集成電路發(fā)明

1966年，基爾比和諾依斯同時(shí)被富蘭克林學(xué)會(huì)授予美國科技人員最渴望獲得的巴蘭丁獎(jiǎng)?wù)隆；鶢柋缺蛔u(yù)為“第一塊集成電路的發(fā)明家”，而諾依斯被譽(yù)為“提出了適合于工業(yè)生產(chǎn)的集成電路理論”的人。1969年，美國聯(lián)邦法院最后從法律上承認(rèn)了集成電路是一項(xiàng)“同時(shí)的發(fā)明”。

到了1964年，仙童公司“八叛逆”之一的摩爾（G. Moore）博士，以三頁紙的短小篇幅，發(fā)表了一個(gè)奇特的理論。摩爾天才地預(yù)言說道，集成電路上能被集成的晶體管數(shù)目，將會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度穩(wěn)定增長，并在今后數(shù)十年內(nèi)保持著這種勢頭。摩爾的這個(gè)預(yù)言，因集成電路芯片后來的發(fā)展曲線得以證實(shí)，并在較長時(shí)期保持著有效性，被人譽(yù)為“摩爾定律”。至此而后，集成電路迅速把電腦推上高速成長的快車道。2100433B

從那以后，基爾比一直供職于德州儀器公司，擔(dān)任技術(shù)主管等職務(wù)，直到1970年才退出， 成為德州A&M大學(xué)教授。他一生共獲得60余項(xiàng)發(fā)明專利，但最大的貢獻(xiàn)，莫過于首次發(fā)明集成電路。

當(dāng)基爾比發(fā)明集成電路的消息傳到硅谷，仙童半導(dǎo)體公司當(dāng)即召集會(huì)議商議對策。諾依斯提出：可以用平面處理技術(shù)來實(shí)現(xiàn)集成電路的大批量生產(chǎn)，仙童公司開始奮起疾追。1959年7月30日，他們采用先進(jìn)的平面處理技術(shù)研制出集成電路，也申請到一項(xiàng)發(fā)明專利。

在基爾比和諾依斯發(fā)明集成電路不久后的1961年，德州儀器公司僅用不到9個(gè)月時(shí)間，研制出第一臺(tái)用集成電路組裝的計(jì)算機(jī)，標(biāo)志著電腦從此進(jìn)入它的第三代歷史。該機(jī)共有587塊集成電路，重不過300克，體積不到100立方厘米，功率只有16瓦。

世界集成電路發(fā)展歷史

1947年：美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、布拉頓、肖克萊三人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；

1950年：結(jié)型晶體管誕生

1950年： R Ohl和肖克萊發(fā)明了離子注入工藝

1951年：場效應(yīng)晶體管發(fā)明

1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝

1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；

1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝

1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應(yīng)晶體管

1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍

1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門），為現(xiàn)如今的大規(guī)模集成電路發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，具有里程碑意義

1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司

1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)

1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明

1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802

1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世

1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來臨

1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC

1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

1985年：80386微處理器問世，20MHz

1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段

1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場

1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝

1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世

1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝

1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝

1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝

2000年：1Gb RAM投放市場

2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝

2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

我國集成電路發(fā)展歷史

我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：

1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件

1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化

1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

集成電路產(chǎn)業(yè)是對集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)市場銷售額的總體描述，它不僅僅包含集成電路市場，也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場，甚至延伸至設(shè)備、材料市場。

集成電路產(chǎn)業(yè)不再依賴CPU、存儲(chǔ)器等單一器件發(fā)展，移動(dòng)互聯(lián)、三網(wǎng)融合、多屏互動(dòng)、智能終端帶來了多重市場空間，商業(yè)模式不斷創(chuàng)新為市場注入新活力。目前我國集成電路產(chǎn)業(yè)已具備一定基礎(chǔ)，多年來我國集成電路產(chǎn)業(yè)所聚集的技術(shù)創(chuàng)新活力、市場拓展能力、資源整合動(dòng)力以及廣闊的市場潛力，為產(chǎn)業(yè)在未來5年～10年實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展、邁上新的臺(tái)階奠定了基礎(chǔ)。

