IGBT檢測

IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點的電阻分量，因 此需要盡量對稱； 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異，因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異，設(shè)計機械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮； 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異； 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異， VGEth 越高， IGBT 開通時刻越晚， 不同模塊會有差異； 2、每個并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異； 3、門極電壓 Vge 的差異； 4、門極回路中的雜散電感量的差異； 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異； 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態(tài)均

測試方法（晶川）：萬用表只能測量不全面：若 IGBT損壞一般可以測 出；但是若 IGBT是好的，它無法肯定是好的。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即損壞。 （GE表示G接正表筆， E接負表筆；其他雷同） IGBT 的 EC 之間接有二極管，所以為導(dǎo)通態(tài)，電壓為 0.34V左右。 若想完整測試 IGBT需要用晶體管圖示儀。 IGBT損壞：GE,EG,CE,GC,CG任意一組出現(xiàn)電阻檔有讀數(shù)， 即損壞。（GE 表示G接正表筆， E接負表筆；其他雷同） 新 IGBT 紅表筆 -黑表筆 電阻檔 二極管檔 1-2 無窮大 斷路 2-1 無窮大 斷路 4-3 無窮大 斷路 3-4 無窮大 斷路 8-10 無窮大 斷路 10-8 0.447MΩ 0.324 9-8 無窮大 斷路 8-9 0.448MΩ 0.324 5-4 無窮大 斷路 4-5 無窮