中文名 | igbt中頻爐 | 優(yōu)????點(diǎn) | 熔化速度快、節(jié)能 |
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逆變器產(chǎn)地 | 德國(guó) | 采????用 | 串聯(lián)諧振式的中頻感應(yīng)熔煉爐 |
1、厚壁感應(yīng)圈將提供更多的熔煉能量
厚壁感應(yīng)圈與其它截面的感應(yīng)線圈相比具有更大的載流截面,因此線圈電阻低,更多的能量可以用熔煉.并且由于四周管壁的厚度均勻,因此它的強(qiáng)度要比管壁不均勻、一邊管壁較薄的線圈結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度高.也就是說(shuō)榮泰的這種結(jié)構(gòu)的線圈不易發(fā)生因電弧和膨脹而引起的損壞.
2、感應(yīng)線圈的匝間開放空間提高了電效率,減少了水汽
經(jīng)過(guò)反復(fù)實(shí)踐思考,我們?cè)O(shè)計(jì)的感應(yīng)線圈的匝間留有空間,這樣能夠士提高線圈載流的效率,并且可以讓爐襯材料中的水汽很容易揮發(fā).在無(wú)間隙式感應(yīng)圈的爐體中,一個(gè)通常的問題是線圈常受到鄰近線圈磁場(chǎng)的影響,從面使得阻抗增加.
3、線圈設(shè)計(jì)原理
線圈是感應(yīng)爐的心臟,感應(yīng)線圈在電流的作用下產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng),此磁場(chǎng)使?fàn)t膛內(nèi)的金屬產(chǎn)生渦流而發(fā)熱。線圈是電能轉(zhuǎn)換成熱能的關(guān)鍵所在,所以線圈的設(shè)計(jì)非常重要。本爐的線圈是結(jié)合感應(yīng)爐的實(shí)際使用情況,根據(jù)電磁場(chǎng)原理,通過(guò)計(jì)算機(jī)專業(yè)軟件的計(jì)算而確定的較佳方案,采用最新線圈反并繞技術(shù)(雙感應(yīng)圈并聯(lián)),更好的聚集磁場(chǎng),提高磁場(chǎng)攪拌力,感應(yīng)線圈的設(shè)計(jì)功率與實(shí)際運(yùn)行功率的誤差不大于5%,線圈的絕緣,特別是匝間絕緣采用先進(jìn)的絕緣處理辦法來(lái)保證,專用的夾緊技術(shù)能有效地減少線圈的軸向振動(dòng)。
4、開放式的爐底減少了水汽
開放式的爐底設(shè)計(jì)易于通氣,避免了水分的積聚.并且萬(wàn)一漏爐發(fā)生,能降低損壞程度.
5、冷卻環(huán)延長(zhǎng)了爐襯的壽命
良好地冷卻爐襯不僅能提供更好的絕熱及陰熱物性,而且可以提高爐襯的壽命.為了達(dá)到這種目的,榮泰在爐體設(shè)計(jì)時(shí),在頂部和底部分別加了冷卻環(huán),這樣水僅能夠起到均勻爐襯溫度的目的,而且降低了熱膨脹.由于采用了低熱耗,高強(qiáng)度的紫銅冷卻環(huán),大大提高了電爐的效率.
●產(chǎn)品啟動(dòng)性能非常好。
它是采用串聯(lián)諧振電路,徹底解決了可控硅中頻啟動(dòng)困難的問題。
●產(chǎn)品幾乎不產(chǎn)生高次諧波。
不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器,開關(guān)不發(fā)熱,不會(huì)干擾工廠內(nèi)的電子設(shè)備運(yùn)行。
●產(chǎn)品具有高可靠性。
主要元器件全部采用世界名廠生產(chǎn)的元器件,IGBT晶體管是德國(guó)西門子公司生產(chǎn)的。
●產(chǎn)品節(jié)約電能。
●產(chǎn)品水循環(huán)系統(tǒng)采用水熱交換器和內(nèi)外水循環(huán)系統(tǒng)。
內(nèi)循環(huán)是蒸餾水,長(zhǎng)期使用,設(shè)備內(nèi)各水路不結(jié)垢不堵塞,大大減少了故障,節(jié)約了維修費(fèi)用。
●產(chǎn)品能在熔煉過(guò)程中始終保持恒功率輸出。2100433B
電源控制部分原理及優(yōu)勢(shì):
(2)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源,加少量料即可達(dá)到滿功率輸出,并且始終保持不變,所以熔化速度快;因逆變部分采用串聯(lián)諧振,且逆變電壓高,所以IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能;IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功,整流部分采用全橋整流,電感和電容濾波,且一直工作在500V,所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小,對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。
(3)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面:
A、逆變電壓高,電流小,線路損耗小,此部分可節(jié)能15%左右,節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V,而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V,電流小了近4倍,線路損耗大大降低。
B、功率因數(shù)高,功率因數(shù)始終大于0.98,無(wú)功損耗小,此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式,整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角,所以整個(gè)工作過(guò)程功率因數(shù)始終大于0.98,無(wú)功率損耗小。
B、 爐品熱損失小,由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右,15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過(guò)程的3%,所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。
(4)高次諧波干擾:高次諧波主要來(lái)自整流部分調(diào)壓時(shí)可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓,會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng),導(dǎo)致其他設(shè)備無(wú)法正常工作,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式,直流電壓始終工作在最高,不調(diào)導(dǎo)通角,所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波,不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器,開關(guān)不發(fā)熱,不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。
(5)恒功率輸出:可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功,而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功,它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響,在整個(gè)熔煉過(guò)程中保持恒功率輸出,尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí),更顯示它的優(yōu)越性,熔化速度快,爐料元素?zé)龘p少,降低鑄造成本。
中頻電源的工作原理為:采用三相橋式全控整流電路將交流電整流為直流電,經(jīng)電抗器平波后,成為一個(gè)恒定的直流電流源,再經(jīng)單相逆變橋,把直流電流逆變成一定頻率(一般為1000至8000Hz)的單相中頻電流。負(fù)...