集成電路檢測常識(shí)

1、檢測前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理

檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。

2、測試避免造成引腳間短路

電壓測量或用示波器探頭測試波形時(shí)，避免造成引腳間短路，最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進(jìn)行測量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，尤其在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時(shí)更要加倍小心。

3、嚴(yán)禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設(shè)備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設(shè)備

嚴(yán)禁用外殼已接地的儀器設(shè)備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設(shè)備。雖然一般的收錄機(jī)都具有電源變壓器，當(dāng)接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設(shè)備時(shí)，首先要弄清該機(jī)底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設(shè)備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進(jìn)一步擴(kuò)大。

4、要注意電烙鐵的絕緣性能

不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認(rèn)烙鐵不帶電，最好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應(yīng)小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。

5、要保證焊接質(zhì)量

焊接時(shí)確實(shí)焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看，最好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認(rèn)無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。

6、不要輕易斷定集成電路的損壞

不要輕易地判斷集成電路已損壞。因?yàn)榧呻娐方^大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會(huì)導(dǎo)致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時(shí)，也不一定都能說明集成電路就是好的。因?yàn)橛行┸浌收喜粫?huì)引起直流電壓的變化。

7、測試儀表內(nèi)阻要大

測量集成電路引腳直流電壓時(shí)，應(yīng)選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會(huì)有較大的測量誤差。

8、要注意功率集成電路的散熱

功率集成電路應(yīng)散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

9、引線要合理

如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應(yīng)選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。

例如： 肖特基4輸入與非門 CT54S20MD

C—符合國家標(biāo)準(zhǔn)

T—TTL電路

54S20—肖特基雙4輸入與非門

M—‐55~125℃

D—多層陶瓷雙列直插封裝

1、BGA

(ball grid array)

球形觸點(diǎn)陣列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360引腳BGA僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題（見有圖所示）。

2、BQFP

(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP封裝之一，在封裝本體的四個(gè)角設(shè)置突起(緩沖墊)以防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中采用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。

3、C－

(ceramic)

表示陶瓷封裝的記號(hào)。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號(hào)。

4、Cerdip

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號(hào)處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從8到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G即玻璃密封的意思)。

5、Cerquad

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1.5～2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形。帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。

6、COB

(chip on board)

板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。

7、DFP

(dual flat package)

雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，80年代后期已基本上不用。

8、DIC

(dual in-line ceramic package)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

9、DIL

(dual in-line)

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。

10、DIP

(dual in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分，只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP也稱為cerdip(見cerdip)。

11、DSO

(dual small out-lint)

雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

12、DICP

(dual tape carrier package)

雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于利用的是TAB(自動(dòng)帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動(dòng)LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲(chǔ)器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機(jī) 械工 業(yè))會(huì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP 命名為DTP。

13、DIP

(dual tape carrier package)

同上。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)對DTCP 的命名(見DTCP)。

14、FP

(flat package)

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。

15、flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸點(diǎn)與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技術(shù)中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會(huì)在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

16、FQFP

(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采用此名稱。

17、CPAC

(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

18、CQFP

(quad fiat package with guard ring)

帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。

19、H-

(with heat sink)

表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。

20、pin grid array

(surface mount type)

表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。

21、JLCC

(J-leaded chip carrier)

J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

22、LCC

(Leadless chip carrier)

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個(gè)側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。

23、LGA

(land grid array)

觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時(shí)插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，90年代基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對其需求會(huì)有所增加。

24、LOC

(lead on chip)

芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片的中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。

25、LQFP

(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。

26、L－QUAD

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝，在自然空冷條件下可容許W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。

27、MCM

(multi-chip module)

多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

28、MFP

(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

29、MQFP

(metric quad flat package)

按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對QFP 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。

30、MQUAD

(metal quad)

美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。

31、MSP

(mini square package)

