直流電流通過導(dǎo)體時(shí),金屬中產(chǎn)生的質(zhì)量輸運(yùn)現(xiàn)象就稱為金屬化電遷移,即金屬中的離子遷移。自1966年發(fā)現(xiàn)Al膜電遷移是硅平面器件的一個(gè)主要失效原因以來,對器件中金屬化電遷移現(xiàn)象就進(jìn)行了廣泛而深入的研究。
金屬是晶體,在晶體內(nèi)部金屬離子按序排列。當(dāng)不存在外電場時(shí),金屬離子可以在品格內(nèi)通過空位而變換位置,這種金屬離子運(yùn)動(dòng)稱為自擴(kuò)散。因?yàn)槿我豢拷徑瘴坏碾x子有相同的概率和空位交換位置,所以自擴(kuò)散的結(jié)果并不產(chǎn)生質(zhì)量輸運(yùn)。當(dāng)有直流電流通過金屬導(dǎo)體時(shí),由于電場的作用就使金屬離子產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng),即金屬離子的遷移現(xiàn)象。電遷移伴隨著質(zhì)量的輸運(yùn)。 所謂金屬電遷移失效,通常是指金屬層因金屬離子的遷移在局部區(qū)域由質(zhì)量堆積(Pileup)而出現(xiàn)小丘(Hillock s)或品須,或由質(zhì)量虧損出現(xiàn)空洞(Voids)而造成的器件或互連性能退化或失效。通常在高溫、強(qiáng)電場下引起。不同的金屬產(chǎn)生金屬化電遷移的條件是不同的。
銀離子遷移或簡稱銀遷移(Silver Migration)現(xiàn)象是指在存在直流電壓梯度的潮濕環(huán)境中,水分子滲入含銀導(dǎo)體表面電解形成氫離子和氫氧根離子:
H2O→H++OH-
銀在電場及氫氧根離子的作用下,離解產(chǎn)生銀離子,并產(chǎn)生下列可逆反應(yīng):
在電場的作用下,銀離子從高電位向低電位遷移,并形成絮狀或枝蔓狀擴(kuò)展,在高低電位相連的邊界上形成黑色氧化銀。通過著名的水滴試驗(yàn)可以很清楚地觀察到銀遷移現(xiàn)象。水滴試驗(yàn)十分簡單,在相距很近的含銀的導(dǎo)體間滴上水滴,同時(shí)加上直流偏置電壓就可以觀察到銀離子遷移現(xiàn)象。筆者試驗(yàn)中導(dǎo)體間距為偏置電壓為5V。加蒸餾水滴樣品起始電流為0.08mA,20min后銀遷移發(fā)生形成導(dǎo)通。加自來水滴時(shí)起始電流為0.15mA,10min后形成導(dǎo)通。在厚膜電路陶瓷基板上,和PCB上均可觀察到銀遷移現(xiàn)象。
銀離子的遷移會(huì)造成無電氣連接的導(dǎo)體間形成旁路,造成絕緣下降乃至短路。除導(dǎo)體組份中含銀外,導(dǎo)致銀遷移產(chǎn)生的因素還有:基板吸潮;相鄰近導(dǎo)體間存在直流電壓,導(dǎo)體間隔愈近,電壓愈高愈容易產(chǎn)生;偏置時(shí)間;環(huán)境濕度水平;存在離子或有沾污物吸附;表面涂覆物的特性等。
銀遷移造成旁路引起失效有以下特征:
在高濕存在偏壓的情況下產(chǎn)生;銀離子遷移發(fā)生后在導(dǎo)體間留下殘留物,在干燥后仍存在旁路電阻,但其伏-安特性是非線性的,同時(shí)具有不穩(wěn)定和不可重復(fù)的特點(diǎn)。這與表面有導(dǎo)電離子沾污的情況相類似。
銀遷移是一個(gè)早已為業(yè)界所熟知的現(xiàn)象,是完全可預(yù)防的:在布局、布線設(shè)計(jì)時(shí)避免線間距相鄰導(dǎo)體間直流電位差過高;制造表面保護(hù)層避免水汽滲入含銀導(dǎo)體。對產(chǎn)品使用環(huán)境特別嚴(yán)酷的(如接近100%RH,85℃)可將整個(gè)電路板浸封或涂覆來進(jìn)行保護(hù)。此外,焊接后清洗基板上助焊劑殘留物,亦可防止表面有導(dǎo)電離子沾污。
金屬化陶瓷管的報(bào)價(jià)4左右 &nb...
你好,陶瓷金屬化管殼報(bào)價(jià)是50元錢,比較便宜了。如果你是要批發(fā)的話,批發(fā)2-10陶瓷金屬化管殼,價(jià)格是48元錢,批發(fā)11-50件陶瓷金屬化管殼,價(jià)格是45元錢。批發(fā)51以上陶瓷金屬化管殼,價(jià)格是40元...