中頻感應(yīng)電爐工作原理:PS系列電源采用交流-直流-交流變頻方式,由一個(gè)(或二個(gè))三相橋式整流器將三相交流電變成直流電,再由一個(gè)單相橋式逆變器將直流電變?yōu)橹蓄l交流電,再將中頻交流電送給感應(yīng)線圈,當(dāng)感應(yīng)線...
中山市奧克斯小家電有限公司的電磁爐igbt價(jià)格是1250元 廣東秀寧電器有限公司的電磁爐igbt價(jià)格是850元 潮州市楓溪區(qū)迅豐家用電器經(jīng)營(yíng)部的電磁爐igbt價(jià)格是1100元 以上價(jià)格源于網(wǎng)絡(luò),僅供參...
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以不銹鋼、鋁制品壓接復(fù)合鍋底加工用IGBT中頻電源加熱機(jī)為例,介紹IGBT中頻電源的原理和檢修方法。這些檢修方法也適用于其它中頻電源設(shè)備。
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評(píng)分: 4.7
3.2.1.4鎂砂的質(zhì)量評(píng)價(jià) 組成鎂砂的礦物成分是比較復(fù)雜的,根據(jù)巖相分析結(jié)果,鎂砂中主要礦物成分及其熔點(diǎn) 列于表 3-12 中 表 3-12 鎂砂中的主要礦物成分及其熔點(diǎn) 礦物名稱 分子式 熔點(diǎn)% 硼酸鎂 Mgo.B2O3 1140 鈣鐵石 4Cao. AL2O3. Fe2o3 1420 鐵酸二鈣 2 Cao. Fe2o3 1470 鈣鎂橄欖石 Cao. Mgo. SiO2 1520 鋁酸三鈣 3 Cao. AL2O3 1540 鎂薔薇輝石 3 Cao. Mgo.2 SiO2 1575 鐵酸鎂 Mgo.Fe2o3 1750 鐵橄欖石 2 Mgo. SiO2 1890 硅酸三鈣 3 Cao. SiO2 2070 硅酸二鈣 2 Cao. SiO2 2130 鎂鋁尖晶石 Mgo。AL2O3 2135 方鎂石 Mgo 2800 了解鎂砂的礦物組成對(duì)于制定燒結(jié)工藝和評(píng)定鎂
串聯(lián)中頻爐與并聯(lián)中頻爐的選擇
串聯(lián)中頻爐和并聯(lián)中頻爐的差別,源于它們所用的振蕩電路不同,前者是用L、R和C串聯(lián),后者是L、R和C并聯(lián)。作為鑄造企業(yè),是應(yīng)該選擇串聯(lián)中頻爐還是并聯(lián)中頻爐呢?雖然這需要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā),但是首先還是要搞清楚二者有什么異同,各自有什么優(yōu)缺點(diǎn),然后才能做出正確的選擇。
把串聯(lián)中頻爐與并聯(lián)中頻爐做了一個(gè)簡(jiǎn)單的比較,主要有以下區(qū)別:
1
串聯(lián)中頻爐的負(fù)載電路對(duì)電源呈現(xiàn)低阻抗,要求由電壓源供電,因此,經(jīng)整流和濾波的直流電源末端,必須并接大的濾波電容器。當(dāng)逆變失敗時(shí),浪涌電流大,保護(hù)困難。
并聯(lián)中頻爐的負(fù)載電路對(duì)電源呈現(xiàn)高阻抗,要求由電流源供電,需在直流電源末端串接大電抗器。但在逆變失敗時(shí),由于電流受大電抗限制,沖擊不大,較易保護(hù)。
2
串聯(lián)中頻爐的輸入電壓恒定,輸出電壓為矩形波,輸出電流近似正弦波,換流是在晶閘管上電流過(guò)零以后進(jìn)行,因而電流總是超前電壓φ角。
并聯(lián)中頻爐的輸入電流恒定,輸出電壓近似正弦波,輸出電流為矩形渡,換流是在諧振電容器上電壓過(guò)零以前進(jìn)行,負(fù)載電流也總是越前于電壓一φ角。這就是說(shuō),兩者都是工作在容性負(fù)載狀態(tài)。
3
串聯(lián)中頻爐是恒壓源供電,為避免逆變器的上、下橋臂晶閘管同時(shí)導(dǎo)通.造成電源短路,換流時(shí),必須曝證先關(guān)斷,后開通。即應(yīng)有一段時(shí)間(ta)使所有晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。此時(shí)的雜散電感,即從直流端到器件的引線電感上產(chǎn)生的感生電勢(shì),可能使器件損壞,因而需要選擇合適的器件的浪涌電壓吸收電路。此外,在晶閘管關(guān)斷期間,為確保負(fù)載電流連續(xù),使晶閘管免受換流電容器上高電壓的影響,必須在晶閘管兩端反并聯(lián)快速二極管。