QFI 的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。

32、P－

(plastic)

表示塑料封裝的記號(hào)。如PDIP 表示塑料DIP。

33、PAC

(pad array carrier)

凸點(diǎn)陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。

34、PCLP

(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采用的名稱(見QFN)。引

腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規(guī)格。

35、PFPF

(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家采用的名稱。

36、PGA

(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都采用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數(shù)為陶瓷PGA，用于高速大規(guī)模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。

37、piggy back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關(guān)與DIP、QFP、QFN 相似。在開發(fā)帶有微機(jī)的設(shè) 備時(shí)用于評價(jià)程序確認(rèn)操作。例如，將EPROM 插入插座進(jìn)行調(diào)試。這種封裝基本上都是 定制 品，市場上不怎么流通。

38、PLCC

(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料芯片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形 ，是塑料制品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，90年代已經(jīng) 普 及用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件電路。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區(qū)別僅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但現(xiàn) 在已經(jīng)出現(xiàn)用陶瓷制作的J 形引腳封裝和用塑料制作的無引腳封裝(標(biāo)記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經(jīng)無法分辨。為此，日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1988 年決定，把從四側(cè)引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側(cè)帶有電極凸點(diǎn)的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

39、P－LCC

(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時(shí)候是塑料QFJ 的別稱，有時(shí)候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分

LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區(qū)別。

40、QFH

(quad flat high package)

四側(cè)引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體制作得 較厚(見QFP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

41、QFI

(quad flat I-leaded packgac)

四側(cè)I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進(jìn)行碰焊連接。由于引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 于QFP。 日立制作所為視頻模擬IC 開發(fā)并使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18 于68。

42、QFJ

(quad flat J-leaded package)

四側(cè)J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個(gè)側(cè)面引出，向下呈J字形。是日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)規(guī)定的名稱。引腳中心距1.27mm。

材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數(shù)情況稱為PLCC(見PLCC)，用于微機(jī)、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數(shù)從18 至84。

陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用于紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)芯片電路。引腳數(shù)從32 至84。

43、QFN

(quad flat non-leaded package)

四側(cè)無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。90年代后期多稱為LCC。QFN 是日本電子機(jī)械工業(yè) 會(huì)規(guī)定的名稱。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當(dāng)印刷基板與封裝之間產(chǎn)生應(yīng)力時(shí)，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點(diǎn) 難于作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當(dāng)有LCC 標(biāo)記時(shí)基本上都是陶瓷QFN。電極觸點(diǎn)中心距1.27mm。

塑料QFN 是以玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點(diǎn)中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。

44、QFP

(quad flat package)

四側(cè)引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個(gè)側(cè)面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數(shù)量上看，塑料封裝占絕大部分。當(dāng)沒有特別表示出材料時(shí)， 多數(shù)情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用于微處理器，門陳列等數(shù)字 邏輯LSI 電路，而且也用于VTR 信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規(guī)格。0.65mm 中心距規(guī)格中最多引腳數(shù)為304。

日本將引腳中心距小于0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但2000年后日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)對QFP 的外形規(guī)格進(jìn)行了重新評價(jià)。在引腳中心距上不加區(qū)別，而是根據(jù)封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。

另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點(diǎn)是，當(dāng)引腳中心距小于0.65mm 時(shí)，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現(xiàn)已 出現(xiàn)了幾種改進(jìn)的QFP 品種。如封裝的四個(gè)角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護(hù) 環(huán)覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設(shè)置測試凸點(diǎn)、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進(jìn)行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發(fā)品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數(shù)最多為348 的產(chǎn)品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。

45、QFP

(FP)(QFP fine pitch)

小中心距QFP。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(見QFP)。

46、QIC

(quad in-line ceramic package)

陶瓷QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP、Cerquad)。

47、QIP

(quad in-line plastic package)

塑料QFP 的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見QFP)。

48、QTCP

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳并從封裝四個(gè)側(cè)面引出。是利 用 TAB 技術(shù)的薄型封裝(見TAB、TCP)。

