書????名 | ESD設(shè)計與綜合 | 作????者 | (美)Steven H.Voldman |
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譯????者 | 劉志偉 | ISBN | 9787111427766 |
出版社 | 機(jī)械工業(yè)出版社 | 出版時間 | 2013年8月 |
前言
致謝
第1章ESD設(shè)計綜合
第2章ESD架構(gòu)和平面布局
第3章ESD電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計
第4章ESD電源鉗位
第5章ESD信號引腳網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計與綜合
第6章保護(hù)環(huán)的設(shè)計與綜合
第7章ESD全芯片設(shè)計——集成與結(jié)構(gòu)
《ESD設(shè)計與綜合》是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻譯版。本書的目的在于教會讀者半導(dǎo)體芯片上ESD設(shè)計的“藝術(shù)”。全書的線索將按照如下順序:版圖布局、結(jié)構(gòu)、電源軌及電源軌的ESD網(wǎng)絡(luò)、ESD信號引腳解決方案、保護(hù)環(huán)還有一大批實現(xiàn)的實例。這條線索同其他已公開的大部分相關(guān)資料不同,但卻更貼近實際團(tuán)隊在實現(xiàn)ESD設(shè)計過程中所采用的方法。除此之外,本書還將為讀者介紹當(dāng)下處于熱議的許多結(jié)構(gòu)和概念。同時還將展示如DRAM、SRAM、圖像處理芯片、微處理器、混合電壓到混合信號應(yīng)用,以及版圖布局等實例。最后,本書還將介紹其他資料中尚未討論過的話題,包括電源總線結(jié)構(gòu)、保護(hù)環(huán)、版圖布局。本書主要面向需要學(xué)習(xí)和參考ESD相關(guān)設(shè)計的工程師,或需要學(xué)習(xí)ESD相關(guān)知識的微電子學(xué)和集成電路設(shè)計專業(yè)高年級學(xué)生和研究生。
ESD知識介紹 靜電的產(chǎn)生: 靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,產(chǎn)生的方式多種,如接觸、摩擦等。靜電的特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。 人體自身的動作或與其他物體的接觸,分離,摩擦或感應(yīng)等因素...
ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即"靜電放電"的意思。ESD是本世紀(jì)中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生與衰減、靜電放電模型、靜電放電效應(yīng)如電流熱(火花)效應(yīng)(如靜電引起的著火...
tvs(瞬變電壓抑制二極管)是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,當(dāng)TVS管兩端經(jīng)受瞬間的高能量沖擊時,它能以極高的速度使其阻抗驟然降低,同時吸收一個大電流,將其兩端間的電壓箝位在一個的數(shù)值上,從而確保后面...
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頁數(shù): 1頁
評分: 4.7
ESD測試標(biāo)準(zhǔn)
靜電保護(hù)元件(ElertroStaticDischarged Protection)防靜電管ESD靜電二極管簡稱ESD,是一種過壓、防靜電保護(hù)元件,是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護(hù)設(shè)計的器件。
優(yōu)恩ESD靜電二極管封裝規(guī)格有:SOD-323封裝、SOD-523封裝、SOD-882封裝、DFN-1006封裝、DFN-1006BP封裝、DFN-1006DN封裝、SOD-882封裝、SOD-923封裝、SO-08封裝、SOP-14封裝、SOP-16封裝、SOT-23封裝、SOT-25封裝、SOT-26封裝、SOT-143封裝、SOT-323封裝、SOT-353封裝、SOT-363封裝、SOT-553封裝、SOT-563封裝、DSON-10封裝、MSOP-08封裝、DFN2010P8封裝、DFN2510P10封裝、DFN2626P10封裝、EMI系列、高分子ESD靜電二極管系列、SOD-123封裝、DFN0603(0201)封裝、SO-06封裝、SOT-363封裝、DFN2510封裝等規(guī)格系列。
