光伏發(fā)電產(chǎn)品主要用于三大方面:一是為無電場合提供電源,主要為廣大無電地區(qū)居民生活生產(chǎn)提供電力,還有微波中 繼電源、通訊電源等,另外,還包括一些移動電源和備用電源;二是太陽能日用電子產(chǎn)品,如各類太陽能充電器、太陽能路燈和太陽能草坪燈等;三是并網(wǎng)發(fā)電,這 在發(fā)達國家已經(jīng)大面積推廣實施。我國并網(wǎng)發(fā)電還未起步,不過,2008年北京奧運會部分用電將會由太陽能發(fā)電和風力發(fā)電提供。
光伏發(fā)電設(shè)備極為精 煉,可靠穩(wěn)定壽命長、安裝維護簡便。單晶硅電池具有電池轉(zhuǎn)換效率高,穩(wěn)定性好,但是成本較高;非晶硅太陽電池則具有生產(chǎn)效率高,成本低廉,但是轉(zhuǎn)換效率較低,而且效率衰減得比較厲害;鑄造多晶硅太陽能電池則具有穩(wěn)定得轉(zhuǎn)換的效率,而且性能價格比最高;薄膜晶體硅太陽能電池則還只能處在研發(fā)階段。
光電池是一種特殊的半導體二極管,能將可見光轉(zhuǎn)化為直流電。有的光電池還可以將紅外光和紫外光轉(zhuǎn)化為直流電。光電池是太陽能電力系統(tǒng)內(nèi)部的一個組成部分,太陽能電力系統(tǒng)在替代電力能源方面正有著越來越重要的地位。最早的光電池是用摻雜的氧化硅來制作的,摻雜的目的是為了影響電子或空穴的行為。其它的材料,例如CIS,CdTe和GaAs,也已經(jīng)被開發(fā)用來作為光電池的材料。有二種基本類型的半導體材料,分別叫做正電型(或P型態(tài))和負電型(或N型態(tài))。在一個PV電池中,這些材料的薄片被一起放置,而且他們之間的實際交界叫做P-N結(jié)。通過這種結(jié)構(gòu)方式,P-N結(jié)暴露于可見光,紅外光或紫外線下,當射線照射到P-N結(jié)的時候,在P-N結(jié)的兩側(cè)產(chǎn)生電壓,這樣連接到P型材料和N型材料上的電極之間就會有電流通過。 一套PV電池能被一起連接形成太陽的模組,行列或面板。用來產(chǎn)生可用電能的PV電池就是光電伏特計。光電伏特計的主要優(yōu)點之一是沒有污染,只需要裝置和陽光就可工作。另外的一個優(yōu)點是太陽能是無限的。一旦光電伏特計系統(tǒng)被安裝,它能提供在數(shù)年內(nèi)提供能量而不需要花費,并且只需要最小的維護。
光電池是一種在光的照射下產(chǎn)生電動勢的半導體元件。它是是能在光的照射下產(chǎn)生電動勢的元件。用于光電轉(zhuǎn)換、光電探測及光能利用等方面。
高能新光電池挺不錯的,以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復合容器的部分空間,能將化學能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負極之分。隨著科技的進步,電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有...
二、實驗步驟: 1.裁好所需尺寸大小的銅片兩片,并以肥皂清洗,去除表面油污。 2.將銅片乾燥后,以酒精燈加熱銅片,直到銅片表面全部變黑。: 3.將加熱好的銅片(氧化銅)靜置冷卻。 &nbs...
光電池是能在光的照射下產(chǎn)生電動勢的元件。用于光電轉(zhuǎn)換、光電探測及光能利用等方面。人們最早發(fā)現(xiàn)和應用的是硒光電池。它的原理是硒在光作用下產(chǎn)生電子被電極收集而產(chǎn)生電動勢。后來又發(fā)現(xiàn)和應用了各種半導體材料的光電池,如硅光電池、硫化銀電池等。它的原理是半導體的p-n結(jié)在光的作用下產(chǎn)生新的電子-空穴對,電子和空穴在p-n結(jié)電場的作用下移動到結(jié)的兩邊形成附加電勢差。
光電池案例
太陽能電池將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能。不論是獨立使用還是并 網(wǎng)發(fā)電,光伏發(fā)電系統(tǒng)主要 由太陽能電池板(組件)、控制器和逆變器三大部分組成,它們主要由電子元器件構(gòu)成,不涉及機械部件。理論上講,光伏發(fā)電技術(shù)可以用于任何需要電源的場合,上至航天器,下至家用電源,大到兆瓦級電站,小到玩具,光伏電源無處不在。以晶體硅材料制備的太陽能電池主要包括:單晶硅、多晶硅、非晶硅和薄膜電池等。鑄造多晶硅太陽能電池已經(jīng)取代直拉單晶硅成為最主要的光伏材料。但是鑄造多晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率略低于直拉單晶硅太陽能電池,材料中的各種缺陷,如晶界、位錯、微缺陷,和材料中的雜質(zhì)碳和氧,以及工藝過程中玷污的過渡族金屬被認為是電池轉(zhuǎn)換效率較低的關(guān)鍵原因,因此關(guān)于鑄造多晶硅中缺陷和雜質(zhì)規(guī)律的研究,以及工藝中采用合適的吸雜,鈍化工藝是進一步提高鑄造多晶硅電池的關(guān)鍵。量產(chǎn)的單晶硅電池轉(zhuǎn)換效率在17%左右,多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率在16%左右。而薄膜電池量產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率為10%左右。