49、QTP

(quad tape carrier package)

四側(cè)引腳帶載封裝。日本電子機(jī)械工業(yè)會(huì)于1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規(guī)格所用 的 名稱(見TCP)。

50、QUIL

(quad in-line)

QUIP 的別稱(見QUIP)。

51、QUIP

(quad in-line package)

四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個(gè)側(cè)面引出，每隔一根交錯(cuò)向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當(dāng)插入印刷基板時(shí)，插入中心距就變成2.5mm。因此可用于標(biāo)準(zhǔn)印刷線路板。是 比標(biāo)準(zhǔn)DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在臺(tái)式計(jì)算機(jī)和家電產(chǎn)品等的微機(jī)芯片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數(shù)64。

52、SDIP

(shrink dual in-line package)

收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，

因而得此稱呼。引腳數(shù)從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

53、SH－DIP

(shrink dual in-line package)

同SDIP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

54、SIL

(single in-line)

SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多采用SIL 這個(gè)名稱。

55、SIMM

(single in-line memory module)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個(gè)側(cè)面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標(biāo)準(zhǔn)SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規(guī)格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經(jīng)在個(gè)人 計(jì)算機(jī)、工作站等設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用。至少有30～40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。

56、SIP

(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個(gè)側(cè)面引出，排列成一條直線。當(dāng)裝配到印刷基板上時(shí) 封 裝呈側(cè)立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從2 至23，多數(shù)為定制產(chǎn)品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

57、SK－DIP

(skinny dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP(見 DIP)。

58、SL－DIP

(slim dual in-line package)

DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統(tǒng)稱為DIP。

59、SMD

(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶而，有的半導(dǎo)體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

SOP 的別稱。世界上很多半導(dǎo)體廠家都采用此別稱。(見SOP)。

60、SOI

(small out-line I-leaded package)

I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側(cè)引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小于SOP。日立公司在模擬IC(電機(jī)驅(qū)動(dòng)用IC)中采用了此封裝。引 腳數(shù) 26。

61、SOIC

(small out-line integrated circuit)

SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導(dǎo)體廠家采用此名稱。

62、SOJ

(Small Out-Line J-Leaded Package)

J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側(cè)引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料制品，多數(shù)用于DRAM 和SRAM 等存儲(chǔ)器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從20 至40(見SIMM )。

63、SQL

(Small Out-Line L-leaded package)

按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)對SOP 所采用的名稱(見SOP)。

64、SONF

(Small Out-Line Non-Fin)

無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區(qū)別，有意 增添了NF(non-fin)標(biāo)記。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱(見SOP)。

65、SOP

(small Out-Line package)

小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。

SOP 除了用于存儲(chǔ)器LSI 外，也廣泛用于規(guī)模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領(lǐng)域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從8 ～44。

另外，引腳中心距小于1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

66、SOW

(Small Outline Package(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。

制造

從1930年代開始，元素周期表中的化學(xué)元素中的半導(dǎo)體被研究者如貝爾實(shí)驗(yàn)室的William Shockley認(rèn)為是固態(tài)真空管的最可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在1940到1950年代被系統(tǒng)的研究。今天，盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如：發(fā)光二極管，激光，太陽能電池和最高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。

半導(dǎo)體IC制程，包括以下步驟，并重復(fù)使用：

黃光(微影)

蝕刻

薄膜

擴(kuò)散

CMP

使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層。然后使用微影、擴(kuò)散、CMP等技術(shù)制成MOSFET或BJT等組件，然后利用微影、薄膜、和CMP技術(shù)制成導(dǎo)線，如此便完成芯片制作。因產(chǎn)品性能需求及成本考量，導(dǎo)線可分為鋁制程和銅制程。

IC 由很多重疊的層組成，每層由圖像技術(shù)定義，通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層（成為擴(kuò)散層），一些定義哪里額外的離子灌輸（灌輸層），一些定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），一些定義傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。

