均勻訪存模型

AMD推廣異構系統(tǒng)架構（Heterogeneous System Architecture）時，提出了出hUMA（heterogenous UMA）。hUMA允許CPU和GPU共享系統(tǒng)內存，讓GPU更有效執(zhí)行通用運算GPGPU（General-purpose computing on graphics processing unit）。

對稱多處理（英語：Symmetric multiprocessing，縮寫為 SMP），也譯為均衡多處理、對稱性多重處理，是一種多處理器的電腦硬件架構，在對稱多處理架構下，每個處理器的地位都是平等的，對資源的使用權限相同?，F(xiàn)代多數(shù)的多處理器系統(tǒng)，都采用對稱多處理架構，也被稱為對稱多處理系統(tǒng)（Symmetric multiprocessing system）。在這個系統(tǒng)中，擁有超過一個以上的處理器，這些處理器都連接到同一個共享的主存上，并由單一操作系統(tǒng)來控制。在多核心處理器的例子中，對稱多處理架構，將每一個核心都當成是獨立的處理器。

在對稱多處理系統(tǒng)上，在操作系統(tǒng)的支持下，無論進程是處于用戶空間，或是核心空間，都可以分配到任何一個處理器上運行。因此，進程可以在不同的處理器間移動，達到負載平衡，使系統(tǒng)的效率提升。

1. 對稱多處理機(SMP)；

2. 非對稱多處理機：和對稱處理機不同的是，這種處理機中處理器有主從之分，主處理器可以操縱I/O 并執(zhí)行操作系統(tǒng)代碼，可以監(jiān)控從處理器執(zhí)行用戶進程，但是從處理器則不行，只能受主處理器的監(jiān)視。

非統(tǒng)一內存訪問架構（英語：Non-uniform memory access，簡稱NUMA）是一種為多處理器的電腦設計的內存，內存訪問時間取決于內存相對于處理器的位置。在NUMA下，處理器訪問它自己的本地內存的速度比非本地內存（內存位于另一個處理器，或者是處理器之間共享的內存）快一些。

非統(tǒng)一內存訪問架構的特點是：被共享的內存物理上是分布式的，所有這些內存的集合就是全局地址空間。所以處理器訪問這些內存的時間是不一樣的，顯然訪問本地內存的速度要比訪問全局共享內存或遠程訪問外地內存要快些。另外，NUMA中內存可能是分層的：本地內存，群內共享內存，全局共享內存。

NUMA架構在邏輯上遵循對稱多處理（SMP）架構。它是在二十世紀九十年代被開發(fā)出來的，開發(fā)商包括Burruphs（后來的優(yōu)利系統(tǒng)），Convex Computer（后來的惠普），意大利霍尼韋爾信息系統(tǒng)（HISI）（后來的Group Bull），Silicon Graphics公司（后來的硅谷圖形），Sequent電腦系統(tǒng)（后來的IBM），通用數(shù)據(jù)（EMC），Digital（后來的Compaq，現(xiàn)惠普）。這些公司研發(fā)的技術后來在類Unix操作系統(tǒng)中大放異彩，并在一定程度上運用到了Windows NT中。

首個基于NUMA的Unix系統(tǒng)商業(yè)化實現(xiàn)是對稱多處理XPS-100系列服務器，它是由VAST公司的Dan Gielen為HISI設計。這個架構的巨大成功使HISI成為了歐洲的頂級Unix廠商。

一致性高速緩存非均勻存儲訪問模型（CC-NUMA）：它最大的特點是，每一個節(jié)點是一個對稱多處理機（SMP），實際上是一個分布式共享存儲處理機(DSM)多處理機系統(tǒng)。在商業(yè)中，大多數(shù)訪存都在本地內存中進行，而網(wǎng)絡上傳輸?shù)臄?shù)據(jù)大多是用于高速緩存的無效性。

下面介紹幾種常見存物柜：

投幣式機械自動存物柜 ，這種存包柜是1999年由深圳億家福公司最先引入中國大陸的。使用范圍有：超市，圖書館，海濱浴場等

l 傻瓜型非接觸卡長效存物柜：用于小區(qū)信報管理、員工更衣柜、租賃柜等。也用于有人員職守的公共場合，如：網(wǎng)吧、旅館、浴池。

l 一次有效掃卡存取存物柜：利用員工卡掃描存取、利用學生卡掃描存取、利用會員卡掃描存取。

l 異型卡、鑰匙型卡存物柜：用于洗浴更衣、桑拿更衣、員工更衣等。

投幣收費收發(fā)卡型電子存物柜：用于車站、碼頭、公共場合募捐等。

調節(jié)輥距的目的是為了適應不同厚度制品的要求，也是為了改變存料量。壓延機的輥距，除最后一道與產品厚度大致相等之外，其它各道都比這個數(shù)值要大，而且按壓延機輥筒的排列次序自下而上逐漸增加，借以使輥筒間隙中有少量存料，輥隙存料在壓延成型中起儲備．補充和進一步塑化的作用。存料的多少與存料旋轉的狀態(tài)宜接影響產品質量。存料過多，薄膜表面出現(xiàn)毛糙和云紋，并容易產生氣泡。在硬片生產中還會出現(xiàn)冷疤。此外，存料過多對設備也不利，因為增加了輥筒的負荷。若存料過少，則因壓力不足造成薄膜表面毛糙。如在硬片中會出現(xiàn)變形孔洞。存料過少通常容易引起邊料的斷裂，以致不易牽致壓延機再用。存旋轉也不佳，會使產品橫向厚度不均勻，薄膜有氣泡，硬片有冷疤。存料旋轉不好的原因在于料溫太低，輥筒溫度也低或輥距調節(jié)不當，所以綜上所述可知輥隙存料是壓延操作中需要經常觀察和調節(jié)的。2100433B

只要有電荷存在的地方，其周圍就一定存在電場，通過電磁感應就可能對人體或設備帶電。因此，帶電作業(yè)必須了解電場基本知識，加強防護措施。

根據(jù)電場強度的均勻程度，電場可以分為均勻電場與不均勻電場。

在均勻電場中，各點的電場強度的大小，方向都相同，如圖2 (a)所示平板電容器中間 部分的電場即為均勻電場。上述情況以外的電場都是不均勻電場；按不均勻程度的差別，又可分為稍不均勻電場和極不均勻電場。稍不均勻電場如球距不大于球的直徑的球間隙電場，如圖2(b)所示，極不均勻電場如棒一板間隙電場及棒一棒間隙電場，如圖2(c)、（d)所示。棒一棒間隙電場屬于對稱的稍不均勻電場，棒一板間隙電場則屬于不對稱的不均勻電場。前者比后者稍均勻些。

分析絕緣結構的擊穿時，不僅要考慮絕緣距離，而且還要考慮電場不均勻程度的影響。對于同樣距離的間隙，電場愈不均勻，通常擊穿電壓愈低。電氣設備中的電場大多為不均勻電場，為了提高絕緣結構的擊穿電壓，必須設法減小電場的不均勻程度。

電極表面的電場強度與其表面的電荷密度成正比。在電極的尖端或邊緣，如圖2(a)及（e)所示，由于曲率半徑小，表面電荷密度大，電力線密集，電場強度高，容易發(fā)生局部放電。這種現(xiàn)象稱為尖端效應或邊緣效應。電極的邊緣或尖端是造成極不均勻電場的重要原因，所以工程上常需要改善電極形狀，避免電極表面曲率半徑過小或出現(xiàn)尖角 。

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