中文名 | 極紫外光刻模板制造工藝中力學(xué)參數(shù)的擇取和優(yōu)化 | 依托單位 | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
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項目類別 | 青年科學(xué)基金項目 | 項目負(fù)責(zé)人 | 鄭亮 |
在摩爾定律的指引下,半導(dǎo)體工業(yè)大致每兩年就跨上一個新的臺階。為了實現(xiàn)45納米及更小節(jié)點器件的批量生產(chǎn),需要新一代的光刻技術(shù)。作為下一代芯片工藝的領(lǐng)頭羊,極紫外光刻技術(shù)被半導(dǎo)體業(yè)界普遍認(rèn)為是現(xiàn)有光學(xué)光刻技術(shù)的接班人。在極紫外光刻的實現(xiàn)過程中,技術(shù)難度最大的環(huán)節(jié)之一是光刻模板的制造工藝。. 本項目研究的極紫外光刻模板的制造工藝是半導(dǎo)體業(yè)界學(xué)術(shù)研究最前沿的新課題。此研究將采用理論建模、計算仿真、實驗分析相結(jié)合的技術(shù)線路,對極紫外光刻模板制造工藝中的力學(xué)參數(shù)進行選擇和優(yōu)化。建立光刻模板的理論方程;探索并研究出等效模擬技術(shù)和子模型技術(shù),構(gòu)建光刻模板制造工藝的三維非線性模型;并利用獲得的實驗數(shù)據(jù)對模型進行實驗驗證,修正模型重要參數(shù)。通過對其力學(xué)參數(shù)的優(yōu)化,能夠減少甚至完全消除光刻模板的變形,極大提高光刻工藝的最終精確度。為促進極紫外光刻的研究和發(fā)展、加速其工業(yè)實現(xiàn)提供有效的指導(dǎo)和參考價值。 2100433B
批準(zhǔn)號 |
10702017 |
項目名稱 |
極紫外光刻模板制造工藝中力學(xué)參數(shù)的擇取和優(yōu)化 |
項目類別 |
青年科學(xué)基金項目 |
申請代碼 |
A0805 |
項目負(fù)責(zé)人 |
鄭亮 |
負(fù)責(zé)人職稱 |
副教授 |
依托單位 |
哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
研究期限 |
2008-01-01 至 2010-12-31 |
支持經(jīng)費 |
21(萬元) |
90年代以來,科學(xué)技術(shù)不斷向上發(fā)展,導(dǎo)光板的制作方法慢慢改進,衍生出不同與早期的印刷式制作,與它相對而言的,我們稱之為“非印刷式”。 1. 使用壽命長。雕刻是物理性工藝,導(dǎo)光板的使用壽命長短主要和有機...
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 壓力容器制造工藝應(yīng)當(dāng)根據(jù)容規(guī)TSG 21—2016《固定式壓力容器安全技術(shù)監(jiān)察規(guī)程》,GB 150.4-2011 《壓力容器 第4部分:制造、檢驗和驗收》 和 HG/T 20584-...
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評分: 4.5
在建筑工業(yè)化進程中,建筑內(nèi)裝墻材是十分重要的組成部分,然而,由于其產(chǎn)品種類繁多、施工工藝復(fù)雜,難以標(biāo)準(zhǔn)化集成和應(yīng)用,因此建筑內(nèi)裝構(gòu)件的部品化和一體化是實現(xiàn)建筑工業(yè)化的一個重要方面。本文探討采用紫外光(UV)固化技術(shù),通過多道組合工藝,可將普通的建材轉(zhuǎn)化為高檔裝飾板材,可有效提高裝飾板的工業(yè)化生產(chǎn)程度,并提升我國建筑內(nèi)裝一體化板的制造水平。
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評分: 4.4
介紹紫外光刻法制作微納光纖布喇格光柵(MF-BG)的制作工藝,測量并分析不同直徑的微納光纖布喇格光柵的反射譜。數(shù)據(jù)表明隨著微納光纖的直徑變小,光纖光柵的中心波長藍(lán)移且反射強度也隨之減小。仿真計算微納光纖的有效折射率和光纖纖芯的束縛能力(即基模分布在纖芯的能量與基模全部能量的比值),來解釋上述變化。
紫外光刻膠(UV resist)是用紫外光作曝光光源的光刻膠。
一般是指分光感度波長為sao一450nin的近紫外抗蝕劑紫外光刻膠有負(fù)性、正性和止一負(fù)性兩用三類。負(fù)性的代表品種是聚乙烯醇肉桂酸醋、環(huán)化橡膠系抗蝕劑、止性代表品種是重氦茶釀系抗蝕劑,正負(fù)性抗蝕劑是為丁兼顧其既有.卜性又有負(fù)性的性能,往往會給全面照顧抗蝕劑應(yīng)用上帶來一些難題,尚未商品化、
2100433B
采用掩膜對準(zhǔn)技術(shù),對光刻膠進行曝光,使受紫外光輻照的光刻膠發(fā)生改變,從而完成刻蝕。
曝光系統(tǒng)最核心的部件之一是紫外光源。
常見光源分為:
可見光:g線:436nm
紫外光(UV),i線:365nm
深紫外光(DUV),KrF 準(zhǔn)分子激光:248 nm, ArF 準(zhǔn)分子激光:193 nm
極紫外光(EUV),10 ~ 15 nm
對光源系統(tǒng)的要求
a.有適當(dāng)?shù)牟ㄩL。波長越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波長越短,就表示光刻的刀鋒越鋒利,刻蝕對于精度控制要求越高,因為衍射現(xiàn)象會更嚴(yán)重。]
b.有足夠的能量。能量越大,曝光時間就越短;
c.曝光能量必須均勻地分布在曝光區(qū)。[一般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來衡量光是否均勻分布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈(高壓汞燈),高壓汞燈有許多尖銳的光譜線,經(jīng)過濾光后使用其中的g 線(436 nm)或i 線(365 nm)。
對于波長更短的深紫外光光源,可以使用準(zhǔn)分子激光。例如KrF 準(zhǔn)分子激光(248 nm)、ArF 準(zhǔn)分子激光(193 nm)和F2準(zhǔn)分子激光(157 nm)等。
曝光系統(tǒng)的功能主要有:平滑衍射效應(yīng)、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理、實現(xiàn)強光照明和光強調(diào)節(jié)等。