在一個(gè)自排列（CMOS）過程中，所有門層（多晶硅或金屬）穿過擴(kuò)散層的地方形成晶體管。

電阻結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)的長寬比，結(jié)合表面電阻系數(shù)，決定電阻。

電容結(jié)構(gòu)，由于尺寸限制，在IC上只能產(chǎn)生很小的電容。

更為少見的電感結(jié)構(gòu)，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。

因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙級(jí)組件消耗的電流少很多。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory）是最常見類型的集成電路，所以密度最高的設(shè)備是存儲(chǔ)器，但即使是微處理器上也有存儲(chǔ)器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜－幾十年來芯片寬度一直減少－但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層，因?yàn)樗麄兲罅?。高頻光子（通常是紫外線）被用來創(chuàng)造每層的圖案。因?yàn)槊總€(gè)特征都非常小，對于一個(gè)正在調(diào)試制造過程的過程工程師來說，電子顯微鏡是必要工具。

在使用自動(dòng)測試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱為“die”。每個(gè)好的die 被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進(jìn)行終檢。測試成本可以達(dá)到低成本產(chǎn)品的制造成本的25%，但是對于低產(chǎn)出，大型和/或高成本的設(shè)備，可以忽略不計(jì)。

在2005年，一個(gè)制造廠（通常稱為半導(dǎo)體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設(shè)費(fèi)用要超過10億美金，因?yàn)榇蟛糠植僮魇亲詣?dòng)化的。

集成電路發(fā)展趨勢

2001年到2010年這10年間，我國集成電路產(chǎn)量的年均增長率超過25%，集成電路銷售額的年均增長率則達(dá)到23%。2010年國內(nèi)集成電路產(chǎn)量達(dá)到640億塊，銷售額超過1430億元，分別是2001年的10倍和8倍。中國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模已經(jīng)由2001年不足世界集成電路產(chǎn)業(yè)總規(guī)模的2%提高到2010年的近9%。中國成為過去10年世界集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展最快的地區(qū)之一。

國內(nèi)集成電路市場規(guī)模也由2001年的1140億元擴(kuò)大到2010年的7350億元，擴(kuò)大了6.5倍。國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模與市場規(guī)模之比始終未超過20%。如扣除集成電路產(chǎn)業(yè)中接受境外委托代工的銷售額，則中國集成電路市場的實(shí)際國內(nèi)自給率還不足10%，國內(nèi)市場所需的集成電路產(chǎn)品主要依靠進(jìn)口。近幾年國內(nèi)集成電路進(jìn)口規(guī)模迅速擴(kuò)大，2010年已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1570億美元，集成電路已連續(xù)兩年超過原油成為國內(nèi)最大宗的進(jìn)口商品。與巨大且快速增長的國內(nèi)市場相比，中國集成電路產(chǎn)業(yè)雖發(fā)展迅速但仍難以滿足內(nèi)需要求。

當(dāng)前以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、智能電網(wǎng)、新能源汽車為代表的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，將成為繼計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通信、消費(fèi)電子之后，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新動(dòng)力。工信部預(yù)計(jì)，國內(nèi)集成電路市場規(guī)模到2015年將達(dá)到12000億元。

我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的生態(tài)環(huán)境亟待優(yōu)化，設(shè)計(jì)、制造、封裝測試以及專用設(shè)備、儀器、材料等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足，芯片、軟件、整機(jī)、系統(tǒng)、應(yīng)用等各環(huán)節(jié)互動(dòng)不緊密?！笆濉逼陂g，中國將積極探索集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上下游虛擬一體化模式，充分發(fā)揮市場機(jī)制作用，強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈上下游的合作與協(xié)同，共建價(jià)值鏈。培育和完善生態(tài)環(huán)境，加強(qiáng)集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)與軟件、整機(jī)、系統(tǒng)及服務(wù)的有機(jī)連接，實(shí)現(xiàn)各環(huán)節(jié)企業(yè)的群體躍升，增強(qiáng)電子信息大產(chǎn)業(yè)鏈的整體競爭優(yōu)勢。