除了常用的單晶、多晶、非晶硅電池之外,多元化合物太陽電池指不是用單一元素半導體材料制成的太陽電池。各國研究的品種繁多,大多數(shù)尚未工業(yè)化生產(chǎn),主要有以下幾種: a)硫化鎘太陽能電池 b)砷化鎵太陽能電池 c) 銅銦硒太陽能電池(新型多元帶隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太陽能電池)
格式:pdf
大?。?span id="7zgjv6b" class="single-tag-height">70KB
頁數(shù): 3頁
評分: 4.8
65AH 恒電流放電參數(shù)表( 20℃ 安培) 編號 型號 電 壓 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
格式:pdf
大小:70KB
頁數(shù): 3頁
評分: 4.6
65AH 恒電流放電參數(shù)表( 20℃ 安培) 編號 型號 電 壓 5min 10mi n 15mi n 20mi n 30mi n 45mi n 1h 2h 3h 4h 5h 8h 10 h NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.85 102.0 77.0 63.0 56.0 48.0 42.0 36.0 22.0 15.9 12.9 10.9 7.3 6.2 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.80 120.0 95.0 76.0 64.0 52.0 45.0 39.0 23.0 16.7 13.4 11.3 7.6 6.5 NGA4120065HS0B A A412/65G6 1.75 134.0 107.0 84.0 70.0 56.0 48.0 41.0 24.0 17.1 13.6 11
YUY-PVT002B硅光電池光伏特性綜合實驗儀
一、產(chǎn)品概述
本系統(tǒng)是一個太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng),通過它可以學習并掌握硅光電池的工作原理,掌握硅光電池的基本特性、掌握硅光電池基本特性測試方法,了解硅光電池的基本應用,為控制器和逆變器工作原理提供一個實用的教學、試驗、演示平臺。
二、設(shè)備功能用途:研究太陽能電池的基本特性:太陽能電池的開路電壓和閉路電流,電流密度、太陽能電池的輸出伏安特性,功率因子測定預分析等。太陽能電池的溫度特性研究及PN結(jié)V/I特性。研究太陽能電池量子效率,光譜透過率以及與入射光強度、入射角度的關(guān)系等。三、技術(shù)要求:供電電源:220V±10%,頻率:50Hz模擬光源:220V/350W高壓氙燈光譜范圍:360-1100nm;太陽能電池功率:15W;電流測量范圍: DC20mA、DC200mA、DC2A、DC20A四檔0—20A;電流測量準確度:0.2%。短路電流密度重復性:<1%;電壓測量范圍:DC200mV、DC2V、DC20V、DC50V四檔電壓測量準確度:0.2% ;測試負載電阻:0—99.9KΩ測試結(jié)果重復性<±0.5%測試樣品尺寸: ≥156x156mm(可定制更大尺寸)照度計:量程1-2000Lx、2000-20000Lx和20000-50000Lx三檔手動切換環(huán)境檢測單元:可對環(huán)境溫度、濕度實時液晶屏顯示,并顯示實時時鐘和可設(shè)置鬧鐘。100W逆變器;可對交流220V不同負載進行試驗;蓄電池:標稱電壓:12V;標稱容量:7.2Ah控制器:12V/24V自動切換,10A。設(shè)有電池板檢測指示燈,蓄電池容量指示燈,負載指示燈,可對各個部件進行實時檢測。工作模式:連續(xù)模式四、設(shè)備主要配置:單晶硅、多晶硅、非晶硅、微晶硅各2塊有機太陽電池、聚合物太陽電池各2塊測試負載電阻模塊1套測試光譜部件1套其他標配。五、售后服務(wù)和培訓:提供一年免費保修免費培訓、實驗指導書
介紹
“硒光電池”是一種直接把光能轉(zhuǎn)換成電能的半導體器件。因其表面覆蓋有半透明的金屬電極,又稱為金屬-半導體光電池。
對光的波長響應范圍約是380nm~750nm。
大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%(一般在19.5%左右),產(chǎn)品耐高溫和輻射,但生產(chǎn)成本高,產(chǎn)量受限,主要作空間電源用。以硅片作襯底,用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。
GaAs(砷化鎵)光電池大多采用液相外延法或MOCVD技術(shù)制備。用GaAs作襯底的光電池效率高達29.5%(一般在19.5%左右),產(chǎn)品耐高溫和輻射,但生產(chǎn)成本高,產(chǎn)量受限,目前主要作空間電源用。以硅片作襯底,用MOCVD技術(shù)異質(zhì)外延方法制造GaAs電池是降低成本很有希望的方法。