二氯硅烷合成方法

1.將硅粉和氯化氫按適當比例進行反應，生成二氯二氫硅，經蒸餾分離三氯氫硅，把得到的二氯二氫硅進行精制，制得電子級高純二氯二氫硅成品。

2.將27.1g SiHCl3與3.7g Bu3N在常壓下回流40h，即得到產品。產物用置于干冰浴上的接收器收集。產率可達到7.3%。

3.將硅粉和氯化氫按適當比例進行反應，生成二氯二氫硅，經蒸餾分離三氯氫硅，將得到的二氯二氫硅進行精制，制得電子級高純二氯二氫硅成品。其反應式如下：

儲存注意事項[20] 儲存于陰涼、通風的有毒氣體專用庫房。庫溫不宜超過30℃。遠離火種、熱源。包裝必須密封，切勿受潮。應與氧化劑、堿類、醇類、食用化學品分開存放，切忌混儲。采用防爆型照明、通風設施。禁止使用易產生火花的機械設備和工具。儲區(qū)應備有泄露應急處理設備。

1.性狀：無色氣體，有特征氣味。[1]

2.熔點（℃）：-122[2]

3.沸點（℃）：8.3[3]

4.相對密度（水=1）：1.26[4]

5.相對蒸氣密度（空氣=1）：3.48[5]

6.飽和蒸氣壓（kPa）：163.6（20℃）[6]

7.臨界壓力（Mpa）：4.55[7]

8.辛醇/水分配系數(shù)：1.150[8]

9.閃點（℃）：-55[9]

10.引燃溫度（℃）：41~47[10]

11.爆炸上限（%）：96.0[11]

12.爆炸下限（%）：4.1[12]

13.溶解性：溶于苯、乙醚等多數(shù)有機溶劑。[13]

中文名稱:二氯硅烷

英文名稱:Dichlorosilane

別名:4-甲苯基硫脲 對甲基苯基硫脲

更多名稱:4-Tolythiourea p-Methylphenylthiourea 4-Methylphenylthiourea

CAS號:4109-96-0

分子式:Cl2Si

分子量:98.9915

1.用于制造半導體，尤其是在外延法工藝中作為硅源。二氯二氫硅主要用于多晶硅外延生長以及化學氣相沉積二氧化硅和氮化硅。它的硅含量比三氯氫硅和四氯化硅高，二氯二氫硅沉積硅更有效，且淀積溫度比其他氯硅烷低。采用二氯二氫硅在降低溫度下沉積厚層所需時間大大低于采用硅烷所需時間。由于二氯二氫硅的沉積速率與采用其他氯硅烷相比對溫度敏感性小，因此可以采用調節(jié)氫氣流中二氯二氫硅濃度的方法來控制沉積速率，而且不會出現(xiàn)鼓泡所帶來的不準確性和機械問題。2.用于甲硅烷基化劑，及合成硅的有機化合物。[21]

R12:Extremely flammable. 極度易燃。

R14:Reacts violently with water. 遇水反應劇烈。

R23:Toxic by inhalation. 吸入有毒。

R34:Causes burns. 引起灼傷。