集成電路發(fā)展對策建議

1.創(chuàng)新性效率超越傳統(tǒng)的成本性靜態(tài)效率

從理論上講，商務(wù)成本屬于成本性的靜態(tài)效率范疇，在產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初級(jí)階段作用顯著。外部商務(wù)成本的上升實(shí)際上是產(chǎn)業(yè)升級(jí)、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的外部動(dòng)力。作為高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的上海集成電路產(chǎn)業(yè)，需要積極利用產(chǎn)業(yè)鏈完備、內(nèi)部結(jié)網(wǎng)度較高、與全球生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)有機(jī)銜接等集群優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)企業(yè)之間的互動(dòng)共生的高科技產(chǎn)業(yè)機(jī)體的生態(tài)關(guān)系，有效保障并促進(jìn)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)業(yè)、創(chuàng)新的步伐。事實(shí)表明，20世紀(jì)80年代，雖然硅谷的土地成本要遠(yuǎn)高于128公路地區(qū)，但在硅谷建立的半導(dǎo)體公司比美國其他地方的公司開發(fā)新產(chǎn)品的速度快60%，交運(yùn)產(chǎn)品的速度快40%。具體而言，就是硅谷地區(qū)的硬件和軟件制造商結(jié)成了緊密的聯(lián)盟，能最大限度地降低從創(chuàng)意到制造出產(chǎn)品等相關(guān)過程的成本，即通過技術(shù)密集關(guān)聯(lián)為基本的動(dòng)態(tài)創(chuàng)業(yè)聯(lián)盟，降低了創(chuàng)業(yè)成本，從而彌補(bǔ)了靜態(tài)的商務(wù)成本劣勢 。

2.準(zhǔn)確的產(chǎn)品與市場定位

許多歸國創(chuàng)業(yè)的設(shè)計(jì)人才認(rèn)為，中國的消費(fèi)者是世界上最好的衣食父母，與歐美發(fā)達(dá)國家相比，我們的消費(fèi)者對新產(chǎn)品充滿好奇，一般不退貨，基本無賠償。這些特點(diǎn)為設(shè)計(jì)企業(yè)的創(chuàng)業(yè)、創(chuàng)新與發(fā)展提供了良好的市場機(jī)遇。企業(yè)要善于去發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品應(yīng)用，尋找市場 。

設(shè)計(jì)公司擴(kuò)張主要是受限于人才與產(chǎn)品定位。由于在人才團(tuán)隊(duì)、市場和產(chǎn)品定義方面的不足，初創(chuàng)公司不可能做大項(xiàng)目，不適合于做集聚型大項(xiàng)目?，F(xiàn)有的大多數(shù)設(shè)計(jì)企業(yè)還是適合于分散型市場，主動(dòng)去支持系統(tǒng)廠商，提供大量的服務(wù)。人力密集型業(yè)務(wù)項(xiàng)目不適合歐美公司，更適合我們。例如，在國內(nèi)市場上，如果一個(gè)產(chǎn)品能出貨300萬顆，那么公司就會(huì)去做，國外企業(yè)則不可能去做它 。

3.打造國際精英人才的“新故鄉(xiāng)”，充分發(fā)揮海歸人才優(yōu)勢

海歸人才在國外做了很多超前的技術(shù)開發(fā)研究，并且在全球一些頂尖公司內(nèi)有產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，回國后從事很有需求的產(chǎn)品開發(fā)應(yīng)用，容易成功。集成電路產(chǎn)業(yè)的研發(fā)就怕方向性錯(cuò)誤與低水平重復(fù)，海歸人才知道如何去做才能夠成功 。