產(chǎn)品電壓:2.5V-70V
產(chǎn)品特性:反應(yīng)速度快(小于1ns),電容值低,體積小,集成度高,封裝多樣化,漏電流低,電壓值低(最低可做到2.5V)有助于保護(hù)敏感的電子電路不受靜電放電(ESD)事件的破壞,是理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)器件。
產(chǎn)品作用:ESD靜電二極管并聯(lián)于電路中,當(dāng)電路正常工作時,它處于截止?fàn)顟B(tài)(高阻態(tài)),不影響線路正常工作,當(dāng)電路出現(xiàn)異常過壓并達(dá)到其擊穿電壓時,它迅速由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài),給瞬間電流提供低阻抗導(dǎo)通路徑,同時把異常高壓箝制在一個安全水平之內(nèi),從而保護(hù)被保護(hù)IC或線路;當(dāng)異常過壓消失,其恢復(fù)至高阻態(tài),電路正常工作。
產(chǎn)品應(yīng)用:靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于HDMI接口、便攜式視頻設(shè)備、LCD等離子電視、USB2.0和USB3.0接口、GPS系統(tǒng)、便攜設(shè)備(PDA、DSC、藍(lán)牙)、打印機(jī)接口、衛(wèi)星接收器、DVI、天線等進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。
ESD保護(hù)器件是用來避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD(靜電放電)的影響??商峁┓浅5偷碾娙?,具有優(yōu)異的傳輸線脈沖(TLP)測試,以及IEC6100-4-2測試能力,尤其是在多采樣數(shù)高達(dá)1000之后,進(jìn)而改善對敏感電子元件的保護(hù)。
第1章 射頻設(shè)計和ESD
1.1 ESD設(shè)計的基本概念
1.2 射頻ESD的基本概念
1.3 射頻ESD的主要成果
1.4 射頻ESD的關(guān)鍵專利
1.5 ESD失效機(jī)制
1.5.1 射頻CMOS ESD失效機(jī)制
1.5.2 鍺硅器件的ESD失效機(jī)制
1.5.3 硅鍺碳器件的ESD失效機(jī)制
1.5.4 砷化鎵技術(shù)ESD失效機(jī)制
1.5.5 銦鎵砷ESD失效機(jī)制
1.5.6 射頻雙極型電路ESD失效機(jī)制
1.6 射頻基礎(chǔ)
1.7 雙端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
1.7.1 Z參數(shù)
1.7.2 Y參數(shù)
1.7.3 S參數(shù)
1.7.4 T參數(shù)
1.8 穩(wěn)定性:射頻設(shè)計穩(wěn)定性與ESD
1.9 器件性能退化和ESD失效
1.9.1 ESD導(dǎo)致的直流參數(shù)漂移和失效標(biāo)準(zhǔn)
1.9.2 射頻參數(shù)、ESD退化以及失效標(biāo)準(zhǔn)
1.10 射頻ESD測試
1.10.1 ESD測試模型
1.10.2 射頻最大功率失效和ESD脈沖測試方法
1.10.3 ESD導(dǎo)致的射頻退化和S參數(shù)評估測試方法
1.11 ESD測試中時域反射計(TDR)和阻抗方法學(xué)
1.11.1 時域反射(TDR)ESD測試系統(tǒng)評估
1.11.2 ESD退化系統(tǒng)級方法--眼圖測試
1.12 產(chǎn)品級ESD測試和射頻功能性參數(shù)失效
1.13 組合射頻和ESD TLP測試系統(tǒng)
1.14 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 射頻ESD設(shè)計
2.1 ESD設(shè)計方法:理想ESD網(wǎng)絡(luò)和射頻ESD設(shè)計窗口
2.1.1 理想ESD網(wǎng)絡(luò)和電流-電壓直流設(shè)計窗口
2.1.2 理想ESD網(wǎng)絡(luò)頻域設(shè)計窗口
2.2 射頻ESD設(shè)計方法:線性法
2.3 射頻ESD設(shè)?:無源元件品質(zhì)因數(shù)和品質(zhì)因素
2.4 射頻ESD設(shè)計方法:替代法
2.4.1 無源器件替代ESD網(wǎng)絡(luò)器件法
2.4.2 ESD網(wǎng)絡(luò)元件替代為無源元件
2.5 射頻ESD設(shè)計方法:匹配網(wǎng)絡(luò)和射頻ESD網(wǎng)絡(luò)
