中文名 | 高能離子注入機(jī) | 產(chǎn)????地 | 中國 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 物理學(xué)、電子與通信技術(shù) | 啟用日期 | 1987年06月15日 |
所屬類別 | 工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設(shè)備 > 半導(dǎo)體集成電路工藝實驗設(shè)備 |
可注入60多種元素,多傾角,高能量。 2100433B
加熱溫度:500oC及以下,注入能量:15keV–500keV。
奧得奧 遠(yuǎn)大的空氣凈化器品牌都還不錯,至于說選擇哪個品牌還是得根據(jù)您自己的喜好和信賴來選擇。高能離子凈化器是通過高能電子通過碰撞空氣中的分子來達(dá)到殺菌消毒的目的??諝鈨艋魇袌?..
奧得奧 ??遠(yuǎn)大的空氣凈化器品牌都還不錯,至于說選擇哪個品牌還是得根據(jù)您自己的喜好和信賴來選擇。高能離子凈化器是通過高能電子通過碰撞空氣中的分子來達(dá)到殺菌消毒的目的??諝鈨艋?..
這個首先要確定你購買的價位和用途。價位就不說了,用途一定要明確,因為許多廉價空氣凈化器功能非常單一。其次,只能在兩千以上的產(chǎn)品中選擇。從性價比上來說,國產(chǎn)空氣凈化器是要勝過外資。但空氣凈化器其實是一個...
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半導(dǎo)體離子注入工藝 09電科 A柯鵬程 0915221019 離子注入法摻雜和擴(kuò)散法摻雜對比來說,它的加工溫度低、容易制作淺結(jié)、均勻的 大面積注入雜質(zhì)、易于自動化等優(yōu)點。當(dāng)前,離子注入法已成為超大規(guī)模集成電路 制造中不可缺少的摻雜工藝。離子注入是一種將帶點的且具有能量的粒子注入襯底 硅的過程。注入能量介于 1eV到 1MeV之間,注入深度平均可達(dá) 10nm~10um。相對 擴(kuò)散工藝,粒子注入的主要好處在于能更準(zhǔn)確地控制雜質(zhì)參雜、可重復(fù)性和較低的 工藝溫度。 1.離子注入原理 : 離子是原子或分子經(jīng)過離子化后形成的,即等離子體,它帶有一定量的電荷??赏?過電場對離子進(jìn)行加速,利用磁場使其運(yùn)動方向改變,這樣就可以控制離子以一定 的能量進(jìn)入 wafer 內(nèi)部達(dá)到摻雜的目的。 離子注入到 wafer 中后,會與硅原子碰撞而損失能量, 能量耗盡離子就會停在 wafer 中某位置。離子通過與硅原子
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詳細(xì)描述了離子注入技術(shù)在泥漿泵缸套表面改性中的研究和應(yīng)用,提出了離子注入高鉻鑄鐵缸套表面改性的機(jī)制,通過樣品實驗和現(xiàn)場實驗得到最佳離子注入工藝,使改性后的缸套籌命、丁晴橡膠活塞的使用壽命得到提高。本項技術(shù)可提高石油鉆井的生產(chǎn)效率,降低成本,為國家節(jié)約資金,已基本達(dá)到工業(yè)應(yīng)用化程度,填補(bǔ)了離子注入表面改性技術(shù)在石油行業(yè)應(yīng)用的空白。
離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據(jù)實際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子,當(dāng)外來電子的能量高于原子的電離電位時,通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外,還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子,再經(jīng)過加速器獲得較高能量,由四級透鏡聚焦后進(jìn)入靶室,進(jìn)行離子注入。
離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,離子注入是對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行精確的控制,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,可以滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求,已成為集成電路制造工藝中必不可少的關(guān)鍵裝備。
目前,我國8英寸100納米大角度離子注入機(jī)項目已成功實施,現(xiàn)在正著手研發(fā)下一代65納米低能大束流離子注入機(jī),同時,開發(fā)與之配套的工藝裝備。