“歸國人才團(tuán)隊(duì) 海外工作經(jīng)驗(yàn) 優(yōu)惠政策扶持 風(fēng)險(xiǎn)投資”式上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的典型模式，這在張江高科技園區(qū)尤為明顯。然而，由于國際社區(qū)建設(shè)滯后、戶籍政策限制、個(gè)人所得稅政策缺乏國際競爭力等多方面原因綜合作用，張江仍然沒有成為海外高級(jí)人才的安家落戶、長期扎根的開放性、國際性高科技園區(qū)。留學(xué)生短期打算、“做做看”的“候鳥”觀望氣氛濃厚，不利于全球高級(jí)人才的集聚。要充分發(fā)揮張江所處的區(qū)位優(yōu)勢以及浦東綜合

配套改革試點(diǎn)的政策優(yōu)勢，將單純吸引留學(xué)生變?yōu)槲魧W(xué)生、國外精英等高層次人才。通過科學(xué)城建設(shè)以及個(gè)人所得稅率的國際化調(diào)整、落戶政策的優(yōu)化，發(fā)揮上?！昂Ｅ晌幕眰鹘y(tǒng)，將張江建設(shè)成為世界各國人才匯集、安居樂業(yè)的新故鄉(xiāng)，大幅提升張江在高層次人才爭奪中的國際競爭力 。

4.重在積累，克服急功近利

設(shè)計(jì)業(yè)的復(fù)雜度很高，需要強(qiáng)大的穩(wěn)定的團(tuán)隊(duì)、深厚的積累。積累是一個(gè)不可逾越的發(fā)展過程。中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展如同下圍棋，不能只爭一時(shí)之短長，要比誰的氣長，而不是誰的空多。

集成電力產(chǎn)業(yè)人才尤其是設(shè)計(jì)人才供給問題長期以來是輿論界關(guān)注的熱點(diǎn)，許多高校在專業(yè)與設(shè)置、人才培養(yǎng)方面急功近利，片面追隨所謂社會(huì)熱點(diǎn)和學(xué)業(yè)對口，導(dǎo)致學(xué)生的基本綜合素質(zhì)和人文科學(xué)方面的素養(yǎng)不夠高，知識(shí)面過窄。事實(shí)上，眾多設(shè)計(jì)企業(yè)普遍反映，他們招聘人才的標(biāo)準(zhǔn)并非是單純的所謂專業(yè)對口，而是更注重基礎(chǔ)知識(shí)和綜合素質(zhì)，他們普遍反映高校的教育太急功近利了 。

5.促進(jìn)企業(yè)間合作，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈合作

國內(nèi)企業(yè)之間的橫向聯(lián)系少，外包剛剛起步，基本上每個(gè)設(shè)計(jì)企業(yè)都有自己的芯片，都在進(jìn)行全面發(fā)展。這些因素都限制了企業(yè)的快速發(fā)展。要充分運(yùn)用華南一些企業(yè)為國外做的解決方案，這樣終端客戶就可以直接將公司產(chǎn)品運(yùn)用到原有解決方案上去。此外，設(shè)計(jì)企業(yè)要與方案商、通路商、系統(tǒng)廠商形成緊密的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 。

6.摒棄理想化的產(chǎn)學(xué)研模式

產(chǎn)學(xué)研一體化一直被各界視為促進(jìn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的良方，但實(shí)地調(diào)研結(jié)果暴露出人們在此方面存在著不切實(shí)際的幻想。筆者所調(diào)研的眾多設(shè)計(jì)企業(yè)對高校幫助做產(chǎn)品不抱任何指望。公司項(xiàng)目要求的進(jìn)度快，存在合作的時(shí)間問題；高校一般不具備可以使工廠能更有效利用廠房空間，也適用于研發(fā)中心的使用。新開發(fā)的空冷系統(tǒng)減少了對外部設(shè)施的依賴，可在任意位置安裝設(shè)置，同時(shí)繼續(xù)支持符合STC標(biāo)準(zhǔn)的各種T2000模塊，滿足各種測試的需要 。

每一個(gè)時(shí)代的技術(shù)發(fā)明都與當(dāng)時(shí)的社會(huì)生產(chǎn)力水平和科學(xué)技術(shù)狀況密切相關(guān)，并且取決于發(fā)明者的素質(zhì)、能力和思維方式。