2.5.1 射頻ESD方法:匹配網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為ESD網(wǎng)絡(luò)
2.5.2 射頻ESD方法:ESD網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為匹配網(wǎng)絡(luò)
2.6 射頻ESD設(shè)計方法:電感分流器
2.7 射頻ESD 設(shè)計方法:消除法
2.7.1 品質(zhì)因數(shù)和消除法
2.7.2 電容負(fù)載的感性消除和FOM
2.7.3 消除法和ESD電路
?2.8 射頻ESD設(shè)計方法:利用LC共振的阻抗隔離技術(shù)
2.9 射頻ESD設(shè)計方法:集總與分布式負(fù)載
2.9.1 射頻ESD共面波導(dǎo)的分布負(fù)載
2.9.2 利用ABCD 矩陣進(jìn)行射頻ESD共面波導(dǎo)分布負(fù)載分析
2.10 ESD射頻設(shè)計綜合和平面圖:射頻、模擬和數(shù)字綜合
2.10.1 同一區(qū)域ESD電源鉗位(Power Clamp)的布置
2.10.2 電源線的結(jié)構(gòu)和ESD設(shè)計綜合
2.10.3 VDD到VSS電源線的保護(hù)
2.10.4 VDD到模擬VDD和VDD到射頻VCC的保護(hù)
2.10.5 內(nèi)部ESD 保護(hù)網(wǎng)絡(luò)
2.11?ESD電路和射頻焊盤整合
2.12 鍵合線焊盤下的ESD結(jié)構(gòu)
2.13 小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 射頻CMOS和ESD
第4章 射頻CMOS ESD網(wǎng)絡(luò)
第5章 雙極型晶體管物理特性
第6章 鍺硅和ESD
第7章 砷化鎵工藝中的ESD
第8章 雙極型晶體管接收機(jī)電路與ESD網(wǎng)絡(luò)
第9章 射頻和ESD計算機(jī)輔助設(shè)計
第10章 可替代ESD概念:片上和片外ESD保護(hù)解決方案
參考文獻(xiàn)
名詞術(shù)語
我國已經(jīng)成為電子產(chǎn)品的加工基地,在珠三角、長三角集中了眾多的電子產(chǎn)品加工企業(yè)。這些企業(yè)的 ESD 控制工作絕大多數(shù)沒有按照美國標(biāo)準(zhǔn)建立ESD20.20 方案,工廠的ESD控制工作無非 是購買防靜電工作服和手腕帶這些簡單的 ESD 用品,距離 ESD 20.20 標(biāo)準(zhǔn)有很大的差距。很多企業(yè)在遇到國外的大客戶現(xiàn)場稽核時,往往在做了精心的準(zhǔn)備之后,卻還是因為 ESD 問題被拒之門外。ESD 技術(shù)水平的提高是整個電子行業(yè)的當(dāng)務(wù)之急,ESD 體系標(biāo)準(zhǔn)的推廣和普及任務(wù)艱巨。
ANSI/ESD相關(guān)知識
ANSI成立于1918年,原名是美國工程標(biāo)準(zhǔn)委員會(American Engineering Standards Committee;AESC),1928年改名為美國標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(American Standards Association;ASA),1966年改名為美國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(America Standards Institute;USASI),1969年正式改為現(xiàn)名美國國家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(American National Standards Institute,ANSI)。
ESD20.20 標(biāo)準(zhǔn)
ANSI/ESD S20.20:2007 是美國 ESD Association(ESD 協(xié)會)于 2000 年 正式推出認(rèn)可的認(rèn)證項目,該協(xié)會由電子元器件的制造、使用商組成的,主要成員包括了 IBM,MOTOROLA 等公司,這些公司的 OEM 工廠或供貨商必須要通過 ESD S20.20 認(rèn) 證認(rèn)可,才能獲取和保持 OEM 和供應(yīng)產(chǎn)品的資格。所以,可以認(rèn)為 ESD20.20 是一個買方認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),對于那些芯片、電子元器件、電源及轉(zhuǎn)換器、顯示屏的制造商而言,要成為知名品牌的供應(yīng)商,ESD20.20 近似于一個強(qiáng)制認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。