酷的(如接近100%RH,85℃)可將整個電路板浸封或涂覆來進行保護。此外,焊接后清洗基板上助焊劑殘留物,亦可防止表面有導(dǎo)電離子沾污。
q布線幾何形狀的影響
q熱效應(yīng)
q晶粒大小
q介質(zhì)膜q
合金效應(yīng)
q脈沖電流
抗電遷移措施
q設(shè)計
版圖設(shè)計、熱設(shè)計、散熱器
q工藝
膜損傷、晶粒尺寸、臺階
q材料
Si-Cu-Al合金、Cu
q多層結(jié)構(gòu),以金為基的多層金屬化層q 覆蓋介質(zhì)膜
Al2O3、Si3N4等能抑制表面擴散,壓強效應(yīng)和熱沉效應(yīng)。
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直流電流通過導(dǎo)體時,金屬中產(chǎn)生的質(zhì)量輸運現(xiàn)象就稱為金屬化電遷移,即金屬中的離子遷移。自1966年發(fā)現(xiàn)Al膜電遷移是硅平面器件的一個主要失效原因以來,對器件中金屬化電遷移現(xiàn)象就進行了廣泛而深入的研究。
金屬是晶體,在晶體內(nèi)部金屬離子按序排列。當(dāng)不存在外電場時,金屬離子可以在品格內(nèi)通過空位而變換位置,這種金屬離子運動稱為自擴散。因為任一靠近鄰近空位的離子有相同的概率和空位交換位置,所以自擴散的結(jié)果并不產(chǎn)生質(zhì)量輸運。當(dāng)有直流電流通過金屬導(dǎo)體時,由于電場的作用就使金屬離子產(chǎn)生定向運動,即金屬離子的遷移現(xiàn)象。電遷移伴隨著質(zhì)量的輸運。 所謂金屬電遷移失效,通常是指金屬層因金屬離子的遷移在局部區(qū)域由質(zhì)量堆積(Pileup)而出現(xiàn)小丘(Hillock s)或品須,或由質(zhì)量虧損出現(xiàn)空洞(Voids)而造成的器件或互連性能退化或失效。通常在高溫、強電場下引起。不同的金屬產(chǎn)生金屬化電遷移的條件是不同的。
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鍍鉻污水離子遷移法處理設(shè)備是北京銀燕環(huán)保設(shè)備工程公司開發(fā)的一種新型槽邊循環(huán)處理設(shè)備。該設(shè)備在處理過程中僅消耗電能,不需使用任何化學(xué)藥劑,使用方便,維護簡單。回收的鉻酸濃度高,可直接回用于鍍槽。
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本文提出利用IMA測量介質(zhì)膜中可動離子漂移遷移率的新方法,并用該方法測量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移遷移率,研究了Na~+遷移率與溫度的關(guān)系。
QYC-C遷移測試池 遷移池適用于食品接觸材料及制品的遷移試驗預(yù)處理。符合國家最新標(biāo)準(zhǔn)GB 5009.156-2016要求,適用于GB 31604.1-2015《食品接觸材料及制品遷移試驗通則》中的所有食品模擬物。
產(chǎn)品特點:
產(chǎn)品符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),完全按照GB 5009.156-2016附錄B中的圖B.5 遷移測試池C設(shè)計制造,確保遷移試驗的一致性 與浸泡液接觸的材料均采用符合美國牌號要求的高品質(zhì)不銹鋼,材料本身無微量物質(zhì)析出 兩個試樣面可同時接觸食品模擬物,提高了接觸面積 采用耐高溫、耐腐蝕、自清潔的密封圈,確保密封性能良好,保證了各類模擬物在試驗過程中無 泄漏、無揮發(fā) 遷移測試池的密封結(jié)構(gòu),確保了試樣測試面積之外的部分不與食品模擬物接觸,保證了測試面積的有效性 適用于范圍更廣的材料做遷移試驗預(yù)處理參照標(biāo)準(zhǔn):
GB 5009.156-2016 食品安全國家標(biāo)準(zhǔn) 食品接觸材料及制品遷移試驗預(yù)處理方法通則 GB 31604.1-2015 食品安全國家標(biāo)準(zhǔn) 食品接觸材料及制品遷移試驗通則測試應(yīng)用:
基礎(chǔ)應(yīng)用——適用于食品接觸材料及制品接觸水、乙醇、乙酸、植物油、正已烷、正庚烷、異辛烷等食品模擬物的遷移試驗預(yù)處理。技術(shù)參數(shù):
接觸形式:單面或雙面接觸 單面接觸面積(直徑):51.5cm2(Ф81mm) 雙面接觸面積:103cm2 容積:120mL 使用溫度:5℃~180℃ 外形尺寸:143mm(L) × 125mm(W) × 76mm(H) 凈重:1.2kgLabthink,致力于通過包裝檢測技術(shù)提升和尖端檢測儀器研發(fā)幫助客戶應(yīng)對包裝難題,助力包裝相關(guān)產(chǎn)業(yè)的品質(zhì)安全。
遷移電流簡介
伏安分析法中由于電極對待測離子的靜電引力導(dǎo)致更多離子移向電極表面,并在電極上還原而產(chǎn)生的電流,稱為遷移電流。
在電解池兩電極施加外電壓后,進行電極反應(yīng)的離子受濃度差和靜電引力的作用趨向電極表面。例如用極譜法測定Pb,由于濃度極化,溶液中的Pb 2+受擴散力的作用向電極表面移動,產(chǎn)生擴散電流。另一方面,作為負極的滴汞電極對Pb的靜電引力,使得它不是因為由于濃度陡度引起的擴散,與待測物濃度無定量關(guān)系,故應(yīng)設(shè)法消除。通常是加入支持電解質(zhì)(或稱惰性電解質(zhì))--類似于緩沖液來消除。
【遷移電流】(migrationcurrent)指導(dǎo)極譜分析中,由于靜電場作用使去極劑(可還原或氧化的物質(zhì))到達電極表面引起電極反應(yīng)而產(chǎn)生的電流。常用im表示。其大小與電位梯度成正比,而與被測離子濃度無關(guān)。在極譜分析中,只有擴散電流才與被測物質(zhì)濃度成正比,為達到極譜定量分析的目的,必須設(shè)法消除這部分電流。通常在被分析溶液中,加入大量*支持電解度。如氯化鉀(KCl)、)
離子在單位強度(V/m)電場作用下的移動速度稱之為離子遷移率,它是分辨被測離子直徑大小的一個重要參數(shù)。空氣離子直徑越小,其遷移速度就越快。 離子遷移率是表達被測離子大小的重要參數(shù)。離子運動速度與離子直徑成反比,而離子遷移率與離子運動速度成正比,故離子遷移率與離子直徑成負比。