滿足并符合社會(huì)需要是作出技術(shù)發(fā)明的基本條件。社會(huì)需求的增長提出新的技術(shù)目標(biāo)。原有的技術(shù)手段同新的技術(shù)目標(biāo)的矛盾，推動(dòng)和激勵(lì)發(fā)明。在技術(shù)活動(dòng)中，由于知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的積累、綜合，也會(huì)導(dǎo)致創(chuàng)新的技術(shù)構(gòu)想和發(fā)明，新的技術(shù)成果又能引發(fā)出新的需求，并有助于新發(fā)明的推廣應(yīng)用。

發(fā)明是創(chuàng)造性的腦力勞動(dòng)，新的技術(shù)方案往往要經(jīng)過多次、幾十次乃至幾百次的試驗(yàn)，克服許多困難和挫折才得以形成。勇于獻(xiàn)身、堅(jiān)忍不拔、刻苦鉆研和勤于實(shí)踐，是發(fā)明者的基本素質(zhì)。

新的技術(shù)構(gòu)思和技術(shù)方案的提出，以深刻理解已有技術(shù)的機(jī)制和洞察其癥結(jié)為前提，而深刻的理解和洞察力取決于充實(shí)的知識(shí)背景。隨著技術(shù)發(fā)明難度的增大，對知識(shí)的需求程度也愈高，不僅要有一般專業(yè)知識(shí)、跨專業(yè)知識(shí)，還要有雄厚的基礎(chǔ)科學(xué)理論知識(shí)和數(shù)學(xué)知識(shí)。

發(fā)明就是要標(biāo)新立異乃至異想天開，把似乎不可能的事轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)，而不拘泥于陳規(guī)。創(chuàng)造性思維能力的發(fā)揮，在醞釀形成新設(shè)想的過程中有特殊重要的意義。想象、猜測 、直覺、靈感與創(chuàng)造密切相關(guān)。

一種技術(shù)目標(biāo)可能以不同的技術(shù)手段達(dá)到。為實(shí)現(xiàn)某種功能要求的技術(shù)發(fā)明，往往也有幾種方案，每種方案又可能包括若干可供選擇的子方案。發(fā)明者既要有廣闊的視野，又要善于根據(jù)功能價(jià)值關(guān)系、資源環(huán)境等綜合因素，對多種技術(shù)方案作出比較、篩選和驗(yàn)證。形成和確定新的技術(shù)方案 ，要以科學(xué)的思維方法為指導(dǎo)。技術(shù)發(fā)明的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，有助于科學(xué)技術(shù)方法論的完善和應(yīng)用。

為了推動(dòng)發(fā)明及其應(yīng)用，國家以法律形式把發(fā)明確認(rèn)為專利。在一般意義上，人們在技術(shù)活動(dòng)中作出的有新穎性、先進(jìn)性和實(shí)用性的創(chuàng)造和改進(jìn)都屬于發(fā)明；由國家和法律所認(rèn)定的發(fā)明則與之不盡相同。專利法要求的發(fā)明有新穎性，僅指提出了尚未公開的或前所未見的技術(shù)方案，有時(shí)只要求在本國有這種新穎性，這與技術(shù)發(fā)展史上的前所未有是有區(qū)別的。專利法所說的發(fā)明的先進(jìn)性是指新方案比原有技術(shù)有顯著進(jìn)步，而不是細(xì)微的改進(jìn)。新穎的外觀設(shè)計(jì)也受法律的保護(hù)，可取得專利，但通常不認(rèn)定為發(fā)明。專利法在判別發(fā)明的實(shí)用性時(shí)，包含社會(huì)價(jià)值和國情的考慮，對于違反國家法律、社會(huì)公德或妨害公共利益的發(fā)明創(chuàng)造，不授予專利權(quán)。對于藥品、食品、核物質(zhì)、疾病的診斷和治療方法等方面的發(fā)明，一般不授予專利。