陶瓷金屬化管殼的價(jià)格是600元一立方米,陶瓷金屬化是在陶瓷表面牢固地粘附一層金屬薄膜,使之實(shí)現(xiàn)陶瓷和金屬間的焊接,現(xiàn)有鉬錳法、鍍金法、鍍銅法、鍍錫法、鍍鎳法、LAP法(激光后金屬鍍)等多種陶瓷金屬...
q布線幾何形狀的影響
q熱效應(yīng)
q晶粒大小
q介質(zhì)膜q
合金效應(yīng)
q脈沖電流
抗電遷移措施
q設(shè)計(jì)
版圖設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)、散熱器
q工藝
膜損傷、晶粒尺寸、臺階
q材料
Si-Cu-Al合金、Cu
q多層結(jié)構(gòu),以金為基的多層金屬化層q 覆蓋介質(zhì)膜
Al2O3、Si3N4等能抑制表面擴(kuò)散,壓強(qiáng)效應(yīng)和熱沉效應(yīng)。
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申請?zhí)?01410290670.1公開日2014.09.10 申請人河北鎂輪鎂合金科技有限公司地址河北省廊坊市霸州市津港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)本發(fā)明公開了一種金屬化鍍液以及鎂合金制品表面金屬化的方法,每升金屬化鍍液中含有:硫酸鎳15g,次磷酸鈉25g,20%氫氧化鈉20mL,氟化鋰3g,溶劑為水。
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申請?zhí)?01410290670.1公開日2014.09.10 申請人河北鎂輪鎂合金科技有限公司地址河北省廊坊市霸州市津港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)本發(fā)明公開了一種金屬化鍍液以及鎂合金制品表面金屬化的方法,每升金屬化鍍液中含有:硫酸鎳15g,次磷酸鈉25g,20%氫氧化鈉20mL,氟化鋰3g,溶劑為水。
QYC-C遷移測試池 遷移池適用于食品接觸材料及制品的遷移試驗(yàn)預(yù)處理。符合國家最新標(biāo)準(zhǔn)GB 5009.156-2016要求,適用于GB 31604.1-2015《食品接觸材料及制品遷移試驗(yàn)通則》中的所有食品模擬物。
產(chǎn)品特點(diǎn):
產(chǎn)品符合相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),完全按照GB 5009.156-2016附錄B中的圖B.5 遷移測試池C設(shè)計(jì)制造,確保遷移試驗(yàn)的一致性 與浸泡液接觸的材料均采用符合美國牌號要求的高品質(zhì)不銹鋼,材料本身無微量物質(zhì)析出 兩個(gè)試樣面可同時(shí)接觸食品模擬物,提高了接觸面積 采用耐高溫、耐腐蝕、自清潔的密封圈,確保密封性能良好,保證了各類模擬物在試驗(yàn)過程中無 泄漏、無揮發(fā) 遷移測試池的密封結(jié)構(gòu),確保了試樣測試面積之外的部分不與食品模擬物接觸,保證了測試面積的有效性 適用于范圍更廣的材料做遷移試驗(yàn)預(yù)處理參照標(biāo)準(zhǔn):
GB 5009.156-2016 食品安全國家標(biāo)準(zhǔn) 食品接觸材料及制品遷移試驗(yàn)預(yù)處理方法通則 GB 31604.1-2015 食品安全國家標(biāo)準(zhǔn) 食品接觸材料及制品遷移試驗(yàn)通則測試應(yīng)用:
基礎(chǔ)應(yīng)用——適用于食品接觸材料及制品接觸水、乙醇、乙酸、植物油、正已烷、正庚烷、異辛烷等食品模擬物的遷移試驗(yàn)預(yù)處理。技術(shù)參數(shù):
接觸形式:單面或雙面接觸 單面接觸面積(直徑):51.5cm2(Ф81mm) 雙面接觸面積:103cm2 容積:120mL 使用溫度:5℃~180℃ 外形尺寸:143mm(L) × 125mm(W) × 76mm(H) 凈重:1.2kgLabthink,致力于通過包裝檢測技術(shù)提升和尖端檢測儀器研發(fā)幫助客戶應(yīng)對包裝難題,助力包裝相關(guān)產(chǎn)業(yè)的品質(zhì)安全。
遷移電流簡介
伏安分析法中由于電極對待測離子的靜電引力導(dǎo)致更多離子移向電極表面,并在電極上還原而產(chǎn)生的電流,稱為遷移電流。
在電解池兩電極施加外電壓后,進(jìn)行電極反應(yīng)的離子受濃度差和靜電引力的作用趨向電極表面。例如用極譜法測定Pb,由于濃度極化,溶液中的Pb 2+受擴(kuò)散力的作用向電極表面移動(dòng),產(chǎn)生擴(kuò)散電流。另一方面,作為負(fù)極的滴汞電極對Pb的靜電引力,使得它不是因?yàn)橛捎跐舛榷付纫鸬臄U(kuò)散,與待測物濃度無定量關(guān)系,故應(yīng)設(shè)法消除。通常是加入支持電解質(zhì)(或稱惰性電解質(zhì))--類似于緩沖液來消除。
【遷移電流】(migrationcurrent)指導(dǎo)極譜分析中,由于靜電場作用使去極劑(可還原或氧化的物質(zhì))到達(dá)電極表面引起電極反應(yīng)而產(chǎn)生的電流。常用im表示。其大小與電位梯度成正比,而與被測離子濃度無關(guān)。在極譜分析中,只有擴(kuò)散電流才與被測物質(zhì)濃度成正比,為達(dá)到極譜定量分析的目的,必須設(shè)法消除這部分電流。通常在被分析溶液中,加入大量*支持電解度。如氯化鉀(KCl)、)
離子在單位強(qiáng)度(V/m)電場作用下的移動(dòng)速度稱之為離子遷移率,它是分辨被測離子直徑大小的一個(gè)重要參數(shù)??諝怆x子直徑越小,其遷移速度就越快。 離子遷移率是表達(dá)被測離子大小的重要參數(shù)。離子運(yùn)動(dòng)速度與離子直徑成反比,而離子遷移率與離子運(yùn)動(dòng)速度成正比,故離子遷移率與離子直徑成負(fù)比。