并聯(lián)中頻爐是恒流源供電,為避免濾波電抗I.d上產(chǎn)生大的惑生電勢(shì),電流必須連續(xù)。也就是說(shuō),必須保證逆變器上、下橋臂晶閘管在換流時(shí),是先開通后關(guān)斷,也即在換流期間(t)內(nèi)所有晶閘管都處于導(dǎo)通狀態(tài)。這時(shí),雖然逆變橋臂直通,由于L足夠大,也不會(huì)造成直流電源短路,但換流時(shí)間長(zhǎng),會(huì)使系統(tǒng)效率降低,因而需縮短t,即減小Lk值。
4
串聯(lián)中頻爐的工作頻率必須低于負(fù)載電路的固有振蕩頻率,即應(yīng)確保有臺(tái)適的ta時(shí)間,否則會(huì)因逆變器上、下橋臂直通而導(dǎo)致?lián)Q流的失敗。
并聯(lián)中頻爐的工作頻率必須略高于負(fù)載電路的固有振蕩頻率,以確保有合適的反壓時(shí)問t,否則會(huì)導(dǎo)致晶閘管間換流失敗;但著高得太多,則在換流時(shí)晶閘管承受的反向電壓會(huì)太高,這是不允許的。
5
串聯(lián)中頻爐的功率調(diào)節(jié)方式有二:改變直流電源電壓Ud或改變晶閘管的觸發(fā)頻率,即改變負(fù)載功率因數(shù)cosφ。
并聯(lián)逆變器的功率調(diào)節(jié)方式,一般只能是改變直流電源電壓Ud。改變cosφ雖然也能使逆變輸出電壓升高和功率增大,但所允許調(diào)節(jié)范圍小。
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時(shí),由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應(yīng)該降等使用。
IGBT Modules 在使用中的注意事項(xiàng)
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點(diǎn):在使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時(shí)雖然保證了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒有超過(guò)柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會(huì)產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵極-發(fā)射極間開路時(shí),若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過(guò),柵極電位升高,集電極則有電流流過(guò)。這時(shí),如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在使用IGBT的場(chǎng)合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(shí)(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會(huì)損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在安裝或更換IGBT模塊時(shí),應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近 IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。
中頻爐打結(jié)料也稱中頻爐爐襯材料、中頻爐耐火材料、中頻爐干振料、中頻爐搗打料,分酸性、中性、堿性打結(jié)料。
酸性打結(jié)料是以高純石英、熔融石英為主要原料,以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑;中性打結(jié)料是以氧化鋁、高鋁材料為主要原料,以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑;堿性打結(jié)料是以高純電熔剛玉、高純電熔鎂砂、高純尖晶石作為主要原料,以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑。
酸性、中性、堿性打結(jié)料廣泛應(yīng)用在無(wú)芯中頻爐、有芯感應(yīng)爐中,作為中頻爐打結(jié)料用以熔化灰口鑄鐵、球墨鑄鐵、可煅鑄鐵、蠕墨鑄鐵及鑄鐵合金,熔化碳鋼、合金鋼、高錳鋼、工具鋼、耐熱鋼、不銹鋼,熔化鋁及其合金,熔化紫銅、黃銅、白銅及青銅等銅合金等。
中頻爐打結(jié)料